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精工晶振,VT-120-F晶振,圓柱小體積晶振

頻率：32.768KHZ

尺寸：1.2*4.7mm

型　　號(hào)：VT-120-F晶振

封　　裝：DIP插件封裝

負(fù)載電容：6PF,9PF,12.5pf

工作溫度：-40~+85度

訂購熱線：0755-27837162

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SEIKO是日本晶振制造商Seiko Instruments Inc.的縮寫，也成為SII。SII擁有世界上頂端的機(jī)械技術(shù)。除了是世界上著名的石英手表廠商，同時(shí)也生產(chǎn)電腦打印機(jī)。做電子元器件，在石英振子這一方面，SII也是做的非常之出色的,目前，能夠與日本精工晶振全球同等級(jí)競爭的，只有日本大真空KDS。

精工晶振的代理商都知道精工常用的頻率都是32.768KHZ的，因此精工晶振通常也被稱為精工表晶。SEIKO生產(chǎn)的石英晶振型號(hào)并不是很多，但是質(zhì)量絕對(duì)可以和日產(chǎn)任何一個(gè)大品牌“媲美”。目前精工SEIKO已被列入全球晶振行業(yè)十強(qiáng)企業(yè)名單中。2012年精工SEIKO集團(tuán)在國內(nèi)投資1530萬美元建設(shè)生產(chǎn)基地。更大的彌補(bǔ)了國內(nèi)市場對(duì)高端晶體的需求。

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精工晶振,VT-120-F晶振,圓柱小體積晶振

精工晶振	符號(hào)	VT-120-F晶振	精工晶振基本信息對(duì)照表
Crystal標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	32.768kHz
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-55°C — +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C — +85°C	精工晶振特定的溫度
激勵(lì)功率	DL	0.5μW (1.0μW Max.)	如你有最大激勵(lì)功率為1.0μW需求,請(qǐng)聯(lián)系我們金洛電子
精度	f_— l	±20 ppm	如有需要更高的精度可以特定.
拐點(diǎn)溫度	Ti	+25°C ±5°C
負(fù)載電容	CL	7pF, 9pF, 12.5pF	可按客戶需求指定
串聯(lián)電阻（ESR）	R1	70kΩ Max.	70kΩ — 45kΩ
頻率老化	f_age	±3 ×10-6 / year Max.	+25°C,第一年

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VT-120-F 4.7-1.2

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晶體無信號(hào)輸出

1-1.

請(qǐng)測量信號(hào)輸出的兩個(gè)終端水晶使用示波器或頻率計(jì)數(shù)器。如果沒有信號(hào)輸出,請(qǐng)按照步驟1到步驟1 - 4執(zhí)行檢查。如果有信號(hào)輸出,終端的石英晶體(Xout),但在沒有信號(hào)輸出(新),請(qǐng)檢查后的水晶step1-5步驟1 - 6.

1-2.

請(qǐng)卸載水晶和測試頻率和負(fù)載電容是否他們振動(dòng),滿足你的規(guī)格使用專業(yè)測試機(jī)。你也可以寄給你的供應(yīng)商為你測試它。

1-3.

如果有下列情況發(fā)生,水晶不振動(dòng),其負(fù)載電容不匹配你的規(guī)范,或者是一個(gè)電流頻率和你的目標(biāo)之間的巨大差距的頻率,請(qǐng)把水晶給你的供應(yīng)商進(jìn)行質(zhì)量分析。如果頻率和負(fù)載電容滿足您的規(guī)格,我們需要進(jìn)行等效電路測試

1-4.

等效電路的測試

1-4-1.

一般來說,微處理器來自科耳皮茲電路的振蕩電路顯示如下:

Cd和Cg外部負(fù)載各,已建成的晶片組。(請(qǐng)參考規(guī)格的芯片集)

射頻是反饋電阻with200KΩmΩ~ 1。這是建在芯片設(shè)置一般。

Rd限制與470Ω~ 1 kΩ電阻器。這種抵抗是不常見的電路只有電路所需電源。

1-4-2。

穩(wěn)定的振蕩電路需要負(fù)電阻,其值應(yīng)至少五次的水晶阻力。它可以寫成| - r | > 5 Rr。

例如,要獲得一個(gè)穩(wěn)定的振蕩電路,集成電路的負(fù)電阻的值必須低于-200Ω當(dāng)晶體電阻的值40Ω。

1-4-3。

“負(fù)阻”是衡量標(biāo)準(zhǔn)來評(píng)估一個(gè)振蕩電路的質(zhì)量。在某些情況下,如老化、熱變化,電壓變化,等。,電路可能不振蕩如果“Q”的價(jià)值很低。因此,它是非常重要的衡量負(fù)阻(- r)遵循下面的說明:

(1)連接電阻(R)的水晶系列

(2)調(diào)整R的值從一開始就指出的停止點(diǎn)振蕩。

(3)在振動(dòng)測量R的值。

(4)你將能夠獲得負(fù)電阻的值,| - R R + | = Rr,Rr =水晶阻力。

注:連接電路的寄生電容會(huì)影響測量值。

1-4-4。

如果晶體的參數(shù)是正常的,但它不是工作穩(wěn)步在振蕩電路中,我們將不得不找出集成電路的電阻值是否過低驅(qū)動(dòng)電路。如果是這樣的話,我們有三種方法來改善這樣的情況:

降低外部電容的值(Cd和Cg),和采取其他水晶與降低負(fù)載電容(CL)。

采用水晶阻力較低(Rr)。

使用不平等的設(shè)計(jì)值的Cd和Cg。我們可以提高Cd的負(fù)載電容(Xout)和降低負(fù)載電容的Cg(鑫)提高輸出的波形振幅鑫將用于后端電路。

1 - 5。

當(dāng)有信號(hào)輸出Xout但不新,它代表的電極后,后端電路的功耗是極其巨大的.我們可以添加一個(gè)緩沖的輸出電路之間及其后電極驅(qū)動(dòng)端電路.

1 - 6。

除了上面提到的1 - 5的方法,你也可以按照三種方法在步驟1-4-4。

請(qǐng)接觸晶體或IC制造商的現(xiàn)場應(yīng)用工程師為進(jìn)一步援助,如果你的問題不能解決。

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在技術(shù)文獻(xiàn)及產(chǎn)品應(yīng)用上, 石英晶體共振子的共振有三組不同定義及特性的共振頻率.

(1) 串聯(lián)諧振頻率及并聯(lián)諧振頻率 ( fs , fp )

(series resonance frequency and parallel resonance frequency)

(2) 諧振頻率及反諧振頻率 ( fr , fa )

(resonance frequency and anti-resonance frequency)

(3) 最大電導(dǎo)頻率及最小電導(dǎo)頻率 ( fm , fn )

(maximum admittance frequency minimum admittance frequency).

這三組頻率的導(dǎo)納(admittance)圖, 可以從(圖九)復(fù)數(shù)坐標(biāo)清楚的看到

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Fig.9﹞ Complex Admittance of Resonators

串聯(lián)偕振頻率及并聯(lián)偕振頻率, fs and fp ,是分別由電導(dǎo)(real part of the admittance)最大和阻抗(real part of the electric input impedance)最大時(shí)的頻率.

諧振頻率及反諧振頻率, fr and fa , 分別是當(dāng)電導(dǎo)等于零(純電阻特性)的二個(gè)頻率. 在這個(gè)時(shí)候, fr 的阻抗為 1 / Rr 而fa 的阻抗為 1/ Ra.

在評(píng)估共振時(shí)的等效線路時(shí), 串聯(lián)諧振頻率及并聯(lián)諧振頻率, fs and fp , 是最重要的二個(gè)頻率參數(shù). 對(duì)于串聯(lián)諧振頻率及并聯(lián)諧振頻率( fs and fp )二者的關(guān)系, 我們可以用下列公式來表達(dá):

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