IDT在德國(guó)的全資子公司- IDT歐洲有限公司(前身為ZMD AG)運(yùn)營(yíng)其卓越的汽車(chē)中心。本公司卓越的子公司/中心是ts - 16949,根據(jù)iso26262的標(biāo)準(zhǔn),支持功能性安全要求。了解更多關(guān)于IDT的汽車(chē)質(zhì)量。IDT晶振的創(chuàng)新時(shí)機(jī)、互連、PMIC和無(wú)線電力解決方案使客戶能夠開(kāi)發(fā)具有創(chuàng)新功能、改進(jìn)性能和延長(zhǎng)電池壽命的移動(dòng)和個(gè)人電子產(chǎn)品。
IDT開(kāi)發(fā)了與數(shù)字系統(tǒng)相結(jié)合的半導(dǎo)體解決方案,例如處理器和內(nèi)存,彼此之間,以及物理世界。在IDT,我們認(rèn)為作為一個(gè)行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者,我們?cè)诮鉀Q我們星球上一些最偉大的社會(huì)和環(huán)境挑戰(zhàn)方面發(fā)揮了關(guān)鍵作用。IDT的傳感器信號(hào)調(diào)節(jié)器適用于各種汽車(chē)應(yīng)用,包括電力轉(zhuǎn)向、排放控制、可變閥門(mén)定時(shí)、液位測(cè)量、航向通風(fēng)和空調(diào)(HVAC)。
IDT晶振,OSC振蕩器,XL晶振.是屬于晶體的起振需要用到外部電壓供應(yīng)的一種石英晶體振蕩器,但7050有源晶振電壓達(dá)到2.5V就能起振,最高不超過(guò)3.3V,因其的低功耗電流的功能特性,并且在惡劣的環(huán)境下,或者高溫達(dá)到75度,低溫至零下40度,都能保持穩(wěn)定的起振作用。
有源晶振頻率越高一般價(jià)格越高。但頻率越高,頻差越大,從綜合角度考慮,一般工程師會(huì)選用頻率低但穩(wěn)定的晶振,自己做倍頻電路??傊⒕д袷歉鶕?jù)需要去選擇合適的頻率,并不是晶振頻率越大就越好。要看具體需求。
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IDT晶振 |
標(biāo)示 |
XL晶振 |
晶振基本信息對(duì)照表 |
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標(biāo)準(zhǔn)范圍 |
f0 |
0.750MHz~1350MHz |
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電源電圧 |
Vcc |
+2.5V、+3.3V |
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輸出電流 |
Icc |
3.5 mA max. |
Vcc=3.3V |
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頻率負(fù)載 |
L_CMOS |
15pF |
CMOS出力 |
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標(biāo)準(zhǔn)頻率偏差 |
f_tol |
±25、±50、±100×10-6 max.
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初期偏差、 |
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輸出電壓 |
V |
VOH:Vcc×90% min.VOL:Vcc×10% max. |
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對(duì)稱(chēng) |
SYM |
40%~60% |
50% Vcc |
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標(biāo)準(zhǔn)時(shí)間 |
tr/tf |
12 ns max.(1.8~80MHz) |
10%Vcc~90%、L_CMOS=15pF |
清洗
關(guān)于一般清洗液的使用以及超聲波清洗沒(méi)有問(wèn)題,但這僅僅是對(duì)單個(gè)普通有源晶振產(chǎn)品進(jìn)行試驗(yàn)所得的結(jié)果,因此請(qǐng)根據(jù)實(shí)際使用狀態(tài)進(jìn)行確認(rèn)。
由于音叉型晶體諧振器的頻率范圍和超聲波清洗機(jī)的清洗頻率很近,容易受到共振破壞,因此請(qǐng)盡可能避免超聲波清洗。
若要進(jìn)行超聲波清洗,必須事先根據(jù)實(shí)際使用狀態(tài)進(jìn)行確認(rèn)。
撞擊
雖然進(jìn)口有源晶振產(chǎn)品在設(shè)計(jì)階段已經(jīng)考慮到其耐撞擊性,但如果掉到地板上或者受到過(guò)度的撞擊,以防萬(wàn)一還是要檢查特性后再使用。
裝載
<SMD產(chǎn)品>
SMD晶體產(chǎn)品支持自動(dòng)貼裝,但還是請(qǐng)預(yù)先基于所使用的搭載機(jī)實(shí)施搭載測(cè)試,確認(rèn)其對(duì)特性沒(méi)有影響。 在切斷工序等會(huì)導(dǎo)致基板發(fā)生翹曲的工序中,請(qǐng)注意避免翹曲影響到產(chǎn)品的特性以及軟焊。 基于超聲波焊接的貼裝以及加工會(huì)使得SPXO振蕩器產(chǎn)品(諧振器、振蕩器、濾波器)內(nèi)部傳播過(guò)大的振動(dòng),有可能導(dǎo)致特性老化以及引起不振蕩,因此不推薦使 用。
<引線類(lèi)型產(chǎn)品>
當(dāng)引線彎折、成型以及貼裝到印制電路板時(shí),請(qǐng)注意避免對(duì)基座玻璃部分施加壓力。否則有可能導(dǎo)致玻璃出現(xiàn)裂痕,從而引起性能劣化。IDT晶振,OSC振蕩器,XL晶振
保管
保管在高溫多濕的場(chǎng)所可能會(huì)導(dǎo)致端子軟焊性的老化。
請(qǐng)?jiān)跊](méi)有直射陽(yáng)光,不發(fā)生結(jié)露的場(chǎng)所保管。
輸出波形與測(cè)試電路
1.時(shí)序表
2.測(cè)試條件
(1)電源電壓
超過(guò) 150µs,直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。
電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。IDT晶振,OSC振蕩器,XL晶振
(2)其他
輸入電容低于 15 pF
5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。
鉛探頭應(yīng)盡可能短。
測(cè)量頻率時(shí),探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過(guò)振蕩器的放大器時(shí),可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。
(3)其他
CL包含探頭電容。
應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。
使用微型插槽,以觀察波形。
(請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線。)
3.測(cè)試電路



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