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愛(ài)普生晶振,溫補(bǔ)晶振,TG2520SBN晶振,X1G0051510121晶振

頻率：40.000MHz

尺寸：2.5*2.0*0.8mm

小體積貼片2520mm石英晶振,外觀小型,表面貼片型晶體振蕩器,因本身體積小等優(yōu)勢(shì),適用于移動(dòng)通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.小型,薄型,輕型(2.5×2.0×0.5 mm typ.)具備優(yōu)良的耐環(huán)境特性及高耐熱性強(qiáng).滿(mǎn)足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求.

訂購(gòu)熱線：0755-27837162

晶振技術(shù)參數(shù)點(diǎn)擊下載

EPSON-1

在2010年全球晶振廠家排名中,占據(jù)首位.愛(ài)普生僅此一項(xiàng)水晶振動(dòng)子行業(yè)就能足矣讓電子世界的人都敬佩不已.愛(ài)普生晶振以32.768KHZ晶振稱(chēng)霸晶振行業(yè),主要消費(fèi)在手機(jī),PCB,等電子產(chǎn)品.同時(shí)愛(ài)普生以提供原子鐘的精準(zhǔn)振蕩器知名業(yè)界.伴隨信息化社會(huì)的進(jìn)程,現(xiàn)在石英元器件已被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備以及家電產(chǎn)品之中,日趨重要. 愛(ài)普生拓優(yōu)科夢(mèng)（Epson—yocom）將進(jìn)一步究極用精微加工發(fā)揮“石英”材料的優(yōu)越性能的“QMEMS”技術(shù),創(chuàng)造出更小、更高性能或全新功能的元器件.
愛(ài)普生貼片式溫補(bǔ)晶振,低電壓?jiǎn)?dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH/SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無(wú)鉛.因產(chǎn)品本身體積小,SMD編帶型,可應(yīng)用于高性能自動(dòng)貼片焊接,被廣泛應(yīng)用到各種小巧的便攜式消費(fèi)電子數(shù)碼時(shí)間產(chǎn)品,環(huán)保性能符合ROHS/無(wú)鉛標(biāo)準(zhǔn).

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愛(ài)普生晶振,溫補(bǔ)晶振,TG2520SBN晶振,X1G0051510121晶振.2520mm體積非常小的溫度補(bǔ)償晶體振蕩器器件,是民用小型無(wú)線數(shù)碼產(chǎn)品的最佳選擇,小體積的晶振被廣泛應(yīng)用到,手機(jī)藍(lán)牙,GPS定位系統(tǒng),無(wú)線通訊集,高精度和高頻率的穩(wěn)定性能,非常好的減少電磁干擾的影響,是民用無(wú)線數(shù)碼產(chǎn)品最好的選擇,符合RoHS/無(wú)鉛.
石英晶振高精度晶片的拋光技術(shù)：貼片晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù)，最終使晶振晶片表面更光潔，平行度及平面度更好，降低諧振電阻，提高Q值。從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能，使石英晶振的等效電阻等更接近理論值，使晶振可在更低功耗下工作。使用先進(jìn)的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測(cè)晶片表面的狀態(tài)。愛(ài)普生晶振,溫補(bǔ)晶振,TG2520SBN晶振,X1G0051510121晶振

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溫補(bǔ)晶振規(guī)格	TG2520SBN晶振
溫補(bǔ)晶振頻率	13.000MHz～55.000MHｚ
常用標(biāo)準(zhǔn)頻率	16MHz,16.368MHz,16.369MHz,16.384MHz,16.8MHz,19.2MHz,20MHz,26MHz,27MHz, 28.974MHz,30MHz,32MHz,37.4MHz,38.4MHz,39MHz,40MHz
工作電壓	+1.8V~+3.3V （代表値）電源電圧は+1.7V～+3.6V範(fàn)囲の任意の電圧で動(dòng)作可能
靜態(tài)電流	（工作時(shí)）+1.2 mA max. (F≦15MHz) +1.4 mA max. (15＜F≦26MHｚ） +1.6 mA max. (F＞26MHz)（スタンバイ時(shí)）+1μA以下
TCXO輸出電壓	0.8Vp-p min.
TCXO輸出負(fù)載	（10kΩ//10pF) ±10％
常規(guī)溫度偏差	±1.5×10-6 (After 2 reflows)
頻率溫度偏差	±0.5×10-6/-30℃～+85℃
頻率溫度偏差	±2.0×10-6/-40℃～+85℃（オプション）

X1G0051510121晶振系列原廠編碼:

原廠編碼	型號(hào)	頻率	封裝尺寸	輸出波	頻率容許偏差	工作溫度	頻率/溫度
X1G0051510106	TG2520SBN	26.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	Clipped sine wave	+/-1.5 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.50 ppm
X1G0051510107	TG2520SBN	26.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	Clipped sine wave	+/-1.5 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.50 ppm
X1G0051510108	TG2520SBN	26.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	Clipped sine wave	+/-1.5 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.50 ppm
X1G0051510109	TG2520SBN	26.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	Clipped sine wave	+/-1.5 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.50 ppm
X1G0051510110	TG2520SBN	26.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	Clipped sine wave	+/-1.5 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.50 ppm
X1G0051510121	TG2520SBN	40.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	Clipped sine wave	+/-1.5 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.50 ppm
X1G0051510122	TG2520SBN	40.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	Clipped sine wave	+/-1.5 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.50 ppm
X1G0051510123	TG2520SBN	40.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	Clipped sine wave	+/-1.5 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.50 ppm
X1G0051510124	TG2520SBN	40.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	Clipped sine wave	+/-1.5 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.50 ppm
X1G0051510125	TG2520SBN	40.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	Clipped sine wave	+/-1.5 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.50 ppm
X1G0051510136	TG2520SBN	38.400000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	Clipped sine wave	+/-1.5 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.50 ppm

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TG2016SBN_2016 JLX-4

焊接和超聲波清洗
晶體單元的焊接溫度條件是旨在允許同時(shí)處理其他電子元件，但取決于2.5*2.0mm貼片晶振類(lèi)型條件可能受到限制。確認(rèn)使用前的條件?；旧希暡ㄇ逑粗竸┰试S，但在某些情況下，與振蕩共振超聲波清潔器的頻率可能會(huì)導(dǎo)致晶體單元的特性惡化。請(qǐng)檢查所有清潔前的條件。
腐蝕性物質(zhì)的影響
當(dāng)高精度TCXO振蕩器接觸鹽或腐蝕性材料或長(zhǎng)期暴露于某些物質(zhì)這可能是氯化物或硫化物氣體等氣氛造成嚴(yán)重的缺陷，例如包裝失去其密封性由于腐蝕。選擇粘合劑或灌封時(shí)要特別小心用于晶體單元周邊的試劑。
安裝引線安裝型晶體單元
（1）在PC板上安裝一個(gè)晶體單元，使其高度單位低于其他部分；這樣可以防止
由于沖擊引起的破損引起的支架式玻璃上方。玻璃破碎可能會(huì)影響氣密性密封導(dǎo)致性能下降。
（2）安裝鉛封式2.5*2.0mm有源晶振時(shí)使用PC板，PC上的孔之間的距離電路板應(yīng)該等于端子之間的距離晶體單元安裝。螺距中最輕微的誤差可能會(huì)導(dǎo)致玻璃裂縫水晶單元支架的一部分。
（3）安裝引線型晶體單元時(shí)，我們建議設(shè)備應(yīng)與PC聯(lián)系電路板和焊接方式，以防止疲勞和由于機(jī)械共振引起的引線斷裂
（4）在PC板上安裝晶體單元后，使支架基底玻璃破裂導(dǎo)致特性惡化。別動(dòng)了這樣的水晶單元。

愛(ài)普生TG2520SBN溫補(bǔ)晶振系列型號(hào)表:

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驅(qū)動(dòng)能力:驅(qū)動(dòng)能力說(shuō)明愛(ài)普生溫補(bǔ)晶振單元所需電功率，其計(jì)算公式如下：驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2_Re其中i表示經(jīng)過(guò)晶體單元的電流，Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。

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工控晶振測(cè)試條件：(1) 電源電壓? 超過(guò) 150µs，直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2) 其他輸入電容低于 15 pF, 5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測(cè)量頻率時(shí)，探頭阻抗將高于1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過(guò)有源貼片晶振的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。(3) 其他? CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線）

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振蕩電路：諧振器是無(wú)源元件，因此受到電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運(yùn)行和異常運(yùn)行。因此，在振蕩電路的設(shè)計(jì)中，先決條件之一是如何確定振蕩電路。晶體諧振器的振動(dòng)安全穩(wěn)定。只有在做出了這個(gè)決定之后，后續(xù)的項(xiàng)目，例如討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時(shí)間和振蕩波形。愛(ài)普生晶振,溫補(bǔ)晶振,TG2520SBN晶振,X1G0051510121晶振
角色的分量與參考值：在振蕩電路的設(shè)計(jì)中，必須認(rèn)識(shí)到個(gè)體的作用。組件.在表1中，以例如振蕩電路為例來(lái)描述角色。（圖1）使用一個(gè)通用的C-MOS IC（74hcuo4ap東芝）。當(dāng)反饋電阻（rf）未安裝在振蕩電路中時(shí)，如圖所示表1，即使在振蕩功率作用下，諧振器也不會(huì)啟動(dòng)振蕩。電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接，否則振蕩不會(huì)啟動(dòng)。晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。

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