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微晶晶振,插件晶振,DS10晶振,32.768K圓柱晶振

頻率：32.768KHZ

尺寸：4.3*1.0mm

插件石英晶振最適合用于比較低端的電子產(chǎn)品,比如兒童玩具,普通家用電器,即使在汽車電子領域中也能使產(chǎn)品高可靠性的使用.并且可用于安全控制裝置的CPU時鐘信號發(fā)生源部分,好比時鐘單片機上的石英晶振,在極端嚴酷的環(huán)境條件下,晶振也能正常工作,具有穩(wěn)定的起振特性,高耐熱性,耐熱循環(huán)性和耐振性等的高可靠性能。

訂購熱線：0755-27837162

微晶32.768K在瑞士、泰國建有生產(chǎn)中心，及遍布世界各地的代表處。我們所有的產(chǎn)品都得到ISO9001和ISO14001的認證，并達到RoHS，REACh等規(guī)范的要求。全球約550個員工的責任感和奉獻精神是我們成功的基石。我們對管理、環(huán)境、社會責任都有明確的行為準則（比如對有爭議的原材料的問題上），這些是我們在未來保持競爭優(yōu)勢的主要原因。
微晶玻璃（MC）的管理、環(huán)境與社會責任原則執(zhí)行（MES）大綱標準，以確保MC設備的工作條件，以及供應鏈合作伙伴的活動支持MC的要求，圓柱插件晶振是安全的，工人是尊重和尊嚴對待，以及制造過程使用MC和它的作伙伴對環(huán)境負責。供應商確認和執(zhí)行原則。采納這些原則的基本原則是理解一個企業(yè)，即它的所有業(yè)務動必須完全遵守國家的法律、法規(guī)和規(guī)章它在其中運行。這些原則鼓勵參與者考慮超越法律，遵守國際公認標準，促進社會和環(huán)境責任。

微晶晶振,插件晶振,DS10晶振,32.768K圓柱晶振,引腳焊接型石英晶體元件.工廠倉庫長時間大量庫存常用頻點,.高精度的頻率和晶振本身更低的等效串聯(lián)電阻.常用負載電容,DS10石英晶振,因插件型鏡頭成本更低和更高的批量生產(chǎn)能力.主要應用于電視,機頂盒,LCDM和游戲機家用常規(guī)電器數(shù)碼產(chǎn)品等的最佳選擇。
晶振高頻連續(xù)脈沖焊接技術：晶振撿漏：檢查貼片晶振封焊后的產(chǎn)品是否有漏氣現(xiàn)象（粗撿漏、細撿漏）粗撿漏：檢查較大的漏氣現(xiàn)象。細撿漏：檢查較小的漏氣現(xiàn)象。酒精撿漏：把晶振放置在酒精容器內加壓，取出后對產(chǎn)品進行絕緣測試，判定是否漏氣。一般用絕緣電阻測試法進行，要求直流電壓 Vcc=100 V、絕緣電阻 RR≥500 MΩ。用于粗撿漏。氣泡撿漏：把石英晶振放置在 FC-40 中，觀察產(chǎn)品是否存在氣泡現(xiàn)象。用于粗撿漏。氦撿漏：產(chǎn)品加壓灌氦后，用氦撿漏儀進行撿漏。用于細撿漏。打?。涸诋a(chǎn)品上印上標示。有油墨打印、激光打印。

微晶晶振	單位	DS10晶振	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	32.768KHz	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-20°C~+70°C	裸存
工作溫度	T_use	-10°C~+60°C	標準溫度
激勵功率	DL	1μW Max.	推薦:0.5μW
頻率公差	f_— l	±20、±30、±100× 10-6 (標準)	+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關的信息,http://www.908tw.com/
頻率溫度特征	f_tem	±100 × 10-6/-40°C~+85°C	超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負載電容	CL	7,8.2,9,12.5PF	不同負載電容要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C~+85°C, DL=0.5μW
頻率老化	f_age	±3× 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

DS10 DS15 DS26

插件晶振安裝注意事項：安裝時的注意事項導腳型晶振• 構造圓柱晶振 (VT, VTC) 用玻璃密封 (參閱圖 1 和圖 2)。微晶晶振,插件晶振,DS10晶振,32.768K圓柱晶振
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修改插件晶振彎曲導腳的方法(1) 要修改彎曲的導腳時，以及要取出石英晶振等情況下不能強制拔出導腳，如果強制地拔出導腳，會引起玻璃的破裂，而導致殼內真空濃度的下降，有可能促使晶振特性的惡化以及晶振芯片的破損(參閱圖 3)。(2) 要修改彎曲的導腳時，要壓住外殼基側的導腳，且從上下方壓住彎曲的部位，再進行修改(參閱圖 4)。

彎曲導腳的方法(1) 將導腳彎曲之后并進行焊接時，導腳上要留下離外殼0.5mm的直線部位。如果不留出晶振導腳的直線部位而將導腳彎曲，有可能導致玻璃的破碎 (參閱圖5 和圖6)。(2) 在導腳焊接完畢之后再將導腳彎曲時，務必請留出大于外殼直徑長度的空閑部分 (參閱圖7)。

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負載電容：如果振蕩電路中負載電容的不同，可能導致圓柱型插件晶振振蕩頻率與設計頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。其中CS表示電路的雜散電容。微晶晶振,插件晶振,DS10晶振,32.768K圓柱晶振

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振蕩電路的檢查方法：振蕩頻率測量必須盡可能地測量安裝在電路上的聲表面諧振器的振蕩頻率的真實值，使用正確的方法。在振蕩頻率的測量中，通常使用探頭和頻率計數(shù)器。然而,我們的目標是通過限制測量工具對振蕩電路本身的影響來測量。有三種頻率測量模式，如下面的圖所示（圖）。2, 3和4）。最精確的測量方法是通過使用任何能夠精確測量的頻譜分析儀來實現(xiàn)的。接觸振蕩電路。探針不影響圖2，因為緩沖器的輸出是通過輸入振蕩電路的輸出來測量的。逆變器進入下一階段。探針不影響圖3，因為在IC上測量緩沖器輸出（1/1、1/2等）。
圖4示出了來自ic的無緩沖器輸出接收的情況，由此通過小尺寸測量來最小化探針的效果。輸出點之間的電容（3 pF以下XTAL終端IC）和探針。然而，應該注意到，使用這種方法輸出波形較小，測量不能依賴于即使示波器能檢查32.768K晶振振蕩波形，頻率計數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下，使用放大器來測量。
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