Golledge晶振減少污染物排放,對不可再生的資源進(jìn)行有效利用.減少廢物的產(chǎn)生,對其排放的責(zé)任進(jìn)行有效管理,有效地使用能源.通過石英晶振,貼片晶振,溫補(bǔ)晶振,石英晶體振蕩器設(shè)計(jì)工藝程序?qū)T工進(jìn)行培訓(xùn)保護(hù)環(huán)境以及人們的健康和安全.提供安全使用和廢置我們的產(chǎn)品的信息,對環(huán)境有重大健康安全和環(huán)境的運(yùn)營現(xiàn)狀進(jìn)行糾正.我們的產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電子工業(yè)，包括電信、衛(wèi)星、微處理器、航空航天、汽車、儀器和醫(yī)療應(yīng)用。
晶振高精密點(diǎn)膠技術(shù)：石英晶振晶片膠點(diǎn)的位置、大?。何恢脺?zhǔn)確度以及膠點(diǎn)大小一致性，通過圖像識別及高精密度數(shù)字定位系統(tǒng)的運(yùn)用、使石英晶振晶片的點(diǎn)膠的精度在±0.02mm之內(nèi)。將被上銀電極的晶片裝在彈簧支架上，點(diǎn)上導(dǎo)電膠，并高溫固化，通過彈簧即可引出電信號。注意：在石英晶振晶體測量中各個廠家的儀器會存在一定的差距（誤差），所以應(yīng)對晶振晶體測試儀器做特別管制。尤其是小公差產(chǎn)品。目前本公司的標(biāo)準(zhǔn)儀器在品管部。DIP 產(chǎn)品為 250A，SMD產(chǎn)品為 250B。
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Golledge晶振 |
單位 |
GSX-333晶振 |
石英晶振基本條件 |
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標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
12~54MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
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儲存溫度 |
T_stg |
-40°C～+85°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-10°C～+85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
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激勵功率 |
DL |
10μW Max. |
推薦:10μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±10,±15,±20× 10-6(標(biāo)準(zhǔn)) |
+25°C對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±10±15,±20,±30× 10-6/-20°C～+70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
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負(fù)載電容 |
CL |
8,9,12,16,18pF |
不同負(fù)載要求,請聯(lián)系我們. |
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串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±1× 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
關(guān)于沖洗清潔音叉型晶振由于采用小型、薄型的貼片石英晶振芯片，以及相對而言頻率與超音波清潔器相近，所以會由于共振而容易受到破壞，因此請不要用超音波清潔器來沖洗晶振。 關(guān)于機(jī)械性沖擊(1) 從設(shè)計(jì)角度而言，即使石英晶振從高度75cm處落到硬質(zhì)木板上三次，按照設(shè)計(jì)不會發(fā)生什么問題，但因落下時的不同條件而異，有可能導(dǎo)致石英芯片的破損。Golledge晶振,貼片晶振,GSX-333晶振,車載石英晶振
在使之落下或?qū)λ┘記_擊之時，在使用之前，建議確認(rèn)一下振蕩檢查等的條件。(2) SMD石英晶振與電阻以及電容器的芯片產(chǎn)品不同，由于在內(nèi)部對石英晶振晶片進(jìn)行了密封保護(hù)，因此關(guān)于在自動安裝時由于沖擊而導(dǎo)致的影響，請?jiān)谑褂弥?，懇請貴公司另外進(jìn)行確認(rèn)工作。(3) 請盡量避免將本公司的音叉型晶振與機(jī)械性振動源(包括超聲波振動源)安裝到同一塊基板上，不得已要安裝到同一塊基板上時，請確保晶振能正常工作。
如果波形幅度甚至沒有提高無源進(jìn)口晶振的頻率非常接近目標(biāo)頻率，我們可以通過以下三種方法改進(jìn)：方法1：降低產(chǎn)品線路外部電容（Cd和CG）的值，并通過晶體具有較低負(fù)載電容（CL）。方法2：采用小電阻（RR）的晶體。方法3：使用鎘和CG的不等價的設(shè)計(jì)。
此外，振蕩頻率與測量點(diǎn)不同。1。測量緩沖輸出2。振蕩級輸出測量三.通過3225貼片諧振器電容器測量振蕩級輸出圖5示出以上1-3個測量點(diǎn)和所測量的除緩沖器輸出外，振蕩頻率較低。Golledge晶振,貼片晶振,GSX-333晶振,車載石英晶振
驅(qū)動能力:驅(qū)動能力說明MHZ晶振振蕩晶體單元所需電功率，其計(jì)算公式如下：驅(qū)動能力 (P) = i2?Re其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流，Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）.
晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。振蕩開始代替。在智能手機(jī)晶振基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個范圍內(nèi)。K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例（kHz頻段），需要連接一個電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流，調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵磁。電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負(fù)載能力。
適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D）取決于小型無源諧振器的類型，頻帶和設(shè)備的價值。電容器（C1，C2）。精確值是通過測量振蕩電路的特性來確定的（包括負(fù)電阻和驅(qū)動級）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個范圍內(nèi)。?幾K?。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序，在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右，僅供參考。
鴻星晶振,陶瓷面晶體,E3FB晶振
CTS晶振,陶瓷面貼片晶體,443晶振
ECS晶體,貼片晶振,ECX-33Q晶振,無源進(jìn)口晶振
Abracon晶振,貼片晶振,ABM8-166晶振,歐美晶振