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NDK晶振,石英晶振,NX2016SA晶振

頻率：20.000MHz~80.000MHz

尺寸：2.0*1.6*0.45mm

貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場領域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢,耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領域得到了廣泛的應用.

訂購熱線：0755-27837162

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NDK-1 日本電波工業(yè)株式會社作為晶體元器件的專業(yè)生產(chǎn)廠家，以“通過對客戶的服務，為社會繁榮和世界和平作出貢獻”的創(chuàng)業(yè)理念為基礎于1948年成立。創(chuàng)造利益，提升企業(yè)價值的同時，為了繼續(xù)提升企業(yè)的價值，我們認為維持經(jīng)營的透明性，確實盡到對各位股份持有者說明的責任這樣的公司治理的構筑必不可少，我們把其放在經(jīng)營最重要的課題之一的位置。進口金屬面2016mm石英晶振,SMD型高精度無源晶體,NX2016SA晶振

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NDK晶振,石英晶振,NX2016SA晶振,日本知名的晶體元器件生產(chǎn)廠家,主要生產(chǎn)小體積SMD型的金屬外殼石英晶振和陶瓷表面的壓電石英晶體,其中最多客戶使用的是NX2016SA晶振,因為這顆晶體的尺寸極小只有2.0*1.6mm,而且標準的精度是±15ppm,負載電容是8pF,性能優(yōu)越應用在任何智能科技產(chǎn)品上都可以發(fā)揮出優(yōu)良的電氣特性.

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NDK晶振	符號	NX2016SA晶振	基本信息對照表
Crystal標準頻率	f_nom	20.000MHz~80.000MHz
儲存溫度	T_stg	-40°C~+85°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C~+85°C	NDK晶振特定的溫度
激勵功率	DL	0.5μW (1.0μW Max.)	如你有最大激勵功率為1.0μW 需求,請聯(lián)系我們金洛鑫電子
精度	f_— l	±15ppm	如有需要更高的精度可以特定.
拐點溫度	Ti	+25°C ±5°C
負載電容	CL	8pF	可按客戶需求指定
串聯(lián)電阻（ESR）	R1	70kΩ Max.	70kΩ — 45kΩ
頻率老化	f_age	±3 ×10-6 / year Max.	+25°C, 第一年

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NX2016SA

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操作
請勿用鑷子或任何堅硬的工具，夾具直接接觸IC的表面。NDK晶振,石英晶振,NX2016SA晶振
使用環(huán)境（溫度和濕度）
請在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)使用耐高溫晶振。這個溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下，會由于凝露引起故障。請避免凝露的產(chǎn)生。
激勵功率
在晶體單元上施加過多驅動力，會導致石英晶振特性受到損害或破壞。電路設計必須能夠維持適當?shù)募罟β?（請參閱“激勵功率”章節(jié)內(nèi)容）。
負極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負極電阻，否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加（請參閱“關于振蕩”章節(jié)內(nèi)容）。
負載電容
振蕩電路中負載電容的不同，可能導致石英晶體諧振器振蕩頻率與設計頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過強力調整，可能只會導致不正常的振蕩。在使用之前，請指明該振動電路的負載電容（請參閱“負載電容”章節(jié)內(nèi)容）。進口金屬面2016mm石英晶振,SMD型高精度無源晶體,NX2016SA晶振

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振蕩電路的檢查方法
振蕩頻率測量必須盡可能地測量安裝在電路上的諧振器的振蕩頻率的真實值，使用正確的方法。在振蕩頻率的測量中，通常使用探頭和頻率計數(shù)器。然而,我們的目標是通過限制測量工具對振蕩電路本身的影響來測量。NDK晶振,石英晶振,NX2016SA晶振
有三種頻率測量模式，如下面的圖所示（圖）。2, 3和4）。最精確的測量方法是通過使用任何能夠精確測量的頻譜分析儀來實現(xiàn)的。
接觸振蕩電路。
探針不影響圖2，因為緩沖器的輸出是通過輸入振蕩電路的輸出來測量的。
逆變器進入下一階段。
探針不影響圖3，因為在IC上測量緩沖器輸出（1/1、1/2等）。
圖4示出了來自ic的無緩沖器輸出接收的情況，由此通過小尺寸測量來最小化探針的效果。
輸出點之間的電容（3 pF以下XTAL終端IC）和探針。
然而，應該注意到，使用這種方法輸出波形較小，測量不能依賴于
即使示波器能檢查振蕩波形，頻率計數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下，使用放大器來測量。進口金屬面2016mm石英晶振,SMD型高精度無源晶體,NX2016SA晶振