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NX3215SA-32.768K-STD-MUA-14,3215無(wú)源貼片晶振,日產(chǎn)NDK晶振
NX3215SA-32.768K-STD-MUA-14,3215無(wú)源貼片晶振,日產(chǎn)NDK晶振,面對(duì)便攜式電子設(shè)備對(duì)低功耗,小體積的需求,NX3215SA-32.768K-STD-MUA-14日產(chǎn)NDK無(wú)源貼片晶振展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì),3215小尺寸封裝可大幅節(jié)省PCB板空間,輕松融入智能手環(huán)晶振,藍(lán)牙耳機(jī),小型穿戴設(shè)備等輕薄化設(shè)計(jì)中,作為無(wú)源晶振,其無(wú)需額外供電驅(qū)動(dòng),僅依靠外部電路即可工作,工作功耗極低,能有效延長(zhǎng)設(shè)備電池續(xù)航時(shí)間.ased; font-variant-caps: normal; -webkit-text-stroke-width: 0px; text-decoration-thickness: initial; text-decoration-style: initial; text-decoration-color: initial;' data-leaf="true">ass="lb" style="background: rgb(239, 240, 241); margin: 0px; padding: 0px; border: 0px solid currentColor; border-image: none; box-sizing: border-box; -webkit-tap-highlight-color: rgba(0, 0, 0, 0); -webkit-font-smoothing: antialiased;">更多 +

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NX2016SA-24M-EXS00A-CS08891,日本進(jìn)口NDK晶振,24MHZ晶振
NX2016SA-24M-EXS00A-CS08891,日本進(jìn)口NDK晶振,24MHZ晶振,針對(duì)電子設(shè)備小型化,高集成化需求,NX2016SA-24M-EXS00A-CS08891日本NDK晶振以2016(2.0mm×1.6mm)超小封裝實(shí)現(xiàn)24MHZ高頻信號(hào)輸出,在有限的PCB板空間內(nèi)高效釋放性能.其內(nèi)部采用NDK專利的晶片切割與鍍膜技術(shù),頻率偏差可控制在±10ppm以內(nèi),能減少信號(hào)干擾,保障數(shù)據(jù)傳輸,圖像處理等高頻應(yīng)用的流暢性.ased; font-variant-caps: normal; -webkit-text-stroke-width: 0px; text-decoration-thickness: initial; text-decoration-style: initial; text-decoration-color: initial;' data-leaf="true">ass="lb" style="background: rgb(239, 240, 241); margin: 0px; padding: 0px; border: 0px solid currentColor; border-image: none; box-sizing: border-box; -webkit-tap-highlight-color: rgba(0, 0, 0, 0); -webkit-font-smoothing: antialiased;">更多 +

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KX-7-16.0MHZ晶振,geyer格耶晶振,KX-7無(wú)源晶體諧振器
KX-7-16.0MHZ晶振,geyer格耶晶振,KX-7無(wú)源晶體諧振器,針對(duì)不同應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)頻率穩(wěn)定性的需求,KX-7-16.0MHZ具備超低頻率偏差與寬溫工作能力.在-20+70℃的工業(yè)級(jí)溫度范圍內(nèi),頻率穩(wěn)定度可控制在±30ppm,能有效規(guī)避溫度波動(dòng)導(dǎo)致的設(shè)備時(shí)鐘漂移問(wèn)題,同時(shí),晶體采用高純度石英材質(zhì)與精密切割工藝,確保諧振頻率的長(zhǎng)期穩(wěn)定性,減少設(shè)備長(zhǎng)期運(yùn)行中的頻率誤差累積.ased; font-variant-caps: normal; -webkit-text-stroke-width: 0px; text-decoration-thickness: initial; text-decoration-style: initial; text-decoration-color: initial;' data-leaf="true">ass="lb" style="background: rgb(239, 240, 241); margin: 0px; padding: 0px; border: 0px solid currentColor; border-image: none; box-sizing: border-box; -webkit-tap-highlight-color: rgba(0, 0, 0, 0); -webkit-font-smoothing: antialiased;">更多 +

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EC2600TS-66.000MTR,Ecliptek晶振,LVCMOS輸出
EC2600TS-66.000MTR,Ecliptek晶振,LVCMOS輸出,核心輸出頻率精準(zhǔn)鎖定66.000MHz,能為電子設(shè)備提供高頻且穩(wěn)定的時(shí)鐘信號(hào),滿足高速數(shù)據(jù)處理與信號(hào)傳輸場(chǎng)景的時(shí)序需求.該晶振采用行業(yè)主流的LVCMOS(低壓互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)輸出接口,具備低電壓工作特性(典型工作電壓范圍3.3V±5%或2.5V±5%,適配不同設(shè)備供電需求),輸出電平與主流數(shù)字電路兼容,無(wú)需額外電平轉(zhuǎn)換模塊即可直接與MCU,FPGA等芯片對(duì)接,大幅簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì),同時(shí)LVCMOS輸出模式還能有效降低信號(hào)傳輸損耗,減少功耗,適配便攜式,低功耗電子設(shè)備的設(shè)計(jì)需求.此外,產(chǎn)品封裝規(guī)格符合小型化設(shè)計(jì)趨勢(shì),可靈活融入高密度PCB板布局,適配對(duì)空間要求嚴(yán)苛的設(shè)備場(chǎng)景.更多 +

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570BBC000159DG,Skyworks振蕩器,Si570有源晶振,網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用晶振
更多 +570BBC000159DG,Skyworks振蕩器,Si570有源晶振,網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用晶振,針對(duì)網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用中復(fù)雜的電磁環(huán)境,570BBC000159DG振蕩器通過(guò)優(yōu)化的電路設(shè)計(jì)與封裝工藝,具備優(yōu)異的抗電磁干擾能力.在數(shù)據(jù)中心,通信機(jī)房等多設(shè)備密集運(yùn)行的場(chǎng)景中,能有效抵御周邊設(shè)備產(chǎn)生的電磁干擾,保持時(shí)鐘信號(hào)的穩(wěn)定性與純凈度,減少因干擾導(dǎo)致的網(wǎng)絡(luò)通信誤碼,保障網(wǎng)絡(luò)鏈路的持續(xù)穩(wěn)定運(yùn)行,提升網(wǎng)絡(luò)服務(wù)質(zhì)量.

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DSC1124CI2-156.2500,HCSL差分晶振,Microchip微芯晶振,高穩(wěn)定性晶振
DSC1124CI2-156.2500,HCSL差分晶振,Microchip微芯晶振,高穩(wěn)定性晶振,作為Microchip旗下高穩(wěn)定性晶振代表,DSC1124CI2-156.2500依托微芯成熟的晶振制造工藝,在溫度穩(wěn)定性上表現(xiàn)卓越,寬溫工作范圍內(nèi)(通常覆蓋-40℃至85℃工業(yè)級(jí)溫度)頻率偏差極小,可低至±25ppm甚至更優(yōu)水平;同時(shí)具備低功耗特性,靜態(tài)電流控制在極低范圍,能減少設(shè)備整體功耗,延長(zhǎng)便攜式或低功耗設(shè)備的續(xù)航時(shí)間,是兼顧穩(wěn)定性與節(jié)能需求的理想選擇.更多 +

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ASVV-14.31818MHz-D20-S-T,L數(shù)字傳輸設(shè)備晶振,CMOS/TTL輸出晶振,測(cè)試設(shè)備
ASVV-14.31818MHz-D20-S-T,L數(shù)字傳輸設(shè)備晶振,CMOS/TTL輸出晶振,測(cè)試設(shè)備,作為模塊基帶芯片的核心時(shí)鐘源,通過(guò)CMOS/TTL輸出接口提供精準(zhǔn)時(shí)鐘信號(hào),支持基帶芯片完成信號(hào)調(diào)制解調(diào)時(shí)序控制.14.31818MHz頻率與4GLTE信號(hào)處理的時(shí)序需求高度匹配,配合進(jìn)口晶振優(yōu)異的溫度穩(wěn)定性,即使在高原低溫或沿海高溫高濕環(huán)境下,仍能保證模塊時(shí)鐘漂移量小于5ppm/℃,確保無(wú)線數(shù)據(jù)傳輸?shù)膸骄?避免因時(shí)鐘偏差導(dǎo)致的數(shù)據(jù)丟包或傳輸延遲.更多 +

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ASG-P-V-A-150.000MHz-T,LVPECL輸出晶振,Abracon差分晶振,石英晶體振蕩器
ASG-P-V-A-150.000MHz-T,LVPECL輸出晶振,Abracon差分晶振,石英晶體振蕩器,可有效抑制共模噪聲,在基站復(fù)雜電磁環(huán)境中,信號(hào)傳輸信噪比提升30%以上.150.000MHz高頻信號(hào)能滿足5GNR(新空口)協(xié)議下10Gbps級(jí)數(shù)據(jù)處理的時(shí)序需求,配合Abracon石英晶體振蕩器的±25ppm頻率穩(wěn)定度,確?;驹?40℃~85℃工作溫度范圍內(nèi),信號(hào)幀同步誤差小于1ns,保障多用戶接入時(shí)的數(shù)據(jù)傳輸穩(wěn)定性,避免因時(shí)鐘抖動(dòng)導(dǎo)致的信號(hào)失真或掉線問(wèn)題.更多 +

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ASG-D-V-B-80.000MHz-T,Abracon晶體振蕩器,VCXO晶振,7050壓控晶振
ASG-D-V-B-80.000MHz-T,Abracon晶體振蕩器,VCXO晶振,7050壓控晶振,工業(yè)PLC需實(shí)時(shí)接收傳感器數(shù)據(jù)并輸出控制指令,時(shí)鐘信號(hào)的穩(wěn)定性直接影響控制精度.ASG-D-V-B-80.000MHz晶振為PLC的中央處理單元提供可調(diào)時(shí)鐘,通過(guò)外部電壓微調(diào)功能,可補(bǔ)償工業(yè)環(huán)境中溫度,振動(dòng)導(dǎo)致的頻率漂移,使時(shí)鐘穩(wěn)定度保持在±10ppm以內(nèi).80.000MHz頻率能滿足PLC對(duì)高頻數(shù)據(jù)采集與快速指令響應(yīng)的需求,7050貼片晶振封裝的抗振動(dòng)性能(10g加速度,10-2000Hz)可抵御車(chē)間設(shè)備振動(dòng)干擾,配合Abracon的嚴(yán)苛品控,晶振在-40℃~105℃工業(yè)寬溫環(huán)境下持續(xù)穩(wěn)定工作,確保PLC對(duì)生產(chǎn)線的精準(zhǔn)控制,避免因時(shí)鐘偏差導(dǎo)致的設(shè)備誤動(dòng)作.更多 +

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ASG-C-V-A-120.000MHz-T,高性能晶體振蕩器,計(jì)算機(jī)應(yīng)用晶振,Abracon貼片晶振
ASG-C-V-A-120.000MHz-T,高性能晶體振蕩器,計(jì)算機(jī)應(yīng)用晶振,Abracon貼片晶振,工業(yè)控制計(jì)算機(jī)的數(shù)據(jù)采集卡需實(shí)時(shí)采集工業(yè)設(shè)備的高頻信號(hào)(如電機(jī)轉(zhuǎn)速,傳感器模擬量),時(shí)鐘精度直接影響采集數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性.ASG-C-V-A-120.000MHz-T貼片晶振為采集卡提供高頻時(shí)鐘,120.000MHz頻率支持采集卡實(shí)現(xiàn)200MSps的采樣速率,可精準(zhǔn)捕捉10MHz以內(nèi)的工業(yè)信號(hào)細(xì)節(jié),滿足高精度工業(yè)測(cè)量設(shè)備晶振需求.其高性能特性體現(xiàn)在寬溫工作范圍(-40℃~85℃),能適配工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)高低溫波動(dòng)環(huán)境更多 +

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ASG2-D-V-A-100.000MHz-T,5G基站晶振,2520微型貼片晶振,網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用晶振
ASG2-D-V-A-100.000MHz-T,5G基站晶振,2520微型貼片晶振,網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用晶振,2520微型封裝完美適配微基站基帶模塊的小型化設(shè)計(jì),100.000MHz高頻時(shí)鐘可通過(guò)鎖相環(huán)倍頻至500MHz,為基帶芯片提供高速運(yùn)算時(shí)序支持,滿足每小區(qū)100+用戶同時(shí)接入的數(shù)據(jù)處理需求,用戶下行時(shí)延控制在10ms以內(nèi).其貼片式結(jié)構(gòu)具備優(yōu)異的抗振動(dòng)性能(15g加速度,10-2000Hz),可抵御城市交通振動(dòng),設(shè)備運(yùn)行震動(dòng)對(duì)時(shí)鐘信號(hào)的影響,配合Abracon晶振嚴(yán)苛的品控標(biāo)準(zhǔn),晶振年頻率漂移量小于5ppm,確保微基站長(zhǎng)期運(yùn)行中基帶數(shù)據(jù)處理的穩(wěn)定性,避免因時(shí)鐘偏差導(dǎo)致的用戶掉線,數(shù)據(jù)卡頓問(wèn)題.更多 +

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T1254-T56-3.3-LG-10.0MHz-E,抗輻射封裝晶振,石英插件晶振,T1254有源晶振
T1254-T56-3.3-LG-10.0MHz-E,抗輻射封裝晶振,石英插件晶振,T1254有源晶振是一款具備抗輻射特性的石英插件式有源晶振,核心輸出頻率穩(wěn)定為10.0MHz,工作電壓適配3.3V低壓場(chǎng)景,滿足各類低功耗電子設(shè)備的供電需求.其采用石英晶體作為核心頻率發(fā)生元件,依托成熟的晶體加工工藝,初始頻率偏差被嚴(yán)格控制在極小范圍,同時(shí)以插件式結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)搭配LG封裝,兼顧安裝便捷性與結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性,能輕松適配傳統(tǒng)穿孔電路板,為通信,工業(yè)控制,航天等領(lǐng)域設(shè)備提供精準(zhǔn),可靠的基礎(chǔ)時(shí)鐘信號(hào),是對(duì)頻率穩(wěn)定性與安裝兼容性有雙重需求場(chǎng)景的理想選擇.更多 +

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EMK43G2J-24.000M,24MHz晶振,2520晶振,5G通信設(shè)備晶振
EMK43G2J-24.000M,24MHz晶振,2520晶振,5G通信設(shè)備晶振深度適配5G全場(chǎng)景應(yīng)用需求.在5G宏基站領(lǐng)域,可作為基站主控單元的時(shí)鐘核心,確保多扇區(qū)信號(hào)同步,避免因時(shí)鐘偏差導(dǎo)致的信號(hào)切換卡頓,保障大范圍網(wǎng)絡(luò)覆蓋的穩(wěn)定性,在5G微基站與室內(nèi)分布系統(tǒng)中,其小巧的2520封裝與低功耗特性,完美適配小型化基站的設(shè)計(jì)需求,支持密集組網(wǎng)部署,緩解城市熱點(diǎn)區(qū)域網(wǎng)絡(luò)擁堵,在5G終端設(shè)備(如5G工業(yè)路由器,車(chē)載晶振5G模塊)中,能為射頻前端,數(shù)據(jù)傳輸模塊提供穩(wěn)定時(shí)鐘,確保終端與基站間的高速數(shù)據(jù)交互,滿足工業(yè)物聯(lián)網(wǎng),車(chē)聯(lián)網(wǎng)等場(chǎng)景對(duì)通信實(shí)時(shí)性的要求,同時(shí),也可用于5G測(cè)試儀器(如信號(hào)分析儀),為設(shè)備校準(zhǔn)與性能測(cè)試提供精準(zhǔn)時(shí)鐘參考.更多 +

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EMK33G2H-44.2368MTR,美國(guó)Ecliptek晶振,EMK33晶振,3.3V貼片晶振
EMK33G2H-44.2368MTR,美國(guó)Ecliptek晶振,EMK33晶振,3.3V貼片晶振憑借出色的兼容性與穩(wěn)定性,廣泛應(yīng)用于多領(lǐng)域關(guān)鍵設(shè)備.在工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域,可作為PLC,傳感器模塊的時(shí)鐘核心,確保數(shù)據(jù)采集與指令傳輸?shù)耐叫?在通信設(shè)備領(lǐng)域,適配5G小基站,光纖收發(fā)器,保障信號(hào)調(diào)制解調(diào)的精準(zhǔn)度,在消費(fèi)電子領(lǐng)域,為智能穿戴設(shè)備,高清攝像頭提供穩(wěn)定時(shí)鐘信號(hào),避免畫(huà)面卡頓或數(shù)據(jù)傳輸延遲,同時(shí),其工業(yè)級(jí)耐溫特性也使其能勝任汽車(chē)電子(如車(chē)載導(dǎo)航,ADAS輔助駕駛模塊)及醫(yī)療設(shè)備(如便攜式診斷儀器)等對(duì)環(huán)境適應(yīng)性要求高的場(chǎng)景,為各類設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行筑牢"時(shí)間根基".更多 +

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BQCSP–125MF–BCDAT,軍事應(yīng)用晶振,Bliley高品質(zhì)晶振,6035晶振
BQCSP–125MF–BCDAT,軍事應(yīng)用晶振,Bliley高品質(zhì)晶振,6035晶振封裝尺寸,較傳統(tǒng)軍事晶振縮小30%PCB占用空間,可靈活集成于高密度嵌入式電路板中,適配導(dǎo)彈制導(dǎo)系統(tǒng),單兵作戰(zhàn)設(shè)備等小型化軍事裝備.晶振內(nèi)置過(guò)壓保護(hù)電路,能抵御軍用供電系統(tǒng)中的瞬時(shí)高壓沖擊(最高耐受100V峰值電壓),避免電路損壞.此外,產(chǎn)品采用無(wú)鉛焊接工藝,符合RoHS軍用環(huán)保標(biāo)準(zhǔn),且引腳鍍層為鍍金材質(zhì)(厚度≥5μm),提升導(dǎo)電性與抗氧化能力,確保軍事嵌入式系統(tǒng)長(zhǎng)期可靠運(yùn)行.更多 +

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BQCSQ-32K76F–YCBHT,BQCSQ晶振,數(shù)據(jù)通信領(lǐng)域晶振,1610貼片晶振
BQCSQ-32K76F–YCBHT,BQCSQ晶振,數(shù)據(jù)通信領(lǐng)域晶振,1610貼片晶振,Bliley晶振BQCSQ系進(jìn)口晶振不僅覆蓋32.768kHz低頻段,還延伸至10MHz~50MHz高頻范圍,專為數(shù)據(jù)通信設(shè)備的高速信號(hào)處理場(chǎng)景設(shè)計(jì).以BQCSQ-32K76F–YCBHT為基礎(chǔ)衍生的高頻型號(hào),采用與1610封裝一致的小型化設(shè)計(jì),可靈活集成于光模塊,5G基帶單元等緊湊設(shè)備中.該系列晶振具備低相位噪聲特性(@1kHz偏移:-115dBc/Hz),能減少數(shù)據(jù)傳輸中的信號(hào)干擾,降低誤碼率,提升通信鏈路穩(wěn)定性.同時(shí),支持12pF,20pF等多規(guī)格負(fù)載電容,與主流通信芯片(如高通,華為海思基帶芯片)高度兼容,無(wú)需調(diào)整電路即可快速適配,縮短數(shù)據(jù)通信設(shè)備研發(fā)周期.更多 +

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BQCST-32K76F–YBBKT,32.768kHz晶振,Bliley美國(guó)進(jìn)口晶振,3215諧振器
BQCST-32K76F–YBBKT,32.768kHz晶振,Bliley美國(guó)進(jìn)口晶振,3215諧振器,專為工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)低功耗節(jié)點(diǎn)設(shè)備量身打造.針對(duì)工業(yè)場(chǎng)景中設(shè)備多采用電池供電的特點(diǎn),其靜態(tài)功耗低至0.8μA,可支持設(shè)備數(shù)年無(wú)需更換電池,降低工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)部署后的維護(hù)成本.32.768k晶體頻率能滿足節(jié)點(diǎn)設(shè)備的定時(shí)喚醒,數(shù)據(jù)周期性采集需求,頻率老化率≤±5PPM/年,長(zhǎng)期使用仍能保持時(shí)間精度,避免因時(shí)間偏差導(dǎo)致的數(shù)據(jù)采集混亂.產(chǎn)品采用抗腐蝕金屬外殼封裝,能抵御工業(yè)環(huán)境中的粉塵,濕氣侵蝕,且通過(guò)工業(yè)級(jí)可靠性測(cè)試,在-40℃~+85℃寬溫環(huán)境下穩(wěn)定工作,適配智能傳感器,無(wú)線數(shù)據(jù)采集器等工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)設(shè)備.更多 +

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M60532GSN12.0000MHz,TCXO有源晶振,5032晶振,MtronPTl無(wú)線基站晶振
M60532GSN12.0000MHz,TCXO有源晶振,5032晶振,MtronPTl無(wú)線基站晶振,M60532GSN12.0000MHz依托MtronPTl溫補(bǔ)晶振(麥特倫皮)在無(wú)線通信計(jì)時(shí)領(lǐng)域的技術(shù)積累,成為兼具12.0000MHz精準(zhǔn)頻率,TCXO溫補(bǔ)晶振有源特性與5032封裝的無(wú)線基站專用晶振.在基站的MassiveMIMO(大規(guī)模天線)系統(tǒng)中,其TCXO的高精度頻率輸出能確保多天線通道間的時(shí)序同步,減少通道間的相位差(控制在±1°以內(nèi)),提升信號(hào)波束賦形的精準(zhǔn)度,增強(qiáng)基站的覆蓋能力與抗干擾性能.更多 +

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B1850-BAAS3T6N-20.000000,Bomar貼片晶振,B1850石英晶體振蕩器
更多 +B1850-BAAS3T6N-20.000000,Bomar貼片晶振,B1850石英晶體振蕩器
在電子設(shè)備朝著小型化,高精度發(fā)展的浪潮中,貼片石英晶體振蕩器憑借其緊湊的結(jié)構(gòu)和穩(wěn)定的性能,成為各類精密電子系統(tǒng)的核心頻率源.Bomar推出的B1850-BAAS3T6N-20.000000晶振,作為B1850系列的重要成員,以20.000000MHz的精準(zhǔn)頻率和貼片設(shè)計(jì),在通信,工業(yè)控制,消費(fèi)電子等領(lǐng)域展現(xiàn)出卓越的應(yīng)用價(jià)值

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GED石英晶振,壓控晶體振蕩器,SMD2200.3C–35.328MHz晶振,貼片晶體
GED石英晶振,壓控晶體振蕩器,SMD2200.3C–35.328MHz晶振,貼片晶體,SMD有源晶振,GED石英貼片晶振,進(jìn)口有源振蕩器,普通有源振蕩器,編碼為:SMD2200.3C–35.328MHz,頻率:35.328 MHz,頻率穩(wěn)定性:±25ppm,電源電壓為:3.3V,工作溫度范圍:-40℃至+85℃,小體積晶振尺寸:7.5x5.0mm,六腳貼片晶體,進(jìn)口晶振,該晶振即使在極其嚴(yán)酷的天氣環(huán)境下晶振也能發(fā)揮其較穩(wěn)定的起振作用,也是完全符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn)的,此晶振不僅可以用在智能手機(jī),家電遙控器等高端設(shè)備產(chǎn)品上,同時(shí)也可以應(yīng)用在攝像頭,無(wú)線路由器等方面,讓設(shè)備性能更穩(wěn)定,使用效果更好,周期更長(zhǎng)。更多 +
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