了解SiTime加固技術(shù)如何提高GNSS應(yīng)用的可靠性和性能
了解SiTime加固技術(shù)如何提高GNSS應(yīng)用的可靠性和性能
卓越的頻率穩(wěn)定性
超高精度的頻率控制:SiTime晶振的MEMS振蕩器采用先進(jìn)的設(shè)計(jì)與制造工藝,能夠提供極高的頻率穩(wěn)定性.以SiTime晶振的部分產(chǎn)品為例,如SiT7910超級(jí)溫補(bǔ)晶振(Super-TCXO),在-55°C至+105°C的極端溫度范圍內(nèi),頻率穩(wěn)定性可達(dá)±0.2ppm.相比傳統(tǒng)石英技術(shù),該穩(wěn)定性提升了多達(dá)25倍.在GNSS應(yīng)用里,衛(wèi)星信號(hào)的接收與解析高度依賴(lài)精準(zhǔn)的時(shí)鐘信號(hào).穩(wěn)定的頻率輸出能確保GNSS接收機(jī)準(zhǔn)確識(shí)別衛(wèi)星信號(hào)的相位和頻率特征,進(jìn)而精確計(jì)算信號(hào)傳播時(shí)間,實(shí)現(xiàn)高精度晶振定位.若晶振頻率不穩(wěn)定,信號(hào)傳播時(shí)間的計(jì)算就會(huì)出現(xiàn)偏差,最終導(dǎo)致定位誤差增大.長(zhǎng)期頻率穩(wěn)定性保障:除了應(yīng)對(duì)溫度變化,SiTime晶振在長(zhǎng)期使用中也能保持出色的頻率穩(wěn)定性.例如,SiT7910的頻率老化在20年內(nèi)僅為±5ppm.這意味著在GNSS設(shè)備的整個(gè)生命周期內(nèi),其授時(shí)和定位精度不會(huì)因晶振頻率的漂移而受到顯著影響.在一些需要長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行的GNSS應(yīng)用場(chǎng)景,如電力系統(tǒng)的授時(shí),金融交易的時(shí)間戳記錄等,長(zhǎng)期穩(wěn)定的頻率輸出是保證系統(tǒng)持續(xù)可靠運(yùn)行的基礎(chǔ),避免因時(shí)間偏差引發(fā)的系統(tǒng)故障或交易風(fēng)險(xiǎn).

強(qiáng)大的抗干擾能力
抵御電磁干擾:在復(fù)雜的電磁環(huán)境中,各類(lèi)電子設(shè)備產(chǎn)生的電磁輻射會(huì)干擾GNSS信號(hào)的接收.SiTime的MEMS振蕩器在設(shè)計(jì)上具備出色的抗電磁干擾(EMI)能力.其內(nèi)部電路布局和封裝結(jié)構(gòu)經(jīng)過(guò)優(yōu)化,能夠有效屏蔽外界電磁干擾,維持穩(wěn)定的頻率輸出.以5G基站與GNSS設(shè)備共存的場(chǎng)景為例,5G基站工作時(shí)會(huì)產(chǎn)生高強(qiáng)度的電磁輻射,傳統(tǒng)的GNSS晶振可能會(huì)受到干擾而導(dǎo)致頻率漂移或信號(hào)丟失.而采用SiTime貼片晶振加固技術(shù)的晶振,能確保GNSS接收機(jī)在這種強(qiáng)電磁環(huán)境下依然穩(wěn)定工作,準(zhǔn)確接收衛(wèi)星信號(hào),保障定位和授時(shí)的準(zhǔn)確性.抗振動(dòng)與沖擊:在一些特殊的應(yīng)用場(chǎng)景,如航空航天,車(chē)載導(dǎo)航以及軍事裝備等,GNSS設(shè)備會(huì)面臨劇烈的振動(dòng)和沖擊.SiTime的MEMS振蕩器通過(guò)特殊的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和材料選擇,能夠承受高g值的振動(dòng)和沖擊.例如,部分產(chǎn)品具有最佳的20ppb/g的g值靈敏度,在高振動(dòng)環(huán)境下依然能夠保持穩(wěn)定的性能.當(dāng)飛機(jī)在飛行過(guò)程中遭遇氣流顛簸,車(chē)輛在崎嶇道路上行駛產(chǎn)生劇烈振動(dòng)時(shí),SiTime晶振能保障GNSS系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行,不會(huì)因振動(dòng)沖擊導(dǎo)致信號(hào)中斷或定位錯(cuò)誤,極大地提高了GNSS應(yīng)用在這些復(fù)雜工況下的可靠性.
快速的啟動(dòng)與信號(hào)捕獲
縮短啟動(dòng)時(shí)間:SiTime進(jìn)口晶振的MEMS振蕩器具有極快的啟動(dòng)速度.傳統(tǒng)石英晶振從通電到達(dá)到穩(wěn)定工作狀態(tài)可能需要較長(zhǎng)時(shí)間,而SiTime的部分產(chǎn)品能夠在極短時(shí)間內(nèi)完成啟動(dòng),快速為GNSS系統(tǒng)提供穩(wěn)定的時(shí)鐘信號(hào).在一些對(duì)響應(yīng)速度要求極高的應(yīng)用場(chǎng)景,如緊急救援設(shè)備的GNSS定位功能,快速啟動(dòng)的晶振能使設(shè)備在開(kāi)機(jī)瞬間迅速獲取衛(wèi)星信號(hào),實(shí)現(xiàn)快速定位,為救援工作爭(zhēng)取寶貴時(shí)間.加速信號(hào)捕獲與鎖定:在GNSS信號(hào)較弱或受到遮擋的環(huán)境中,快速捕獲和鎖定衛(wèi)星信號(hào)至關(guān)重要.SiTime的高精度時(shí)鐘信號(hào)能夠幫助GNSS接收機(jī)更快地搜索和識(shí)別衛(wèi)星信號(hào),縮短信號(hào)捕獲時(shí)間,增強(qiáng)信號(hào)鎖定的穩(wěn)定性.以城市峽谷環(huán)境為例,高樓大廈對(duì)衛(wèi)星信號(hào)產(chǎn)生遮擋和反射,導(dǎo)致信號(hào)微弱且復(fù)雜.采用SiTime晶振的GNSS設(shè)備能夠憑借其精準(zhǔn)的時(shí)鐘基準(zhǔn),更高效地從復(fù)雜信號(hào)環(huán)境中篩選出有效衛(wèi)星信號(hào),實(shí)現(xiàn)快速捕獲與鎖定,提升定位的及時(shí)性和準(zhǔn)確性.
靈活的可編程配置
適配不同應(yīng)用需求:SiTime的MEMS振蕩器具備強(qiáng)大的可編程特性,用戶可以根據(jù)具體的GNSS應(yīng)用場(chǎng)景和需求,對(duì)晶振的頻率,穩(wěn)定性,功耗等參數(shù)進(jìn)行靈活配置.在一些對(duì)功耗要求嚴(yán)苛的便攜式GNSS設(shè)備中,如手持導(dǎo)航儀,可穿戴定位設(shè)備等,用戶可以通過(guò)編程降低晶振的功耗,延長(zhǎng)設(shè)備的電池續(xù)航時(shí)間,同時(shí)保持滿足定位精度需求的性能.而在對(duì)定位精度要求極高的測(cè)繪,航空航天等領(lǐng)域,則可以通過(guò)編程優(yōu)化晶振的頻率穩(wěn)定性和精度參數(shù),確保GNSS系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)高精度定位.簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì):其可編程性還使得GNSS系統(tǒng)設(shè)計(jì)更加靈活和簡(jiǎn)化.同一型號(hào)的SiTime晶振可以通過(guò)編程滿足不同項(xiàng)目的多樣化需求,無(wú)需為每個(gè)項(xiàng)目單獨(dú)定制不同規(guī)格的晶振,減少了庫(kù)存管理的復(fù)雜性和研發(fā)成本.例如,在開(kāi)發(fā)一系列不同功能的GNSS車(chē)載設(shè)備時(shí),使用SiTime的可編程晶振,僅需通過(guò)軟件編程即可適配不同車(chē)型,不同功能模塊對(duì)時(shí)鐘信號(hào)的要求,大大縮短了產(chǎn)品研發(fā)周期,提高了生產(chǎn)效率.
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OCETGCJTNF-48.000000 Taitien OC XO (Standard) 48 MHz CMOS 3.3V ±50ppm OXETDCJANF-0.032768 Taitien OX XO (Standard) 32.768 kHz CMOS 3.3V ±25ppm OCETDLJANF-25.000000 Taitien OC XO (Standard) 25 MHz CMOS 3.3V ±25ppm TZKTADSANF-26.000000 Taitien TZ TCXO 26 MHz Clipped Sine Wave 1.8V ±500ppb TXEABLSANF-24.000000 Taitien TX VCTCXO 24 MHz Clipped Sine Wave 2.8V ~ 3.3V ±1ppm TXEABLSANF-26.000000 Taitien TX VCTCXO 26 MHz Clipped Sine Wave 2.8V ~ 3.3V ±1ppm TXKTPCSANF-32.000000 Taitien TX TCXO 32 MHz Clipped Sine Wave 1.8V ±1.5ppm TXEAADSANF-20.000000 Taitien TX VCTCXO 20 MHz Clipped Sine Wave 2.8V ~ 3.3V ±500ppb TXETALSANF-10.000000 Taitien TX TCXO 10 MHz Clipped Sine Wave 2.8V ~ 3.3V ±500ppb TYETBCSANF-32.000000 Taitien TY TCXO 32 MHz Clipped Sine Wave 2.8V ~ 3.3V ±1ppm TYETBLSANF-40.000000 Taitien TY TCXO 40 MHz Clipped Sine Wave 2.8V ~ 3.3V ±1ppm TYEAPLSANF-40.000000 Taitien TY VCTCXO 40 MHz Clipped Sine Wave 2.8V ~ 3.3V ±1.5ppm TYETACSANF-26.000000 Taitien TY TCXO 26 MHz Clipped Sine Wave 2.8V ~ 3.3V ±500ppb TYEAACSANF-38.400000 Taitien TY VCTCXO 38.4 MHz Clipped Sine Wave 2.8V ~ 3.3V ±500ppb VLCUWCWTNF-100.000000 Taitien VLCU VCXO 100 MHz Sine Wave 5V ±35ppm TSEAALJANF-10.000000 Taitien TS VCTCXO 10 MHz CMOS 3.3V ±500ppb TWETALJANF-40.000000 Taitien TW TCXO 40 MHz CMOS 3.3V ±500ppb TWEAKLJANF-20.000000 Taitien TW VCTCXO 20 MHz CMOS 3.3V ±280ppb TTETKLJANF-10.000000 Taitien TT TCXO 10 MHz CMOS 3.3V ±280ppb TTEAKLJANF-10.000000 Taitien TT VCTCXO 10 MHz CMOS 3.3V ±280ppb TTETKLSANF-10.000000 Taitien TT TCXO 10 MHz Clipped Sine Wave 3.3V ±280ppb TSEATLJANF-10.000000 Taitien TS VCTCXO 10 MHz CMOS 3.3V ±4.6ppm TWETMCJANF-10.000000 Taitien TW TCXO 10 MHz CMOS 3.3V ±100ppb TTEAALJANF-50.000000 Taitien TT VCTCXO 50 MHz CMOS 3.3V ±500ppb NNENCLJNNF-10.000000 Taitien NN OCXO 10 MHz CMOS 3.3V ±20ppb NI-10M-2400 Taitien NI-10M-2400 OCXO 10 MHz LVTTL 5V ±3ppb NI-10M-2403 Taitien NI-10M-2400 OCXO 10 MHz LVTTL 5V ±3ppb NI-10M-2503 Taitien NI-10M-2500 OCXO 10 MHz Sine Wave 5V ±3ppb NI-100M-2900 Taitien NI-100M-2900 OCXO 100 MHz Sine Wave 12V ±50ppb NA-100M-6822 Taitien NA-100M-6800 OCXO 100 MHz Sine Wave 12V ±100ppb OCKTGLJANF-0.032768 Taitien OC XO (Standard) 32.768 kHz CMOS 3.3V ±50ppm OCETGLJTNF-100.000000 Taitien OC XO (Standard) 100 MHz CMOS 3.3V ±50ppm TXETCLSANF-40.000000 Taitien TX TCXO 40 MHz Clipped Sine Wave 2.8V ~ 3.3V ±2ppm TXETDDSANF-16.000000 Taitien TX TCXO 16 MHz Clipped Sine Wave 2.8V ~ 3.3V ±2.5ppm TXETDCSANF-20.000000 Taitien TX TCXO 20 MHz Clipped Sine Wave 2.8V ~ 3.3V ±2.5ppm TXETBLSANF-40.000000 Taitien TX TCXO 40 MHz Clipped Sine Wave 2.8V ~ 3.3V ±1ppm TXEABDSANF-32.000000 Taitien TX VCTCXO 32 MHz Clipped Sine Wave 2.8V ~ 3.3V ±1ppm TXETDDSANF-30.000000 Taitien TX TCXO 30 MHz Clipped Sine Wave 2.8V ~ 3.3V ±2.5ppm TXETBLSANF-26.000000 Taitien TX TCXO 26 MHz Clipped Sine Wave 2.8V ~ 3.3V ±1ppm TXEAPDSANF-19.200000 Taitien TX VCTCXO 19.2 MHz Clipped Sine Wave 2.8V ~ 3.3V ±1.5ppm TXEAPLSANF-40.000000 Taitien TX VCTCXO 40 MHz Clipped Sine Wave 2.8V ~ 3.3V ±1.5ppm TXEACDSANF-26.000000 Taitien TX VCTCXO 26 MHz Clipped Sine Wave 2.8V ~ 3.3V ±2ppm TXEACDSANF-20.000000 Taitien TX VCTCXO 20 MHz Clipped Sine Wave 2.8V ~ 3.3V ±2ppm TXETBLSANF-27.000000 Taitien TX TCXO 27 MHz Clipped Sine Wave 2.8V ~ 3.3V ±1ppm TXETBLSANF-19.200000 Taitien TX TCXO 19.2 MHz Clipped Sine Wave 2.8V ~ 3.3V ±1ppm TXETALSANF-26.000000 Taitien TX TCXO 26 MHz Clipped Sine Wave 2.8V ~ 3.3V ±500ppb TXEAACSANF-40.000000 Taitien TX VCTCXO 40 MHz Clipped Sine Wave 2.8V ~ 3.3V ±500ppb TXEAADSANF-25.000000 Taitien TX VCTCXO 25 MHz Clipped Sine Wave 2.8V ~ 3.3V ±500ppb TYETBLSANF-38.400000 Taitien TY TCXO 38.4 MHz Clipped Sine Wave 2.8V ~ 3.3V ±1ppm TYETBCSANF-50.000000 Taitien TY TCXO 50 MHz Clipped Sine Wave 2.8V ~ 3.3V ±1ppm TYETACSANF-32.000000 Taitien TY TCXO 32 MHz Clipped Sine Wave 2.8V ~ 3.3V ±500ppb TYETACSANF-20.000000 Taitien TY TCXO 20 MHz Clipped Sine Wave 2.8V ~ 3.3V ±500ppb PYEUCJJANF-100.000000 Taitien FASTXO XO (Standard) 100 MHz CMOS 2.8V ~ 3.3V ±20ppm TWEAALSANF-10.000000 Taitien TW VCTCXO 10 MHz Clipped Sine Wave 3.3V ±500ppb TTETKLJANF-30.720000 Taitien TT TCXO 30.72 MHz CMOS 3.3V ±280ppb TTEAMCSANF-10.000000 Taitien TT VCTCXO 10 MHz Clipped Sine Wave 3.3V ±100ppb OYKTGLJANF-0.032768 Taitien OY XO (Standard) 32.768 kHz CMOS 1.8V ±50ppm OYETDLJANF-25.000000 Taitien OY XO (Standard) 25 MHz CMOS 3.3V ±25ppm TXETDDSANF-19.200000 Taitien TX TCXO 19.2 MHz Clipped Sine Wave 2.8V ~ 3.3V ±2.5ppm TXETCLSANF-25.000000 Taitien TX TCXO 25 MHz Clipped Sine Wave 2.8V ~ 3.3V ±2ppm
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