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Abracon晶振,石英晶振,AB38T晶振,無(wú)源音叉晶振

頻率：32.768KHZ

尺寸：8.3*3.2mm

引腳焊接型石英晶體元件.工廠(chǎng)倉(cāng)庫(kù)長(zhǎng)時(shí)間大量庫(kù)存常用頻點(diǎn),高精度的頻率和晶振本身更低的等效串聯(lián)電阻,常用負(fù)載電容.49/U石英晶振,因插件型晶體成本更低和更高的批量生產(chǎn)能力,主要應(yīng)用于電視,機(jī)頂盒,LCDM和游戲機(jī)家用常規(guī)電器數(shù)碼產(chǎn)品等的最佳選擇.符合RoHS/無(wú)鉛.

訂購(gòu)熱線(xiàn)：0755-27837162

Abracon的新發(fā)布的IoT優(yōu)化晶體系列專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)用于解決越來(lái)越多的低功耗趨勢(shì)，從而導(dǎo)致設(shè)計(jì)人員在整個(gè)行業(yè)中面臨的跨導(dǎo)值下降。這些IoT優(yōu)化的石英晶體與業(yè)界最低的gm_critical設(shè)計(jì)兼容。對(duì)于50MHz操作，ABM8W / ABM10W / ABM11W / ABM12W系列保證在gm_critical低至3.55mA / V的條件下工作。 ABS06W / ABS07W系列保證工作在1.1μA/ V以上的gm_critical。鑒于許多常見(jiàn)的MCU，例如ST Micro系列STM32M4F / STM32F3 / STM32F4 / STM32L4，其在32.768kHz操作下在1μA/ V附近顯示gm_critical，使用非常低的鍍層晶體的關(guān)鍵性是巨大的。 Abracon的新型IoT優(yōu)化晶體系列目前在世界上提供了最低的負(fù)載電容選項(xiàng)。
Abracon的Pierce分析儀系統(tǒng)（PAS）由我們的工程師設(shè)計(jì)，可幫助您為行業(yè)領(lǐng)先的設(shè)計(jì)做出正確的選擇。 PAS測(cè)試驗(yàn)證了電路中的石英晶體諧振器性能，同時(shí)測(cè)量晶體，晶體振蕩器和印刷電路板寄生效應(yīng)。測(cè)試系統(tǒng)中所有變量的帳戶(hù)，并使晶體參數(shù)與MCU或RF芯片組中的電路板和振蕩器實(shí)現(xiàn)理想的匹配。這對(duì)于使用下一代需要最佳gm因子的節(jié)能技術(shù)尤其重要。高頻點(diǎn)進(jìn)口諧振器,32.768K級(jí)圓柱音叉晶體,AB38T晶振

高頻點(diǎn)進(jìn)口諧振器,32.768K級(jí)圓柱音叉晶體,AB38T晶振

Abracon晶振,石英晶振,AB38T晶振,無(wú)源音叉晶振,插件石英晶振最適合用于比較低端的電子產(chǎn)品,比如兒童玩具,普通家用電器,即使在汽車(chē)電子領(lǐng)域中也能使產(chǎn)品高可靠性的使用.并且可用于安全控制裝置的CPU時(shí)鐘信號(hào)發(fā)生源部分,好比時(shí)鐘單片機(jī)上的石英晶振,在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下,晶振也能正常工作,具有穩(wěn)定的起振特性,高耐熱性,耐熱循環(huán)性和耐振性等的高可靠性能,由于在49/U形晶體諧振器的底部裝了樹(shù)脂底座,就可作為產(chǎn)品電氣特性和高可靠性無(wú)受損的表面貼片型晶體諧振器使用,滿(mǎn)足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線(xiàn)要求.
32.768K晶振的真空封裝技術(shù)：是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝。1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生；2.使晶振組件在真空下電阻減小；3.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序，鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等）。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng)，貼片晶振頻率更加集中，能控制在最小ppm之內(nèi)。高頻點(diǎn)進(jìn)口諧振器,32.768K級(jí)圓柱音叉晶體,AB38T晶振

Abracon晶振	單位	AB38T晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	32.768KHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-40°C ～ +85°C	裸存
工作溫度	T_use	-10°C ～ +60°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	1μW Max.	推薦:1μW
頻率公差	f_— l	±20 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn))	+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.908tw.com/
頻率溫度特征	f_tem	-0.034,-0.040,-0.028 × 10-6/-20°C ～ +70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	12.5pF	不同負(fù)載要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±3,±5 × 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

高頻點(diǎn)進(jìn)口諧振器,32.768K級(jí)圓柱音叉晶體,AB38T晶振

圓柱石英晶振產(chǎn)品的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)直到出廠(chǎng),都會(huì)經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的測(cè)試檢測(cè)來(lái)滿(mǎn)足它的規(guī)格要求。通過(guò)嚴(yán)格的出廠(chǎng)前可靠性測(cè)試以提供高質(zhì)量高的可靠性的石英晶振.但是為了石英晶振的品質(zhì)和可靠性,必須在適當(dāng)?shù)臈l件下存儲(chǔ),安裝,運(yùn)輸。請(qǐng)注意以下的注意事項(xiàng)并在最佳的條件下使用產(chǎn)品,我們將對(duì)于客戶(hù)按自己的判斷而使用石英晶振所導(dǎo)致的不良不負(fù)任何責(zé)任。Abracon晶振,石英晶振,AB38T晶振,無(wú)源音叉晶振
PCB設(shè)計(jì)指導(dǎo):(1) 理想情況下,機(jī)械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個(gè)獨(dú)立于音叉型晶體器件的PCB板上。如果您安裝在同一個(gè)PCB板上,最好使用余量或切割PCB。當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時(shí),機(jī)械振動(dòng)程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。(2) 在設(shè)計(jì)時(shí)請(qǐng)參考相應(yīng)的推薦封裝。(3) 在使用焊料助焊劑時(shí),按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來(lái)使用。(4) 請(qǐng)按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來(lái)使用無(wú)鉛焊料。
存儲(chǔ)事項(xiàng):(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間保存晶振時(shí),會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請(qǐng)?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些石英K級(jí)晶振產(chǎn)品,并在開(kāi)封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長(zhǎng)期儲(chǔ)藏。正常溫度和濕度：溫度：+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH(2) 請(qǐng)仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞。高頻點(diǎn)進(jìn)口諧振器,32.768K級(jí)圓柱音叉晶體,AB38T晶振

高頻點(diǎn)進(jìn)口諧振器,32.768K級(jí)圓柱音叉晶體,AB38T晶振

振蕩補(bǔ)償:除非在壓電石英晶體諧振器振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會(huì)增加振蕩啟動(dòng)時(shí)間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。Abracon晶振,石英晶振,AB38T晶振,無(wú)源音叉晶振

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測(cè)試條件:(1)電源電壓:超過(guò) 150µs，直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測(cè)量KHZ圓柱型音叉石英晶體頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過(guò)振蕩器的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀(guān)察波形。（請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線(xiàn)）.

高頻點(diǎn)進(jìn)口諧振器,32.768K級(jí)圓柱音叉晶體,AB38T晶振

晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。振蕩開(kāi)始代替。在32.768K圓柱晶振基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個(gè)范圍內(nèi)。K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例（kHz頻段），需要連接一個(gè)電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流，調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵(lì)磁。電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動(dòng)。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵(lì)磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負(fù)載能力。
適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D）取決于諧振器的類(lèi)型，頻帶和設(shè)備的價(jià)值。電容器（C1，C2）。精確值是通過(guò)32.768KHz晶振測(cè)量振蕩電路的特性來(lái)確定的（包括負(fù)電阻和驅(qū)動(dòng)級(jí)）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個(gè)范圍內(nèi)。?幾K?。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類(lèi)型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序，在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右，僅供參考。

高頻點(diǎn)進(jìn)口諧振器,32.768K級(jí)圓柱音叉晶體,AB38T晶振