村田晶振制作所基于高尚的企業(yè)道德,遵循其經(jīng)營理念,以繼續(xù)成為受社會信賴的公司為目標,承諾遵守法律和法規(guī),實施高度透明的管理、尊重人權(quán)、維護健康與安全、為社會發(fā)展和環(huán)境保護做出貢獻.2009年度,根據(jù)環(huán)境管理體系中的規(guī)定,村田晶振集團在其日本國內(nèi)的所有事業(yè)所和海外的所有生產(chǎn)基地中,建立了村田晶振,石英晶體,陶瓷諧振器,村田振蕩子綠色經(jīng)營活動的框架,通過共享與綠色經(jīng)營有關(guān)的信息,致力于開展有效的和實際效果大的環(huán)?;顒?并強化企業(yè)的管治能力.
村田晶振從設(shè)計階段開始減少環(huán)保負荷的體制建設(shè),村田晶振由環(huán)保主管董事?lián)握麄€集團的環(huán)?;顒拥目傌撠?zé)人,由環(huán)保部跨事業(yè)所支持和促進環(huán)?;顒?此外,社長的咨詢機構(gòu)—環(huán)保委員會,還針對各村田晶振,陶瓷諧振器,村田陶瓷晶振,陶瓷振蕩子,村田石英晶振據(jù)點的活動情況和全公司的環(huán)保課題進行議論和探討.此外,為大力推進二氧化碳減排活動,設(shè)立了“防止全球變暖委員會”,加快設(shè)計、開發(fā)和生產(chǎn)過程中CO2減排活動的步伐.2010年3月完成了對日本村田晶振在國內(nèi)全部事業(yè)所和海外全部陶瓷晶振,陶瓷諧振器,村田陶瓷振蕩子生產(chǎn)據(jù)點的環(huán)保管理系統(tǒng)整合.通過所構(gòu)建的國際化環(huán)保管理系統(tǒng),進一步強化了村田晶振集團的管制,能夠推進更加有效且具有更高實效性的環(huán)?;顒?而且,以往我們都以各事業(yè)所為單位進行PDCA循環(huán),從2012年起,我們把多家事業(yè)所作為一個管理單位,不斷推動著PDCA循環(huán)的衛(wèi)星化.
村田晶振,TSS-3225J晶振,XRCJK12M000F1QB4P0晶振,3225mm體積貼片晶振適用于汽車電子領(lǐng)域的表面貼片型石英晶振,本產(chǎn)品已被確定的高信賴性最適合用于汽車電子部件,晶體在極端嚴酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,晶振本身具有耐熱,耐振,耐沖擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標準.
進口石英晶振晶片邊緣處理技術(shù):貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實際操作中機器運動方式設(shè)計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設(shè)計必須合理,有一項不完善都會使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動或振動了不穩(wěn)定。石英晶振高精度晶片的拋光技術(shù):貼片晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù),最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值。從而達到一般研磨所達不到的產(chǎn)品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作。使用先進的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態(tài)。
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TXC晶振 |
單位 |
TSS-3225J晶振 |
石英晶振基本條件 |
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標準頻率 |
f_nom |
12MHZ |
標準頻率 |
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工作溫度 |
T_use |
-30°C~+85°C |
標準溫度 |
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激勵功率 |
DL |
100μW Max. |
推薦:100μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±10×10-6(標準) |
+25°C對于超出標準的規(guī)格說明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
(±15)×10-6/-20°C~+70°C |
超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
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負載電容 |
CL |
8pF |
不同負載電容要求,請聯(lián)系我們. |
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串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
100 |
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頻率老化 |
f_age |
±3×10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |

耐焊性:將無源石英晶振加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品。在下列回流條件下,對石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時間。同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查。如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。村田晶振,TSS-3225J晶振,XRCJK12M000F1QB4P0晶振
每個封裝類型的注意事項:陶瓷包裝進口晶振與SON產(chǎn)品在焊接陶瓷封裝晶振和SON產(chǎn)品 (陶瓷包裝是指晶振外觀采用陶瓷制品) 之后,彎曲電路板會因機械應(yīng)力而導(dǎo)致焊接部分剝落或封裝分裂(開裂)。尤其在焊接這些產(chǎn)品之后進行電路板切割時,務(wù)必確保在應(yīng)力較小的位置布局晶體并采用應(yīng)力更小的切割方法。
陶瓷包裝石英SMD晶振:在一個不同擴張系數(shù)電路板(環(huán)氧玻璃)上焊接陶瓷封裝石英晶振時,在溫度長時間重復(fù)變化時可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請事先檢查焊接特性。(2)陶瓷封裝貼片晶振:在一個不同擴張系數(shù)電路板(環(huán)氧玻璃)上焊接陶瓷封裝貼片晶振時,在溫度長時間重復(fù)變化時可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請事先檢查焊接特性。
負載電容:如果振蕩電路中負載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中3225貼片晶振的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。其中CS表示電路的雜散電容。村田晶振,TSS-3225J晶振,XRCJK12M000F1QB4P0晶振
測試條件:(1) 電源電壓? 超過 150µs,直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。? 電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2) 其他? 輸入電容低于 15 pF? 5倍頻率范圍或更多測量頻率。? 鉛探頭應(yīng)盡可能短。? 測量汽車電子晶振頻率時,探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經(jīng)過振蕩器的放大器時,可同時進行測量。(3) 其他? CL包含探頭電容。? 應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。? 使用微型插槽,以觀察波形。(請勿使用該探頭的長接地線).
振蕩頻率測量:必須盡可能地測量安裝在電路上的諧振器的振蕩頻率的真實值,使用正確的方法。在振蕩頻率的測量中,通常使用探頭和頻率計數(shù)器。然而,我們的目標是通過限制測量工具對3225mm貼片晶振振蕩電路本身的影響來測量。有三種頻率測量模式,如下面的圖所示(圖)。2, 3和4)。最精確的測量方法是通過使用任何能夠精確測量的頻譜分析儀來實現(xiàn)的。




TX32ED-12015S-19.200-X-R,AKER安碁晶振,削峰正弦波晶振
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