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Raltron晶振,貼片晶振,R2016晶振

頻率：20.000MHz~80.000MHz

尺寸：2.0*1.6*0.5mm

小型表面貼片晶振型,是標(biāo)準(zhǔn)的石英晶體諧振器,適用于寬溫范圍的電子數(shù)碼產(chǎn)品,家電電器及MP3,MP4,播放器,單片機(jī)等領(lǐng)域.可對應(yīng)20.000MHz以上的頻率,在電子數(shù)碼產(chǎn)品,以及家電相關(guān)電器領(lǐng)域里面發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.

訂購熱線：0755-27837162

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成立于邁阿密，在1983年，Raltron電子公司已經(jīng)發(fā)展成為其中之一公認(rèn)的經(jīng)驗(yàn)豐富的頻率管理產(chǎn)品制造商在世界各地。從簡單圓柱晶振到高穩(wěn)定性控制晶體振蕩器，Raltron提供最多全行業(yè)的頻率管理設(shè)備。Raltron通過全球獨(dú)立銷售網(wǎng)絡(luò)為全球客戶提供支持代表以及亞洲的幾個(gè)附屬辦事處，戰(zhàn)略地位于主要客戶附近和市場。該公司的產(chǎn)品由幾家大型全球經(jīng)銷商分銷目錄房屋以及區(qū)域經(jīng)銷商處理具體的市場。
Raltron自豪地為消費(fèi)電子市場提供晶體，調(diào)諧叉，時(shí)鐘振蕩器，鋸設(shè)備，陶瓷晶振，LTCC RF陶瓷產(chǎn)品和天線。該產(chǎn)品旨在滿足消費(fèi)者應(yīng)用的關(guān)鍵要求，如電池操作相關(guān)的低尺寸，小尺寸和低功耗。Raltron Electronics致力于為符合歐盟議會(huì)和2011年6月08日理事會(huì)2011/65 / EU指令的頻率管理設(shè)備提供限制在電氣和電子設(shè)備中使用某些有害物質(zhì)（RoHS指令）。Raltron晶振,貼片晶振,R2016晶振

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Raltron晶振,貼片晶振,R2016晶振.外觀完全使用金屬材料封裝的,產(chǎn)品本身采用全自動(dòng)石英晶體檢測儀,以及跌落,漏氣等苛刻實(shí)驗(yàn).產(chǎn)品本身具有高穩(wěn)定性,高可靠性的石英晶體諧振器,焊接方面支持表面貼裝,外觀采用金屬封裝,具有充分的密封性能,晶振本身能確保其高可靠性,采用編帶包裝,可對應(yīng)產(chǎn)品應(yīng)用到自動(dòng)貼片機(jī)告訴安裝,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
Raltron貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù)：貼片石英晶振是晶片通過滾筒倒邊，主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng)，在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動(dòng)方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理，有一項(xiàng)不完善都會(huì)使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除，而石英晶振晶片的諧振電阻過大，用在電路中Q值過小，從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)了不穩(wěn)定。低頻率小體積晶振,2016四腳石英晶振,R2016晶振

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Raltron晶振	單位	R2016晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	20.000MHz~80.000MHz	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-40°C~+85°C	裸存
工作溫度	T_use	-10°C~+60°C/-40°C~+85°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	100μW Max.	推薦:100μW
頻率公差	f_— l	±50×10-6 (標(biāo)準(zhǔn)), (±10×10-6~±50×10-6 可用)	+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.908tw.com/
頻率溫度特征	f_tem	±10~±50×10-6/-20°C~+70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	8pF~22pF	不同負(fù)載電容要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-10°C~+60°C, DL=100μW
頻率老化	f_age	±5×10-6/year Max.	+25°C,第一年

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R2016 2016

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抗沖擊
貼片晶振可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。低頻率小體積晶振,2016四腳石英晶振,R2016晶振
輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致石英晶體性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。Raltron晶振,貼片晶振,R2016晶振
化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解進(jìn)口晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致SMD晶振所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用無源晶振。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí)，請勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
過高的靜電可能會(huì)損壞石英晶體諧振器，請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候，請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路，并進(jìn)行接地操作。

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設(shè)計(jì)振蕩回路的注意事項(xiàng)
1.驅(qū)動(dòng)能力
驅(qū)動(dòng)能力說明2016貼片晶振所需電功率，其計(jì)算公式如下：
驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2?Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流，
Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。Raltron晶振,貼片晶振,R2016晶振

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2.振蕩補(bǔ)償
除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會(huì)增加小體積貼片晶振振蕩啟動(dòng)時(shí)間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。

3. 負(fù)載電容
如果2016小尺寸晶振振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。低頻率小體積晶振,2016四腳石英晶振,R2016晶振

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