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Hosonic專注于自己的核心技術(shù)和鼓勵員工的創(chuàng)造力，創(chuàng)新和團(tuán)隊(duì)合作。自1979以來，我們一直致力于雙直插封裝（DIP）和表面貼裝器件（SMD）石英晶體的研究、設(shè)計、制造和銷售。現(xiàn)在，它擁有四個生產(chǎn)設(shè)施在中國大陸東、南、和九個銷售和FAE位點(diǎn)和十個銷售代表和經(jīng)銷商在世界各地。因此鴻星建立有機(jī)學(xué)習(xí)成長的平臺，激勵跨單位團(tuán)隊(duì)合作的活動，要為更好的環(huán)境與產(chǎn)品不斷的改善。
鴻星晶振集團(tuán)保持就健康安全環(huán)境問題與臨近攝取進(jìn)行對話.通過在環(huán)境控制方面實(shí)施優(yōu)秀的管理實(shí)踐,以保護(hù)環(huán)境和全球運(yùn)作相關(guān)的自然資源.向員工灌輸環(huán)境價值觀,在所有的晶振,石英晶振,有源晶振,壓控晶振產(chǎn)品和生產(chǎn)過程中應(yīng)用最佳環(huán)境實(shí)用技術(shù),為全球可持續(xù)發(fā)展做出貢獻(xiàn).

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鴻星晶振,32.768K圓柱晶體,ETDA晶振.插件石英晶振最適合用于比較低端的電子產(chǎn)品,比如兒童玩具,普通家用電器,即使在汽車電子領(lǐng)域中也能使產(chǎn)品高可靠性的使用.具有高穩(wěn)定性,高可靠性的石英晶體諧振器,晶振外觀本身使用金屬封裝,充分的密封性能,可確保其高可靠性.
鴻星石英晶振的切型。采用高速線切割技術(shù)：1.優(yōu)化及嚴(yán)格規(guī)范線切割機(jī)各項(xiàng)設(shè)備參數(shù)；2.通過試驗(yàn)精選所使用的各類線切割料，如：磨料、線切割線、槽輪等；3.確認(rèn)最優(yōu)的石英晶振切割工藝參數(shù)。通過以上方法使切割出的貼片晶振晶片在厚度一致性、平行度、表面粗糙度上都超越其它切割方式，提高了石英晶振晶片的精度，提高了生產(chǎn)效率。

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鴻星晶振	單位	ETDA晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	32.768KHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度	T_stg	-20°C~+70°C	裸存
工作溫度	T_use	-10°C~+60°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵功率	DL	1μW Max.	推薦:1μW～100μW
頻率公差	f_— l	±10 × 10-6(標(biāo)準(zhǔn)), (±10 × 10-6~±100 × 10-6可用)	+25°C對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.908tw.com/
頻率溫度特征	f_tem	±20 × 10-6/-10°C~+60°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	12.5PF	不同負(fù)載電容要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-10°C — +60°C,DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5× 10-6/ year Max.	+25°C,第一年

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ETDA(Former DT-26) 2.0-6.0 32.768K

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抗沖擊
貼片晶振可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。
輻射
暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致石英晶體性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。
化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶體諧振器或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致SMD晶振所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用無源晶振。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時，請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。鴻星晶振,32.768K圓柱晶體,ETDA晶振
靜電
過高的靜電可能會損壞無源晶振，請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時候，請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路，并進(jìn)行接地操作。

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設(shè)計振蕩回路的注意事項(xiàng)
1.驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明插件晶振所需電功率，其計算公式如下：
驅(qū)動能力 (P) = i2?Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流，
Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。

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2.振蕩補(bǔ)償
除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會增加2*6圓柱型音叉晶振振蕩啟動時間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請在電路設(shè)計時提供足夠的負(fù)極電阻。

3.負(fù)載電容
如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致2*6mm石英晶振振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。鴻星晶振,32.768K圓柱晶體,ETDA晶振

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