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Raltron晶振,貼片晶振,ASA-SMD晶振,石英晶振

頻率：3~80MHZ

尺寸：13.5*4.8mm

普通貼片石英晶振外觀使用金屬材料封裝的,具有高穩(wěn)定性,高可靠性的石英晶體諧振器,晶振外觀本身使用金屬封裝,充分的密封性能,可確保其高可靠性,采用編帶包裝,外包裝采用朔膠盤(pán),可在自動(dòng)貼片機(jī)上對(duì)應(yīng)自動(dòng)貼裝等優(yōu)勢(shì).

訂購(gòu)熱線(xiàn)：0755-27837162

成立于邁阿密，在1983年，Raltron電子公司已經(jīng)發(fā)展成為其中之一公認(rèn)的石英晶振經(jīng)驗(yàn)豐富的頻率管理產(chǎn)品制造商在世界各地。從簡(jiǎn)單音叉晶體到高穩(wěn)定性控制晶體振蕩器，Raltron提供最多全行業(yè)的頻率管理設(shè)備。公司對(duì)研發(fā)的承諾使得不斷創(chuàng)造領(lǐng)先邊緣晶體和振蕩器器件和技術(shù)多年。今天，拉爾特龍?zhí)峁└咝阅茴l率控制解決方案滿(mǎn)足和超越客戶(hù)的期望價(jià)格，質(zhì)量，應(yīng)用工程和客戶(hù)支持。大體積橢圓型SMD晶振,金屬面假貼片49SMD晶體,ASA-SMD晶振
Raltron通過(guò)全球獨(dú)立銷(xiāo)售網(wǎng)絡(luò)為全球客戶(hù)提供支持代表以及亞洲的幾個(gè)附屬辦事處，戰(zhàn)略地位于主要客戶(hù)附近和市場(chǎng)。該公司的產(chǎn)品由幾家大型全球經(jīng)銷(xiāo)商分銷(xiāo)目錄房屋以及區(qū)域經(jīng)銷(xiāo)商處理具體的市場(chǎng).為了滿(mǎn)足快速增長(zhǎng)的無(wú)線(xiàn)應(yīng)用市場(chǎng)的需求，Raltron也將其定位作為一個(gè)完整的解決方案供應(yīng)商，在其SMD晶體和振蕩器中添加SAW器件和LTCC濾波器發(fā)行。該公司還為同一市場(chǎng)開(kāi)發(fā)了完整的天線(xiàn)產(chǎn)品系列。

Raltron晶振,貼片晶振,ASA-SMD晶振,石英晶振,普通石英晶振,外觀完全使用金屬材料封裝的,產(chǎn)品本身采用全自動(dòng)石英晶體檢測(cè)儀,以及跌落,漏氣等苛刻實(shí)驗(yàn).產(chǎn)品本身具有高穩(wěn)定性,高可靠性的石英晶體諧振器,焊接方面支持表面貼裝,外觀采用金屬封裝,具有充分的密封性能,晶振本身能確保其高可靠性,采用編帶包裝,可對(duì)應(yīng)產(chǎn)品應(yīng)用到自動(dòng)貼片機(jī)告訴安裝,滿(mǎn)足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線(xiàn)要求.
晶振的真空封裝技術(shù)：是指石英晶體諧振器在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝。1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生；2.使晶振組件在真空下電阻減??；3.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振在選用晶片時(shí)應(yīng)注意溫度范圍、晶振溫度范圍內(nèi)的頻差要求，貼片晶振溫度范圍寬時(shí)(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄溫(-10℃-70℃)切割角度應(yīng)略高。對(duì)于晶振的條片，長(zhǎng)邊為 X 軸，短邊為 Z 軸，面為 Y 軸。大體積橢圓型SMD晶振,金屬面假貼片49SMD晶體,ASA-SMD晶振

Raltron晶振	單位	ASA-SMD晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	3.000MHz~80.000MHz	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-55°C~+125°C	裸存
工作溫度	T_use	-20°C~+105°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	100~500μW Max.	推薦:100~500μW
頻率公差	f_— l	±50×10-6 (標(biāo)準(zhǔn)), (±10×10-6~±50×10-6 可用)	+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.908tw.com/
頻率溫度特征	f_tem	±10~±50×10-6/-20°C~+70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	8pF~32pF	不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-10°C~+60°C, DL=100μW
頻率老化	f_age	±5×10-6/year Max.	+25°C,第一年

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無(wú)源晶振產(chǎn)品使用每種產(chǎn)品時(shí),請(qǐng)?jiān)谑⒕д褚?guī)格說(shuō)明或產(chǎn)品目錄規(guī)定使用條件下使用。因很多種晶振產(chǎn)品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事項(xiàng)也有所不同,比如焊接模式,運(yùn)輸模式,保存模式等等,都會(huì)有所差別。所有產(chǎn)品的共同點(diǎn),Raltron晶振,貼片晶振,ASA-SMD晶振,石英晶振
1：抗沖擊:抗沖擊是指貼片封裝晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用。因?yàn)闊o(wú)論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響。 2：輻射:將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽(yáng)光長(zhǎng)時(shí)間的照射。 3：化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境:請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
4：粘合劑:請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致進(jìn)口石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。） 5：鹵化合物:請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹(shù)脂。6：靜電:過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞貼片晶振,請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作。大體積橢圓型SMD晶振,金屬面假貼片49SMD晶體,ASA-SMD晶振

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驅(qū)動(dòng)能力:驅(qū)動(dòng)能力說(shuō)明49/S晶體諧振器振蕩晶體單元所需電功率，其計(jì)算公式如下：驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2?Re其中i表示經(jīng)過(guò)晶體單元的電流，Re表示晶體單元的有效電阻，而且Re=R1（1+Co/CL）.Raltron晶振,貼片晶振,ASA-SMD晶振,石英晶振

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測(cè)試條件(1)電源電壓:超過(guò) 150µs，直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測(cè)量頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過(guò)進(jìn)口貼片晶振振蕩器的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線(xiàn)）.

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振蕩頻率測(cè)量:必須盡可能地測(cè)量安裝在49S貼片晶振電路上的諧振器的振蕩頻率的真實(shí)值，使用正確的方法。在振蕩頻率的測(cè)量中，通常使用探頭和頻率計(jì)數(shù)器。然而,我們的目標(biāo)是通過(guò)限制測(cè)量工具對(duì)振蕩電路本身的影響來(lái)測(cè)量。有三種頻率測(cè)量模式，如下面的圖所示（圖）。2, 3和4）。最精確的測(cè)量方法是通過(guò)使用任何能夠精確測(cè)量的頻譜分析儀來(lái)實(shí)現(xiàn)的。
接觸振蕩電路:探針不影響圖2，因?yàn)榫彌_器的輸出是通過(guò)49SMD晶振輸入振蕩電路的輸出來(lái)測(cè)量的逆變器進(jìn)入下一階段。探針不影響圖3，因?yàn)樵贗C上測(cè)量緩沖器輸出（1/1、1/2等）。圖4示出了來(lái)自ic的無(wú)緩沖器輸出接收的情況，由此通過(guò)小尺寸測(cè)量來(lái)最小化探針的效果。輸出點(diǎn)之間的電容（3 pF以下XTAL終端IC）和探針。然而，應(yīng)該注意到，使用這種方法輸出波形較小，測(cè)量不能依賴(lài)于即使示波器能檢查振蕩波形，頻率計(jì)數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下，使用放大器來(lái)測(cè)量。

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