自從我們?cè)?990年成立以來，golledge電子取得了前所未有的成功。經(jīng)過多年的不斷增長(zhǎng)，我們現(xiàn)在是英國最主要的石英晶體頻率控制產(chǎn)品供應(yīng)商。這種增長(zhǎng)是通過保持我們的專注于我們的客戶的要求，并通過努力始終滿足和超越他們實(shí)現(xiàn)的。golledge商業(yè)團(tuán)隊(duì)是該行業(yè)最有經(jīng)驗(yàn)的團(tuán)隊(duì)之一。我們的知識(shí)淵博的工程師和銷售團(tuán)隊(duì)致力于與我們的客戶密切合作，從最初的設(shè)計(jì)到全面生產(chǎn)。電子技術(shù)和技術(shù)相關(guān)產(chǎn)業(yè)正在迅速發(fā)展。隨著技術(shù)進(jìn)步和商業(yè)世界的發(fā)展，golledge擁有支持我們客戶需求的資源和靈活性。
石英晶振的研磨技術(shù)：通過對(duì)晶振切割整形后的晶片進(jìn)行研磨，使進(jìn)口晶振的晶片達(dá)到（厚度/頻率）的一定范圍。石英晶振晶片厚度與頻率的關(guān)系為：在壓電晶體行業(yè)，生產(chǎn)晶振頻率的高低是顯示鴻星技術(shù)水平的一個(gè)方面，通過理論與實(shí)際相結(jié)合，累積多年的晶振研磨經(jīng)驗(yàn)，通過深入細(xì)致地完善石英晶振研磨工藝技術(shù)，注重貼片晶振研磨過程的各種細(xì)節(jié)，注重晶振所用精磨研磨設(shè)備的選擇；
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Golledge晶振 |
單位 |
GSX-8A晶振 |
石英晶振基本條件 |
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標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
12~67MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
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儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-30°C～+85°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-10°C～+60°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
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激勵(lì)功率 |
DL |
100μW Max. |
推薦:100μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±100 × 10-6(標(biāo)準(zhǔn)) |
+25°C對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
﹣0.034~±0.006 × 10-6/-20°C～+70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
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負(fù)載電容 |
CL |
7pF |
不同負(fù)載要求,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
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串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±5× 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
存儲(chǔ)事項(xiàng):(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間保存晶振時(shí),會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請(qǐng)?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些貼片石英晶振產(chǎn)品,并在開封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長(zhǎng)期儲(chǔ)藏。 正常溫度和濕度： 溫度：+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH。 (2) 請(qǐng)仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞。
耐焊性：將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接進(jìn)口封裝晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品。在下列回流條件下,對(duì)石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會(huì)破壞晶振特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間。同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查。如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。
晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。振蕩開始代替。在5032陶瓷二腳晶振基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個(gè)范圍內(nèi)。K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例（kHz頻段），需要連接一個(gè)電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流，調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵(lì)磁。電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動(dòng)。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵(lì)磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負(fù)載能力。Golledge晶振,貼片晶振,GSX-8A晶振,美國進(jìn)口晶振
適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D）取決于壓電石英晶體的類型，頻帶和設(shè)備的價(jià)值。電容器（C1，C2）。精確值是通過測(cè)量振蕩電路的特性來確定的（包括負(fù)電阻和驅(qū)動(dòng)級(jí)）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個(gè)范圍內(nèi)。?幾K?。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序，在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右，僅供參考。
振蕩補(bǔ)償:除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會(huì)增加陶瓷面貼片晶振振蕩啟動(dòng)時(shí)間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。
測(cè)試條件:(1)電源電壓:超過 150µs，直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測(cè)量頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過陶瓷面5032貼片晶振振蕩器的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線）.
鴻星晶振,5032二腳晶體,E5FA晶振
CTS晶振,壓電石英晶體,445晶振
微晶晶振,貼片晶振,CC2A-T1A晶振,石英SMD晶振
ECS晶體,貼片晶振,ECX-53R晶振,美國進(jìn)口晶振
ILSI晶振,貼片晶振,ILCX03晶振,無源進(jìn)口晶振