瑪居禮晶振,X21-24.000-12-10/10Y/30R,2016貼片晶振,6G通信晶振,臺(tái)灣瑪居禮晶振,X21進(jìn)口晶振,無源晶振,X21-24.000-12-10/10Y/30R晶振,2016貼片晶振,超小型晶振,頻率24MHz,負(fù)載12pf,工作溫度-20~70°C,頻率穩(wěn)定性10ppm,抗振動(dòng)晶振,高穩(wěn)定性晶振,6G通信晶振,通訊設(shè)備晶振,便攜式設(shè)備晶振,微處理器晶振.
瑪居禮晶振,X21-24.000-12-10/10Y/30R,2016貼片晶振,6G通信晶振特點(diǎn) :
●整個(gè)封裝可以通過頂部金屬蓋和兩個(gè)底部焊盤接地
●占地面積小，非常適合空間受限的應(yīng)用
●表現(xiàn)出極低的老化性，具有高抗沖擊和振動(dòng)性
瑪居禮晶振,X21-24.000-12-10/10Y/30R,2016貼片晶振,6G通信晶振參數(shù)
| 項(xiàng)目 | 符號(hào) | X21 |
| 頻率 | f0 | 24MHz |
| 頻率公差 | △f/f0 | ±10ppm |
| 負(fù)載電容 | CL | 12pf |
| 工作溫度 | TOPR | －20℃～＋70℃ |
| 保存溫度 | TSTR | －50℃～＋105℃ |
| 串聯(lián)阻力 | R1 | 100Ω Max. |
| 驅(qū)動(dòng)級(jí)別 | DL | 100μW Max |
| 老化 | f_aging |
±3ppm/year |
瑪居禮晶振,X21-24.000-12-10/10Y/30R,2016貼片晶振,6G通信晶振尺寸圖
KDS晶振,貼片晶振,DST1610AL晶振
ABM10-24.576MHZ-D30-T3,2520小型化晶振,艾博康電子晶振
Q25.0-JXS53-12-50/50-T1,5032無源貼片晶振,傳感器應(yīng)用晶振
STDMUA8-32.768K,NX3215SA晶振,日產(chǎn)NDK音叉晶振
SIT1602BI-71-18E-33.333000E,SiTime有源晶振,2016黑色面陶瓷晶振
ABM12N-32.0000MHZ-10-D1X-T3,1612無源晶振,ABRACON晶振
Q22FA12800135,FA-128智能手機(jī)晶振,EPSON進(jìn)口晶振
ECS-196.6-12-33Q-JEN-TR,ECX-33Q貼片晶振,ECS伊西斯晶振
ECS-080-20-4X-DU,HC-49USX耐高溫晶振,ECS無源插件晶振