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KT5032F20000KAW33T,KYOCERA高精度晶振,KT5032F汽車電子晶振

頻率:20MHz

尺寸:5032mm

KT5032F20000KAW33T,KYOCERA高精度晶振,KT5032F汽車電子晶振,其采用5.0mm×3.2mm的5032石英振蕩器標(biāo)準(zhǔn)封裝尺寸,這一規(guī)格經(jīng)過優(yōu)化,能夠完美適配汽車電子設(shè)備內(nèi)部密集的元器件布局,無論是車載ECU(電子控制單元)的狹小空間,還是信息娛樂系統(tǒng)的模塊腔體,都能輕松安裝.20MHz的標(biāo)稱頻率經(jīng)過精密校準(zhǔn),輸出穩(wěn)定且精準(zhǔn),可為汽車電子系統(tǒng)中的發(fā)動機控制模塊,變速箱控制單元,車身穩(wěn)定系統(tǒng)等各類關(guān)鍵控制模塊提供可靠的時鐘信號.依托京瓷在晶體制造領(lǐng)域數(shù)十年的技術(shù)積累,其高精度特性得以充分保障,即使在車輛急加速,急減速,顛簸行駛等復(fù)雜車況下,頻率輸出的一致性仍能得到嚴(yán)格控制,確保各電子模塊之間的指令傳輸與數(shù)據(jù)交互精準(zhǔn)無誤.
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KT5032F20000KAW33T,KYOCERA高精度晶振,KT5032F汽車電子晶振

KT5032F20000KAW33T在汽車電子領(lǐng)域的應(yīng)用優(yōu)勢尤為明顯,作為KYOCERA京瓷熱敏晶振的高精度晶振,它具備卓越的環(huán)境適應(yīng)性.汽車運行過程中面臨的環(huán)境挑戰(zhàn)極為復(fù)雜,從零下40℃的嚴(yán)寒冬季到零上85℃的高溫夏季,溫度波動劇烈,同時還會遭遇來自發(fā)動機振動,路面顛簸等產(chǎn)生的劇烈振動,而該晶振經(jīng)過嚴(yán)格的環(huán)境可靠性測試,能夠在-40℃至+125℃的寬溫范圍內(nèi)穩(wěn)定工作,且可承受100G的沖擊加速度和20G的持續(xù)振動.5032貼片晶振封裝采用高強度陶瓷材料與精密密封工藝,堅固的設(shè)計進一步增強了其抗外界干擾與耐機械應(yīng)力的能力,大幅提升了產(chǎn)品的可靠性.20MHz的穩(wěn)定頻率為車載電子控制單元提供了精準(zhǔn)的時間基準(zhǔn),確保發(fā)動機,剎車,轉(zhuǎn)向等系統(tǒng)之間的協(xié)同工作無縫銜接,從根本上提升了車輛的駕駛安全性.

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KT5032F20000KAW33T,KYOCERA高精度晶振,KT5032F汽車電子晶振

原廠型號 Original model : KT5032F20000KAW33T 品牌 brand : 京瓷晶振
Manufacturer品牌 京瓷晶振 Operating Temperature溫度  -40 ~ +85°C
Series型號 KT3225K石英晶振 Current - Supply (Max)  -
Type 類型 TCXO Package Height高度 1.7mm
Frequency 頻率 20M Termination  腳位 10 pads
輸出方式 Output: cmos Package Type  封裝類型 10-SMD
Voltage - Supply電壓 3.3V Packaging  包裝 Tape and Reel
Frequency Stability頻率穩(wěn)定度 ±0.28ppm 安裝方式 Installation : Surface mount
Size / Dimension 尺寸 5032mm 最小包裝數(shù) MPQ : 1000

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KT5032F20000KAW33T,KYOCERA高精度晶振,KT5032F汽車電子晶振

KT5032F

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KT5032F20000KAW33T,KYOCERA高精度晶振,KT5032F汽車電子晶振

KC2016K1.50000C10E00 2.0 x 1.6mm 0.8 1.5 -10 70 ± 50 CMOS
KC2016K1.50000C16E00 2.0 x 1.6mm 0.8 1.5 -40 105 ± 50 CMOS
KC2016K1.50000C1GE00 2.0 x 1.6mm 0.8 1.5 -40 85 ± 50 CMOS
KC2016K1.50000C1SE00 2.0 x 1.6mm 0.8 1.5 -10 70 ± 30 CMOS
KC2016K1.50000C1UE00 2.0 x 1.6mm 0.8 1.5 -10 70 ± 25 CMOS
KC2016K1.84320C10E00 2.0 x 1.6mm 0.8 1.8432 -10 70 ± 50 CMOS
KC2016K1.84320C16E00 2.0 x 1.6mm 0.8 1.8432 -40 105 ± 50 CMOS
KC2016K1.84320C1GE00 2.0 x 1.6mm 0.8 1.8432 -40 85 ± 50 CMOS
KC2016K1.84320C1SE00 2.0 x 1.6mm 0.8 1.8432 -10 70 ± 30 CMOS
KC2016K1.84320C1UE00 2.0 x 1.6mm 0.8 1.8432 -10 70 ± 25 CMOS
KC2016K10.0000C10E00 2.0 x 1.6mm 0.8 10 -10 70 ± 50 CMOS
KC2016K10.0000C16E00 2.0 x 1.6mm 0.8 10 -40 105 ± 50 CMOS
KC2016K10.0000C1GE00 2.0 x 1.6mm 0.8 10 -40 85 ± 50 CMOS
KC2016K10.0000C1SE00 2.0 x 1.6mm 0.8 10 -10 70 ± 30 CMOS
KC2016K10.0000C1UE00 2.0 x 1.6mm 0.8 10 -10 70 ± 25 CMOS
KC2016K10.2400C10E00 2.0 x 1.6mm 0.8 10.24 -10 70 ± 50 CMOS
KC2016K10.2400C16E00 2.0 x 1.6mm 0.8 10.24 -40 105 ± 50 CMOS
KC2016K10.2400C1GE00 2.0 x 1.6mm 0.8 10.24 -40 85 ± 50 CMOS
KC2016K10.2400C1SE00 2.0 x 1.6mm 0.8 10.24 -10 70 ± 30 CMOS
KC2016K10.2400C1UE00 2.0 x 1.6mm 0.8 10.24 -10 70 ± 25 CMOS
KC2016K10.5554C10E00 2.0 x 1.6mm 0.8 10.5554 -10 70 ± 50 CMOS
KC2016K10.5554C16E00 2.0 x 1.6mm 0.8 10.5554 -40 105 ± 50 CMOS
KC2016K10.5554C1GE00 2.0 x 1.6mm 0.8 10.5554 -40 85 ± 50 CMOS
KC2016K10.5554C1SE00 2.0 x 1.6mm 0.8 10.5554 -10 70 ± 30 CMOS
KC2016K10.5554C1UE00 2.0 x 1.6mm 0.8 10.5554 -10 70 ± 25 CMOS
KC2016K100.000C10E00 2.0 x 1.6mm 0.8 100 -10 70 ± 50 CMOS
KC2016K100.000C16E00 2.0 x 1.6mm 0.8 100 -40 105 ± 50 CMOS
KC2016K100.000C1GE00 2.0 x 1.6mm 0.8 100 -40 85 ± 50 CMOS
KC2016K100.000C1SE00 2.0 x 1.6mm 0.8 100 -10 70 ± 30 CMOS
KC2016K100.000C1UE00 2.0 x 1.6mm 0.8 100 -10 70 ± 25 CMOS
KC2016K11.2896C10E00 2.0 x 1.6mm 0.8 11.2896 -10 70 ± 50 CMOS
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KC2016K11.2896C1GE00 2.0 x 1.6mm 0.8 11.2896 -40 85 ± 50 CMOS
KC2016K11.2896C1SE00 2.0 x 1.6mm 0.8 11.2896 -10 70 ± 30 CMOS
KC2016K11.2896C1UE00 2.0 x 1.6mm 0.8 11.2896 -10 70 ± 25 CMOS
KC2016K12.0000C10E00 2.0 x 1.6mm 0.8 12 -10 70 ± 50 CMOS
KC2016K12.0000C16E00 2.0 x 1.6mm 0.8 12 -40 105 ± 50 CMOS
KC2016K12.0000C1GE00 2.0 x 1.6mm 0.8 12 -40 85 ± 50 CMOS
KC2016K12.0000C1SE00 2.0 x 1.6mm 0.8 12 -10 70 ± 30 CMOS
KC2016K12.0000C1UE00 2.0 x 1.6mm 0.8 12 -10 70 ± 25 CMOS
KC2016K12.2880C10E00 2.0 x 1.6mm 0.8 12.288 -10 70 ± 50 CMOS
KC2016K12.2880C16E00 2.0 x 1.6mm 0.8 12.288 -40 105 ± 50 CMOS
KC2016K12.2880C1GE00 2.0 x 1.6mm 0.8 12.288 -40 85 ± 50 CMOS
KC2016K12.2880C1SE00 2.0 x 1.6mm 0.8 12.288 -10 70 ± 30 CMOS
KC2016K12.2880C1UE00 2.0 x 1.6mm 0.8 12.288 -10 70 ± 25 CMOS
KC2016K12.4560C10E00 2.0 x 1.6mm 0.8 12.456 -10 70 ± 50 CMOS
KC2016K12.4560C16E00 2.0 x 1.6mm 0.8 12.456 -40 105 ± 50 CMOS
KC2016K12.4560C1GE00 2.0 x 1.6mm 0.8 12.456 -40 85 ± 50 CMOS
KC2016K12.4560C1SE00 2.0 x 1.6mm 0.8 12.456 -10 70 ± 30 CMOS
KC2016K12.4560C1UE00 2.0 x 1.6mm 0.8 12.456 -10 70 ± 25 CMOS
KC2016K12.5000C10E00 2.0 x 1.6mm 0.8 12.5 -10 70 ± 50 CMOS
KC2016K12.5000C16E00 2.0 x 1.6mm 0.8 12.5 -40 105 ± 50 CMOS
KC2016K12.5000C1GE00 2.0 x 1.6mm 0.8 12.5 -40 85 ± 50 CMOS
KC2016K12.5000C1SE00 2.0 x 1.6mm 0.8 12.5 -10 70 ± 30 CMOS
KC2016K12.5000C1UE00 2.0 x 1.6mm 0.8 12.5 -10 70 ± 25 CMOS
KC2016K125.000C10E00 2.0 x 1.6mm 0.8 125 -10 70 ± 50 CMOS
KC2016K125.000C16E00 2.0 x 1.6mm 0.8 125 -40 105 ± 50 CMOS
KC2016K125.000C1GE00 2.0 x 1.6mm 0.8 125 -40 85 ± 50 CMOS
KC2016K125.000C1SE00 2.0 x 1.6mm 0.8 125 -10 70 ± 30 CMOS
KC2016K125.000C1UE00 2.0 x 1.6mm 0.8 125 -10 70 ± 25 CMOS

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TG2520SMN25.000M-MCGNNM3,低相位噪聲TCXO晶振,愛普生緊湊型晶振,核心頻率精準(zhǔn)鎖定25.000MHz,憑借先進的溫度補償技術(shù),在-40℃至+85℃寬溫范圍內(nèi)實現(xiàn)±0.5ppm的超高頻率穩(wěn)定性,有效規(guī)避環(huán)境溫度波動對信號的干擾.采用2.5×2.0×0.8mm緊湊型SMD封裝,兼顧狹小空間安裝需求與卓越抗干擾能力,輸出純凈的截頂正弦波信號,為5G通信,WiFi等無線傳輸設(shè)備提供穩(wěn)定可靠的時鐘基準(zhǔn),是高性能電子系統(tǒng)的核心計時之選.


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1XTV25000MBB,DSA321SDN日產(chǎn)晶振,VC-TCXO晶振,傳承日產(chǎn)電子元件的精密制造工藝,集溫補,壓控雙重優(yōu)勢于一體.除核心的25MHz頻率輸出與±1.0PPM高穩(wěn)定性外,其應(yīng)用場景廣泛,可作為5G小基站,北斗導(dǎo)航模塊,工業(yè)PLC等設(shè)備的核心時鐘單元,憑借10億小時以上的平均無故障運行時長,為系統(tǒng)長期穩(wěn)定運行保駕護航.


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VTD3-J0BC-10M0000000,Microchip微芯晶振,TCXO有源晶振,10MHz標(biāo)準(zhǔn)頻率完美匹配4G/5G通信模塊,衛(wèi)星導(dǎo)航接收機,高端測試儀器等場景的時序需求.產(chǎn)品符合RoHS環(huán)保標(biāo)準(zhǔn),采用堅固密封封裝設(shè)計,能有效抵御外界應(yīng)力與濕氣影響,在惡劣工業(yè)環(huán)境與戶外設(shè)備中仍保持穩(wěn)定性能.其兼具微調(diào)功能,支持±5ppm至±15ppm的頻率拉偏范圍,可通過100kΩ阻抗的控制電壓實現(xiàn)精準(zhǔn)頻率校準(zhǔn),適配復(fù)雜系統(tǒng)的同步需求.


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貼片晶振
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