Pletronics晶振公司成立于1979年，有30多年的工程和制造經(jīng)驗(yàn)，一流質(zhì)量的聲譽(yù)——一流的oem和CEMs供應(yīng)商的首選供應(yīng)商。我們的目標(biāo)是通過提供盡可能高的價格和價值來滿足客戶的需求，從而滿足我們客戶的需求。Pletronics已經(jīng)投資了石英晶體技術(shù)，為那些需要頻率控制設(shè)備的人提供最新的高容量產(chǎn)品。多創(chuàng)力已成立合資企業(yè)及子公司，提供最高頻率、高質(zhì)量的零部件。
Pletronics晶振根據(jù)需要,提高環(huán)境技術(shù)、材料和壓電石英晶體元器件、晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器,壓電石英晶體、有源晶體產(chǎn)品的發(fā)展信息及環(huán)境管理活動的公開性.減少污染物排放,對不可再生的資源進(jìn)行有效利用.減少廢物的產(chǎn)生,對其排放的責(zé)任進(jìn)行有效管理,有效地使用能源.

Pletronics晶振,HCSL時鐘振蕩器,HC55D晶振.5.0*3.2mm貼片式有源晶體,HCSL輸出方式,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動安裝和高溫回流焊設(shè)計,Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓參數(shù)：2.5V,高穩(wěn)定性,低抖動,低功耗,RoHS/無鉛.
Pletronics晶振根據(jù)需要采用不同輸出。（HCMOS，SINE，TTL，PECL，LVPECL，LVDS，LVHCMOS等）每種輸出類型都有它的獨(dú)特波形特性和用途。應(yīng)該關(guān)注三態(tài)或互補(bǔ)輸出的要求。對稱性、上升和下降時間以及邏輯電平對某些應(yīng)用來說也要作出規(guī)定，根據(jù)客戶需要我們可以幫助客戶選擇合適的晶振類型型。

機(jī)械振動的影響
當(dāng)晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動時，比如：壓電揚(yáng)聲器，壓電蜂鳴器，以及喇叭等，輸出頻率和幅度會受到影響。這種現(xiàn)象對通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管晶體產(chǎn)品設(shè)計可最小化這種機(jī)械振動的影響，我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。Pletronics晶振,HCSL時鐘振蕩器,HC55D晶振
PCB設(shè)計指導(dǎo)
(1)理想情況下，機(jī)械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個獨(dú)立于音叉晶體器件的PCB板上。如果您安裝在同一個PCB板上，最好使用余量或切割PCB。當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時，機(jī)械振動程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。
(2)在設(shè)計時請參考相應(yīng)的推薦封裝。
(3)在使用焊料助焊劑時，按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來使用。
(4)請按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來使用無鉛焊料。
存儲事項(xiàng)
(1)在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時間保存進(jìn)口貼片晶振產(chǎn)品時，會影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品，并在開封后盡可能進(jìn)行安裝，以免長期儲藏。
正常溫度和濕度：
溫度：+15°C 至 +35°C，濕度 25 % RH 至 85 % RH（請參閱“測試點(diǎn)JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容）。
(2)請仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會導(dǎo)致卷帶受到損壞。

設(shè)計振蕩回路的注意事項(xiàng)
1.驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明振蕩晶體單元所需電功率，其計算公式如下：
驅(qū)動能力 (P) = i2?Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流，
Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。Pletronics晶振,HCSL時鐘振蕩器,HC55D晶振

2.振蕩補(bǔ)償
除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會增加振蕩啟動時間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請?jiān)陔娐吩O(shè)計時提供足夠的負(fù)極電阻。

3.負(fù)載電容
如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。

頻率和負(fù)載電容特征圖器

振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考