CTS晶振公司成立于1896，是全球設(shè)計(jì)和制造各種電子元器件、傳感器和執(zhí)行器的領(lǐng)導(dǎo)者。主要滿足原始設(shè)備制造商（OEM）的需求，CTS以其超過100年的創(chuàng)新產(chǎn)品和卓越工程而自豪。CTS產(chǎn)品的生產(chǎn)采用最先進(jìn)的技術(shù)，由一個(gè)高素質(zhì)和敬業(yè)的員工驅(qū)動(dòng)。CTS公司成立于1896，是航空航天、通信、國(guó)防、工業(yè)、信息技術(shù)、醫(yī)療和運(yùn)輸市場(chǎng)的OEM、傳感器和電子元器件的主要設(shè)計(jì)者和制造商。公司在北美洲、亞洲和歐洲設(shè)有12個(gè)生產(chǎn)基地，專注于為全球的工業(yè)伙伴提供先進(jìn)的技術(shù)、卓越的客戶服務(wù)和卓越的價(jià)值。CTS的目標(biāo)是在技術(shù)的最前沿，提供創(chuàng)新的傳感，連接和運(yùn)動(dòng)解決方案，以創(chuàng)造和推進(jìn)世界各地的產(chǎn)品和服務(wù)。
隨著科技的不斷進(jìn)步，我們已經(jīng)并肩前行，工程智能的方式來滿足人們不斷變化的需求。CTS引入新的視野和品牌，明確地傳達(dá)我們是誰(shuí)，為什么我們?cè)谶@里，我們代表什么。CTS的身份已經(jīng)建立在120年的堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)上。一個(gè)石英晶體基金會(huì)將繼續(xù)建立我們公司的聲譽(yù)，解決問題，面對(duì)挑戰(zhàn)，利用機(jī)遇，所有的人都有經(jīng)驗(yàn)，沒有人能比得上。CTS是航空航天、通信、國(guó)防、工業(yè)、信息技術(shù)、醫(yī)療和運(yùn)輸市場(chǎng)的OEM、傳感器和電子元器件的主要設(shè)計(jì)者和制造商。CTS生產(chǎn)的產(chǎn)品在北美洲、歐洲和亞洲。2013一月，奧沙利文加入了CTS的總裁和首席執(zhí)行官。

CTS晶振,石英晶振,MP-SMMC晶振,插件晶振,插件石英晶振最適合用于比較低端的電子產(chǎn)品,比如兒童玩具,普通家用電器,即使在汽車電子領(lǐng)域中也能使產(chǎn)品高可靠性的使用.并且可用于安全控制裝置的CPU時(shí)鐘信號(hào)發(fā)生源部分,好比時(shí)鐘單片機(jī)上的石英晶振,在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下,晶振也能正常工作,具有穩(wěn)定的起振特性,高耐熱性,耐熱循環(huán)性和耐振性等的高可靠性能,由于在49/S形晶體諧振器的底部裝了樹脂底座,就可作為產(chǎn)品電氣特性和高可靠性無(wú)受損的表面貼片型晶體諧振器使用,滿足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求.
晶振的真空封裝技術(shù)：是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝。1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生；2.使晶振組件在真空下電阻減??；3.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù)：是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序，鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等）。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng)，貼片晶振頻率更加集中，能控制在最小ppm之內(nèi)。

一般來說，微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下：鎘和CG是外部負(fù)載電容，其中已建成的芯片組。 （請(qǐng)參閱芯片組的規(guī)格）Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻。它的內(nèi)置芯片一般設(shè)置。Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?。這個(gè)阻力是沒有必要的公共電路，但僅用于具有高電源電路。一個(gè)穩(wěn)定的振蕩電路需要的負(fù)電阻，其值應(yīng)是音叉晶振阻力的至少五倍。它可寫為|-R|>5的Rr。例如，為了獲得穩(wěn)定的振蕩電路中，IC的負(fù)電阻的值必須小于？200Ω時(shí)的晶振電阻值是40Ω。負(fù)阻“的標(biāo)準(zhǔn)來評(píng)估一個(gè)振蕩電路的質(zhì)量。在某些情況下，例如老化，熱變化，電壓變化，以及等等，電路可能不會(huì)產(chǎn)生振蕩的“Q”值是低的。因此，這是非常重要的衡量負(fù)電阻（-R）以下說明:CTS晶振,石英晶振,MP-SMMC晶振,插件晶振

線路連接的電阻（R）與DIP晶體串聯(lián)（2）從起點(diǎn)到振蕩的停止點(diǎn)調(diào)整R的值。（3）振蕩期間測(cè)量R的值。（4）你將能夠獲得負(fù)電阻的值，|•R|= R +的Rr，和RR =晶振的阻力。附：所連接的電路的雜散電容，可能會(huì)影響測(cè)定值。
如果石英晶體諧振器的參數(shù)是正常的，但它不工作穩(wěn)步振蕩電路中，我們將不得不找出IC的電阻值是否過低驅(qū)動(dòng)電路。如果是這樣的話，我們有三種方法來改善這樣的情況：降低外部電容（Cd和CG）的值，并采用其他晶振具有較低負(fù)載電容（CL）。采用具有較低電阻（RR）的晶振。使用光盤和CG的不等價(jià)的設(shè)計(jì)。我們可以增加鎘（XOUT）的負(fù)載電容和降低CG（辛）的負(fù)載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出。

振蕩頻率測(cè)量:必須盡可能地測(cè)量安裝在插件石英晶體電路上的諧振器的振蕩頻率的真實(shí)值，使用正確的方法。在振蕩頻率的測(cè)量中，通常使用探頭和頻率計(jì)數(shù)器。然而,我們的目標(biāo)是通過限制測(cè)量工具對(duì)振蕩電路本身的影響來測(cè)量。有三種頻率測(cè)量模式，如下面的圖所示（圖）。2, 3和4）。最精確的測(cè)量方法是通過使用任何能夠精確測(cè)量的頻譜分析儀來實(shí)現(xiàn)的。CTS晶振,石英晶振,MP-SMMC晶振,插件晶振
接觸振蕩電路:探針不影響圖2，因?yàn)榫彌_器的輸出是通過49U插件石英晶體輸入振蕩電路的輸出來測(cè)量的。逆變器進(jìn)入下一階段。探針不影響圖3，因?yàn)樵贗C上測(cè)量緩沖器輸出（1/1、1/2等）。圖4示出了來自ic的無(wú)緩沖器輸出接收的情況，由此通過小尺寸測(cè)量來最小化探針的效果。輸出點(diǎn)之間的電容（3 pF以下XTAL終端IC）和探針。然而，應(yīng)該注意到，使用這種方法輸出波形較小，測(cè)量不能依賴于即使示波器能檢查振蕩波形，頻率計(jì)數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下，使用放大器來測(cè)量。

驅(qū)動(dòng)能力:驅(qū)動(dòng)能力說明振蕩晶體單元所需電功率，其49U插件晶振計(jì)算公式如下：驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2?Re其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流，Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）.

測(cè)試條件(1)電源電壓:超過 150µs，直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測(cè)量頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過49US振蕩器的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線）.