希華晶體科技敏銳地掌握電子產(chǎn)品輕薄短小化、快速光電寬頻傳輸與高頻通訊的進(jìn)口晶振發(fā)展主流，致力于開(kāi)發(fā)小型化、高頻與光電領(lǐng)域等產(chǎn)品，與日本同業(yè)并駕齊驅(qū)。且深耕微機(jī)電(MEMS)技術(shù)領(lǐng)域，加速導(dǎo)入TF SMD Crystal的量產(chǎn)，藉以擴(kuò)大公司營(yíng)收規(guī)模并且提升獲利空間。 藉由臺(tái)灣、日本、大陸三地的產(chǎn)品設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)與制程資源整合，不斷開(kāi)發(fā)創(chuàng)新及制程改造，以全系列完整產(chǎn)品線(xiàn)，來(lái)滿(mǎn)足客戶(hù)對(duì)石英元件多樣化的需求。積極地透過(guò)產(chǎn)學(xué)合作與配合國(guó)外技術(shù)引進(jìn)開(kāi)發(fā)新產(chǎn)品，多角化經(jīng)營(yíng)、擴(kuò)大市場(chǎng)領(lǐng)域，此亦為公司得以永續(xù)經(jīng)營(yíng)的方針。
希華晶體科技本于‘善盡企業(yè)責(zé)任、降低環(huán)境沖擊、提升員工健康’的理念，執(zhí)行各項(xiàng)環(huán)境及職業(yè)安全衛(wèi)生管理工作；落實(shí)公司環(huán)安衛(wèi)政策要求使環(huán)境暨安全衛(wèi)生管理成效日益顯著，不僅符合國(guó)內(nèi)環(huán)保、勞安法令要求，同時(shí)也能達(dá)到國(guó)際環(huán)保、安全衛(wèi)生標(biāo)準(zhǔn)。2003年通過(guò)ISO14001環(huán)境管理系統(tǒng)驗(yàn)證，秉持“污染預(yù)防、持續(xù)改善”之原則，公司事業(yè)廢棄物產(chǎn)出量逐年降低，可回收、再利用之廢棄物比例逐年提高，各項(xiàng)排放檢測(cè)數(shù)據(jù)符合政府法規(guī)要求。并由原材料管控禁用或限用環(huán)境危害物質(zhì)與國(guó)際大廠(chǎng)對(duì)于綠色生產(chǎn)及綠色產(chǎn)品的要求相符，于2004年通過(guò)SONY 綠色伙伴(Green Partner)驗(yàn)證。

希華晶振,貼片晶振,CSX-2016晶振,無(wú)源諧振器,超小型表面貼片型SMD晶振,最適合使用在汽車(chē)電子領(lǐng)域中,也是特別要求高可靠性的引擎控制用CPU的時(shí)鐘部分.低頻晶振可從16MHz起對(duì)應(yīng),小型,超薄型具備強(qiáng)防焊裂性,石英晶體在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,產(chǎn)品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿(mǎn)足無(wú)鉛焊接以及高溫回流溫度曲線(xiàn)要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn).
晶振的真空封裝技術(shù)：是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝。1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生；2.使晶振組件在真空下電阻減??；3.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù)：貼片晶振是晶片通過(guò)滾筒倒邊，主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng)，在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動(dòng)方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長(zhǎng)短、使用的研磨砂的型號(hào)、多少、填充物種類(lèi)及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理，有一項(xiàng)不完善都會(huì)使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除，而石英晶振晶片的諧振電阻過(guò)大，用在電路中Q值過(guò)小，從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)了不穩(wěn)定。

所有石英晶體諧振器和實(shí)時(shí)時(shí)鐘模塊都以IC形式提供。噪音：在電源或輸入端上施加執(zhí)行級(jí)別(過(guò)高)的不相干(外部的)噪音,可能導(dǎo)致會(huì)引發(fā)功能失?；驌舸┑拈]門(mén)或雜散現(xiàn)象。電源線(xiàn)路：電源的線(xiàn)路阻抗應(yīng)盡可能低。輸出負(fù)載：建議將石英晶振輸出負(fù)載安裝在盡可能靠近振蕩器的地方（在20 mm范圍之間）。希華晶振,貼片晶振,CSX-2016晶振,無(wú)源諧振器
無(wú)源晶振未用輸入終端的處理：未用針腳可能會(huì)引起噪聲響應(yīng),從而導(dǎo)致非正常工作。同時(shí),當(dāng)P通道和N通道都處于打開(kāi)時(shí),電源功率消耗也會(huì)增加；因此,請(qǐng)將未用輸入終端連接到VCC 或GND。熱影響：重復(fù)的溫度巨大變化可能會(huì)降低受損害的石英晶振產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線(xiàn)路擊穿。必須避免這種情況。安裝方向：振蕩器的不正確安裝會(huì)導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時(shí),請(qǐng)檢查安裝方向是否正確。通電：不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會(huì)導(dǎo)致無(wú)法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作。
4：粘合劑：請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。） 5：鹵化合物：請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹(shù)脂。6：靜電：過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞貼片晶振,請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作。

振蕩補(bǔ)償：除非在振蕩電路中2016貼片晶振提供足夠的負(fù)極電阻，否則會(huì)增加振蕩啟動(dòng)時(shí)間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。希華晶振,貼片晶振,CSX-2016晶振,無(wú)源諧振器

超小型無(wú)源貼片晶振測(cè)試條件：(1) 電源電壓? 超過(guò) 150µs，直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。? 電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2) 其他? 輸入電容低于 15 pF? 5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。? 鉛探頭應(yīng)盡可能短。? 測(cè)量頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過(guò)振蕩器的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。(3) 其他? CL包含探頭電容。? 應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。? 使用微型插槽，以觀(guān)察波形。（請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線(xiàn)）

此外，振蕩頻率與測(cè)量點(diǎn)不同。1。測(cè)量緩沖輸出2。2.0x1.6mm小體積貼片晶振振蕩級(jí)輸出測(cè)量三.通過(guò)電容器測(cè)量振蕩級(jí)輸出圖5示出以上1-3個(gè)測(cè)量點(diǎn)和所測(cè)量的除緩沖器輸出外，振蕩頻率較低。

2016無(wú)源晶振適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D）取決于諧振器的類(lèi)型，頻帶和設(shè)備的價(jià)值。電容器（C1，C2）。精確值是通過(guò)測(cè)量振蕩電路的特性來(lái)確定的（包括負(fù)電阻和驅(qū)動(dòng)級(jí)）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個(gè)范圍內(nèi)。?幾K?。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類(lèi)型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序，在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右，僅供參考。