百利通亞陶晶振,貼片晶振,FWQ晶振
頻率:16.000MHz~66.000MHz
尺寸:2.0*1.6*0.45mm
百利通亞陶晶振公司產(chǎn)品聚焦于高成長終端用戶設(shè)備市場(chǎng),例如電視/衛(wèi)星機(jī)頂盒、可攜式 DVD 播放器、數(shù)據(jù)通訊設(shè)備、ADSL 調(diào)制解調(diào)器、電源供應(yīng)器、醫(yī)療裝置 (非維生裝置/系統(tǒng))、個(gè)人計(jì)算機(jī)與筆記本電腦、平面顯示器、數(shù)字相機(jī)、手機(jī)、AC-DC 與 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、無線 802.11 LAN 存取點(diǎn)、無刷直流馬達(dá)風(fēng)扇、序列連接及汽車應(yīng)用。
百利通亞陶晶振集團(tuán)消除事故和環(huán)境方面的偶發(fā)事件,減少石英晶體諧振器、普通有源晶振(SPXO)材料廢物的產(chǎn)生和排放,有效的使用能源和各種自然資源,對(duì)緊急事件做好充分準(zhǔn)備,以便及時(shí)做出反應(yīng).百利通亞陶晶振重視污染預(yù)防,消除偏離程序的行為強(qiáng)調(diào)通過員工努力這一最可行的方法持續(xù)改進(jìn)我們經(jīng)營活動(dòng)的環(huán)境績效. 百利通亞陶晶振,貼片晶振,FWQ晶振
百利通亞陶晶振,貼片晶振,FWQ晶振.產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動(dòng)通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺(tái)基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類移動(dòng)通信的基準(zhǔn)時(shí)鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動(dòng)通信領(lǐng)域,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
亞陶晶振高精密點(diǎn)膠技術(shù):石英晶振晶片膠點(diǎn)的位置、大小:位置準(zhǔn)確度以及膠點(diǎn)大小一致性,通過圖像識(shí)別及高精密度數(shù)字定位系統(tǒng)的運(yùn)用、使無源晶振晶片的點(diǎn)膠的精度在±0.02mm之內(nèi)。將被上銀電極的晶片裝在彈簧支架上,點(diǎn)上導(dǎo)電膠,并高溫固化,通過彈簧即可引出電信號(hào)。2016超小型無源晶振,四腳石英貼片晶振,FWQ晶振
|
亞陶晶振 |
單位 |
FWQ晶振 |
石英晶振基本條件 |
|
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
16.000MHz~66.000MHz |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
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儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-55°C ~+125°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-20°C~+70°C/-40°C~+85°C -40°C~+105°C/-40°C~+125°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
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激勵(lì)功率 |
DL |
10/100μW Max. |
推薦:10μW~100μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±10×10-6 (標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±10~±100× 10-6/-40°C ~+85°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
|
負(fù)載電容 |
CL |
7pF~32pF |
不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
|
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C ~ +85°C, DL = 100μW |
|
頻率老化 |
f_age |
±3× 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
如果過大的激勵(lì)電力對(duì)石英晶體諧振器外加電壓,有可能導(dǎo)致特性老化或損壞,因此請(qǐng)?jiān)谛麄鲀?cè)、規(guī)格書中規(guī)定的范圍內(nèi)使用。讓貼片石英晶振振蕩的電路寬裕度大致為負(fù)性阻抗值。本公司推薦此負(fù)性阻抗為諧振器串聯(lián)電阻規(guī)格值的5倍以上,若是車載和安全設(shè)備,則推薦10倍 以上。
<晶體振蕩器>
晶體振蕩器的內(nèi)部電路使用C-MOS。閉鎖、靜電對(duì)策請(qǐng)和一般的C-MOS IC一樣考慮。有些進(jìn)口晶體振蕩器沒有和旁路電容器進(jìn)行內(nèi)部連接。使用時(shí),請(qǐng)?jiān)赩dd-GND之間用0.01μF左右的高頻特性較好的電容器(陶瓷片狀電容器等)以 最短距離連接。關(guān)于個(gè)別機(jī)型請(qǐng)確認(rèn)宣傳冊(cè)、規(guī)格書。2016超小型無源晶振,四腳石英貼片晶振,FWQ晶振
<晶體濾波器>
注意電路板圖形的配置,避免輸入端子和輸出端子靠得太近。如果貼裝晶體濾光片的電路板的雜散電容較大,為了消除該雜散電容,有時(shí)需要配置調(diào)諧電路。如果過大的激勵(lì)電力對(duì)聲表面諧振器外加電壓,有可能導(dǎo)致特性老化或損壞,因此請(qǐng)?jiān)跒V波器的輸入電平在−10dBm以下的狀態(tài)下使用。
<光學(xué)產(chǎn)品>
由于制造過程中進(jìn)行了灰塵等異物管理,因此包裝開封以后,請(qǐng)?jiān)谶M(jìn)行清潔度管理的環(huán)境中使用。百利通亞陶晶振,貼片晶振,FWQ晶振
設(shè)計(jì)振蕩回路的注意事項(xiàng)
1.驅(qū)動(dòng)能力
驅(qū)動(dòng)能力說明2.0x1.6mm貼片晶振所需電功率,其計(jì)算公式如下:
驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2_Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。百利通亞陶晶振,貼片晶振,FWQ晶振
2.振蕩補(bǔ)償
除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻,否則會(huì)增加壓電石英晶體振蕩啟動(dòng)時(shí)間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。
3.負(fù)載電容
如果2016mm晶體諧振器振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。2016超小型無源晶振,四腳石英貼片晶振,FWQ晶振
頻率和負(fù)載電容特征圖器
振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考
公司名:深圳市金洛鑫電子有限公司
聯(lián)系人:茹紅青
手機(jī):13510569637
電話:0755-27837162
QQ號(hào):657116624
微信公眾號(hào):CITIZENCRYSTAL
搜狐公眾號(hào):晶振石英晶振NDK晶振
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地址:深圳市寶安區(qū)41區(qū)甲岸路19號(hào)
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JLX-PD
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