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ECS晶體,石英晶振,ECS-2x6X晶振,歐美進(jìn)口晶振

頻率：32.768KHZ

尺寸：6.2*2.1mm

貼片表晶32.768K系列具有超小型,薄型,質(zhì)地輕的表面貼片音叉型石英晶體諧振器,晶振產(chǎn)品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,在辦公自動化,家電領(lǐng)域,移動通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,符合無鉛標(biāo)準(zhǔn),滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求,金屬外殼的石英晶振使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能.

訂購熱線：0755-27837162

32.768K圓柱DIP晶振,2*6音叉無源諧振器,ECS-2x6X晶振

CS致力于走在最前沿，擁有各種先進(jìn)的技術(shù)，使我們能夠做到快速、高效地生產(chǎn)頻率控制產(chǎn)品。作為我們對大會的承諾的一部分技術(shù)領(lǐng)先，ECS,inc .擁有設(shè)計(jì)、部件、工藝、測試、制造和質(zhì)量與客戶合作，優(yōu)化生產(chǎn)能力和穩(wěn)定性產(chǎn)品的設(shè)計(jì)。ECS石英晶振通過無鉛認(rèn)證產(chǎn)品:鉛(鉛)和其他材料(Hg、Cd、Cr + Vl、PBB和PBDE)在RoHS指令中被禁止，低于歐盟所提議的所有適用的物質(zhì)閾值。國際生產(chǎn)各種電子元件。從圓柱形音叉晶體到高穩(wěn)定性的烤爐控制振蕩器，ECS,inc .提供最多行業(yè)中頻率控制設(shè)備的綜合。32.768K圓柱DIP晶振,2*6音叉無源諧振器,ECS-2x6X晶振
ECS Inc.國際公司是一家私人控股公司，致力于滿足不斷增長的全球高可靠性創(chuàng)新型頻率控制設(shè)備需求。ECS公司是世界一流的進(jìn)口晶振研究機(jī)構(gòu)和電子設(shè)備設(shè)計(jì)師公認(rèn)的創(chuàng)新頻率控制解決方案的前15的全球開發(fā)商和制造出全球競爭者數(shù)超過600的。我們的全球支持工作力超過225家制造工廠，物流中心位于香港之內(nèi);韓國首爾;.煙臺，中國，當(dāng)然還有美國我們?nèi)蚴杖氩粓?bào)也不上市，由于其私人和專有所有權(quán)狀態(tài)。ECS，Inc.為了實(shí)現(xiàn)這一愿景，ECS，Inc.遵循我們的愿景，ECS，Inc.堅(jiān)持創(chuàng)新為中心的企業(yè)文化，旨在促進(jìn)和發(fā)展，最大限度地提高了我們滿足不斷變化的全球電子市場需求的能力各無晶圓廠合作伙伴的創(chuàng)造力。

ECS晶體,石英晶振,ECS-2x6X晶振,歐美進(jìn)口晶振,32.768K時(shí)鐘晶體具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面音叉型晶體諧振器,產(chǎn)品具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮晶振優(yōu)良的電氣特性,符合RoHS規(guī)定,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,金屬外殼的封裝使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷諧振器外殼更好的耐沖擊性.
音叉晶體的研磨技術(shù)：通過對晶振切割整形后的晶片進(jìn)行研磨，使石英晶振的晶片達(dá)到（厚度/頻率）的一定范圍。石英晶振晶片厚度與頻率的關(guān)系為：在壓電晶體行業(yè)，生產(chǎn)晶振頻率的高低是顯示鴻星技術(shù)水平的一個(gè)方面，通過理論與實(shí)際相結(jié)合，累積多年的晶振研磨經(jīng)驗(yàn)，通過深入細(xì)致地完善石英晶振研磨工藝技術(shù)，注重貼片晶振研磨過程的各種細(xì)節(jié)，注重晶振所用精磨研磨設(shè)備的選擇；注重所使用水晶、研磨砂的選擇等；注重石英晶振研磨用工裝如：游輪的設(shè)計(jì)及選擇，從而使研磨晶振晶片在平面度、平行度、彎曲度都有很好的控制，最終使可研磨的石英晶振晶片的厚度越來越薄，貼片晶振晶片的頻率越來越高，為公司在高頻石英晶振的研發(fā)生產(chǎn)打下堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)，提升了晶振廠家的競爭力，使晶振廠家高頻石英晶振的研發(fā)及生產(chǎn)領(lǐng)先于國內(nèi)其它公司。32.768K圓柱DIP晶振,2*6音叉無源諧振器,ECS-2x6X晶振

32.768K圓柱DIP晶振,2*6音叉無源諧振器,ECS-2x6X晶振

ECS晶振	單位	ECS-2x6X晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	32.768KHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C~+85°C	裸存
工作溫度	T_use	-10°C~+60°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	1μW Max.	推薦:1μW
頻率公差	f_— l	±20 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn))	+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.908tw.com/
頻率溫度特征	f_tem	±50× 10-6/-20°C~+70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	12.5pF	不同負(fù)載要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-20°C~+70°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±3× 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

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所有石英晶體諧振器和實(shí)時(shí)時(shí)鐘模塊都以IC形式提供。噪音:在電源或輸入端上施加執(zhí)行級別(過高)的不相干(外部的)噪音,可能導(dǎo)致會引發(fā)功能失?；驌舸┑拈]門或雜散現(xiàn)象。電源線路:電源的線路阻抗應(yīng)盡可能低。輸出負(fù)載:建議將石英晶振輸出負(fù)載安裝在盡可能靠近振蕩器的地方（在20 mm范圍之間）。ECS晶體,石英晶振,ECS-2x6X晶振,歐美進(jìn)口晶振
未用輸入終端的處理:未用針腳可能會引起噪聲響應(yīng),從而導(dǎo)致非正常工作。同時(shí),當(dāng)P通道和N通道都處于打開時(shí),電源功率消耗也會增加；因此,請將未用輸入終端連接到VCC 或GND。熱影響:重復(fù)的溫度巨大變化可能會降低受損害的石英兩腳晶振產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿。必須避免這種情況。安裝方向:振蕩器的不正確安裝會導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時(shí),請檢查安裝方向是否正確。通電:不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會導(dǎo)致無法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作。
超聲波清洗（1）使用AT-切割晶體和表面面濾波器波（SAW）/聲表面諧振器的產(chǎn)品,可以通過超聲波進(jìn)行清洗。但是,在某些條件下, 晶振特性可能會受到影響,而且內(nèi)部線路可能受到損壞。確保已事先檢查系統(tǒng)的適用性。（2）使用音叉晶體和陀螺儀傳感器的產(chǎn)品無法確保能夠通過超聲波方法進(jìn)行清洗,因?yàn)榫д窨赡苁艿狡茐摹＃?）請勿清洗開啟式晶振產(chǎn)品（4）對于可清洗晶振產(chǎn)品,應(yīng)避免使用可能對產(chǎn)品產(chǎn)生負(fù)面影響的清洗劑或溶劑等。（5）焊料助焊劑的殘留會吸收水分并凝固。這會引起諸如位移等其它現(xiàn)象。這將會負(fù)面影響產(chǎn)品的可靠性和質(zhì)量。請清理殘余的助焊劑并烘干PCB。32.768K圓柱DIP晶振,2*6音叉無源諧振器,ECS-2x6X晶振

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1.振蕩電路:2x6音叉表晶是無源元件，因此受到電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運(yùn)行和異常運(yùn)行。因此，在振蕩電路的設(shè)計(jì)中，先決條件之一是如何確定振蕩電路。晶體諧振器的振動安全穩(wěn)定。只有在做出了這個(gè)決定之后，后續(xù)的項(xiàng)目，例如討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時(shí)間和振蕩波形。ECS晶體,石英晶振,ECS-2x6X晶振,歐美進(jìn)口晶振
2.角色的分量與參考值:在32.768K圓柱晶振振蕩電路的設(shè)計(jì)中，必須認(rèn)識到個(gè)體的作用。組件.在表1中，以例如振蕩電路為例來描述角色。（圖1）使用一個(gè)通用的C-MOS IC（74hcuo4ap東芝）。當(dāng)反饋電阻（rf）未安裝在振蕩電路中時(shí)，如圖所示表1，即使在振蕩功率作用下，諧振器也不會啟動振蕩。電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接，否則振蕩不會啟動。

32.768K圓柱DIP晶振,2*6音叉無源諧振器,ECS-2x6X晶振

振蕩補(bǔ)償:除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會增加32.768K時(shí)鐘晶振振蕩啟動時(shí)間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。

32.768K圓柱DIP晶振,2*6音叉無源諧振器,ECS-2x6X晶振

測試條件(1)電源電壓:超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測量頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過2*6圓柱插件晶振振蕩器的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線）.

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