Golledge晶振,貼片晶振,GSX49-3晶振,石英晶體諧振器
頻率:3.180~90MHZ
尺寸:11.4*4.7mm
Golledge是英國(guó)發(fā)展最快的頻率產(chǎn)品供應(yīng)商。我們?cè)诟?jìng)爭(zhēng)激烈的市場(chǎng)上繼續(xù)成功是對(duì)我們的產(chǎn)品質(zhì)量和出色的服務(wù)的敬意。電子技術(shù)和技術(shù)相關(guān)產(chǎn)業(yè)正在迅速發(fā)展。隨著技術(shù)進(jìn)步和商業(yè)世界的發(fā)展,golledge擁有支持我們客戶需求的歐美晶振資源和靈活性。我們的理念是以產(chǎn)品和服務(wù)的質(zhì)量和一致性為基礎(chǔ)的。我們致力于為業(yè)界提供最高的服務(wù)質(zhì)量。我們的持續(xù)增長(zhǎng)和極高的客戶保留水平是這一承諾的證據(jù)。總部位于西英格蘭心臟地帶的一個(gè)美麗的轉(zhuǎn)換農(nóng)場(chǎng)建筑的收集,golledge向全世界50多個(gè)國(guó)家的出口,占收入的60%以上。
晶體全自動(dòng)晶片清洗技術(shù):石英晶振生產(chǎn)工序主要有晶片清洗、被銀、上架電膠、微調(diào)、封焊、撿漏、印字、老化、測(cè)試,進(jìn)口石英晶振晶片清洗:清除石英晶振晶片表面的污物、油物,以保證被銀電極。被復(fù)良好牢固。清洗間有很多化學(xué)試劑,酒精、異丙醇、硫酸、硝酸、清洗液同時(shí)還有電爐烤箱,在晶振生產(chǎn)過(guò)程中應(yīng)注意人身安全和設(shè)備安全。被銀:用真空鍍膜原理在潔凈的石英晶振晶片上蒸鍍薄銀層,形成引出電極,并使其頻率達(dá)到一定范圍 。采用蒸鍍微調(diào): 被銀片頻率應(yīng)滿足 f 0 +(50 至 1000ppm)的要求,采用離子微調(diào):離子微調(diào)被銀片頻率應(yīng)滿足 f 0 -(50 至 1200ppm)。龜殼型假貼片晶振,二腳49SMD諧振器,GSX49-3晶振
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Golledge晶振 |
單位 |
GSX49-3晶振 |
石英晶振基本條件 |
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標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
3.180~90MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
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儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-40°C ~ +90°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-10°C ~ +85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
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激勵(lì)功率 |
DL |
100μW Max. |
推薦:100μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±20,±30,±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)) |
+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±30,±50,±100 × 10-6/-20°C ~+70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
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負(fù)載電容 |
CL |
7pF |
不同負(fù)載要求,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
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串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±3× 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
操作:請(qǐng)勿用鑷子或任何堅(jiān)硬的工具,夾具直接接觸IC的表面。11.使用環(huán)境(溫度和濕度)請(qǐng)?jiān)谝?guī)定的溫度范圍內(nèi)使用石英晶振。這個(gè)溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下,會(huì)由于凝露引起故障。請(qǐng)避免凝露的產(chǎn)生。SMD進(jìn)口晶振/石英晶體諧振器,激勵(lì)功率:在晶振上施加過(guò)多驅(qū)動(dòng)力,會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品特性受到損害或破壞。電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率 。負(fù)極電阻:除非石英晶體振蕩器回路中分配足夠多的負(fù)極電阻,否則振蕩或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會(huì)增加.
關(guān)于機(jī)械性沖擊(1) 從設(shè)計(jì)角度而言,即使金屬石英晶振從高度75cm處落到硬質(zhì)木板上三次,按照設(shè)計(jì)不會(huì)發(fā)生什么問(wèn)題,但因落下時(shí)的不同條件而異,有可能導(dǎo)致石英芯片的破損。在使之落下或?qū)λ┘記_擊之時(shí),在使用之前,建議確認(rèn)一下振蕩檢查等的條件。(2) SMD石英晶振與電阻以及電容器的芯片產(chǎn)品不同,由于在內(nèi)部對(duì)石英晶振晶片進(jìn)行了密封保護(hù),因此關(guān)于在自動(dòng)安裝時(shí)由于沖擊而導(dǎo)致的影響,請(qǐng)?jiān)谑褂弥?,懇?qǐng)貴公司另外進(jìn)行確認(rèn)工作。(3) 請(qǐng)盡量避免將本公司的音叉型晶振與機(jī)械性振動(dòng)源(包括超聲波振動(dòng)源)安裝到同一塊基板上,不得已要安裝到同一塊基板上時(shí),請(qǐng)確保晶振能正常工作。龜殼型假貼片晶振,二腳49SMD諧振器,GSX49-3晶振
振蕩頻率測(cè)量:必須盡可能地測(cè)量安裝在電路上的49SMD石英晶體的振蕩頻率的真實(shí)值,使用正確的方法。在振蕩頻率的測(cè)量中,通常使用探頭和頻率計(jì)數(shù)器。然而,我們的目標(biāo)是通過(guò)限制測(cè)量工具對(duì)振蕩電路本身的影響來(lái)測(cè)量。有三種頻率測(cè)量模式,如下面的圖所示(圖)。2, 3和4)。最精確的測(cè)量方法是通過(guò)使用任何能夠精確測(cè)量的頻譜分析儀來(lái)實(shí)現(xiàn)的。Golledge晶振,貼片晶振,GSX49-3晶振,石英晶體諧振器
接觸振蕩電路:探針不影響圖2,因?yàn)榫彌_器的輸出是通過(guò)貼片石英晶振輸入振蕩電路的輸出來(lái)測(cè)量的。逆變器進(jìn)入下一階段。探針不影響圖3,因?yàn)樵贗C上測(cè)量緩沖器輸出(1/1、1/2等)。圖4示出了來(lái)自ic的無(wú)緩沖器輸出接收的情況,由此通過(guò)小尺寸測(cè)量來(lái)最小化探針的效果。輸出點(diǎn)之間的電容(3 pF以下XTAL終端IC)和探針。然而,應(yīng)該注意到,使用這種方法輸出波形較小,測(cè)量不能依賴于即使示波器能檢查振蕩波形,頻率計(jì)數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下,使用放大器來(lái)測(cè)量。
負(fù)載電容:如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致低殼49SMD晶振振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。其中CS表示電路的雜散電容。
測(cè)試條件:(1)電源電壓:超過(guò) 150µs,直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。
鉛探頭應(yīng)盡可能短。測(cè)量頻率時(shí),探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過(guò)石英貼片晶振振蕩器的放大器時(shí),可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽,以觀察波形。(請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線).
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