微晶2012晶振在瑞士、泰國(guó)建有生產(chǎn)中心，及遍布世界各地的代表處。我們所有的產(chǎn)品都得到ISO9001和ISO14001的認(rèn)證，并達(dá)到RoHS，REACh等規(guī)范的要求。為世界一流的終端產(chǎn)品制造商提供從設(shè)計(jì)到量產(chǎn)的全方位支持，服務(wù)范圍涵蓋手機(jī)、計(jì)算機(jī)、汽車電子、手表、工業(yè)控制、植入式醫(yī)療及其他高可靠性產(chǎn)品。就原則而言，以下內(nèi)容被認(rèn)為是MC供應(yīng)的一部分鏈，即電子制造服務(wù)（EMS）公司和原始設(shè)計(jì)制造商（ODM）包括承包勞動(dòng)，設(shè)計(jì)，市場(chǎng)，生產(chǎn)和/或提供用于生產(chǎn)MC電子產(chǎn)品的貨物和服務(wù)。
瑞士大微晶晶振遵守法規(guī)和監(jiān)管要求，從事環(huán)保產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)。環(huán)境政策，在其業(yè)務(wù)活動(dòng)的所有領(lǐng)域，從開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)和銷售的壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體、壓電陶瓷諧振器，集團(tuán)業(yè)務(wù)政策促進(jìn)普遍信任的環(huán)境管理活動(dòng)。微晶晶振集團(tuán)認(rèn)識(shí)到進(jìn)行環(huán)境管理和資源保持的責(zé)任和必要性,同時(shí)也認(rèn)識(shí)到針對(duì)全球環(huán)境問(wèn)題,為保持國(guó)際環(huán)境而進(jìn)行各行業(yè)建設(shè)性的合作是極其重要的。過(guò)去微晶晶振集團(tuán)已經(jīng)針對(duì)重大污染控制項(xiàng)目建立了一整套記錄程序并且將繼續(xù)識(shí)別解決其自身環(huán)境污染及保持問(wèn)題,加強(qiáng)責(zé)任感以便進(jìn)行環(huán)境績(jī)效的持續(xù)改進(jìn)。

微晶晶振,貼片晶振,CM8V-T1A晶振,2012貼片晶振,貼片石英晶體諧振器，又簡(jiǎn)稱為排帶包裝，這是這產(chǎn)品采用排帶盤式包裝，使產(chǎn)品在焊接時(shí)能采用SMT自動(dòng)貼片機(jī)高速的焊接，大大節(jié)約人工，提高工作效率。32.768KHZ目前SMD品種有幾款產(chǎn)品在智能手環(huán)中發(fā)揮最大的作用呢？以下幾款對(duì)比產(chǎn)品：愛(ài)普生晶振品牌FC-12M，精工晶體的品牌SC-20S，西鐵城晶振的CM-212H，日本大真空晶體品牌DST210A等以上幾款32.768K均是目前市場(chǎng)上最為常用的小尺寸貼片晶振，外觀尺寸2.0*1.2*0.5mm體積還不足一立米大小。
注意：在石英晶體諧振器晶體測(cè)量中各個(gè)廠家的儀器會(huì)存在一定的差距（誤差），所以應(yīng)對(duì)晶振晶體測(cè)試儀器做特別管制。尤其是小公差產(chǎn)品。目前本公司的標(biāo)準(zhǔn)儀器在品管部。DIP 產(chǎn)品為 250A，SMD產(chǎn)品為 250B。品管部應(yīng)對(duì)公司內(nèi)每臺(tái)單機(jī)每個(gè)月進(jìn)行一次校對(duì)。自動(dòng)測(cè)試機(jī)用平移法進(jìn)行測(cè)試。同時(shí)保留和記錄與不同客戶之間的誤差。在生產(chǎn)中用平移法解決。高精度的頻率、電阻的測(cè)量技術(shù)：引進(jìn)一批先進(jìn)的檢測(cè)儀器，準(zhǔn)確度達(dá)到±1ppm（國(guó)標(biāo)標(biāo)準(zhǔn)）。在測(cè)量應(yīng)用上制定一套標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)量方法保證測(cè)量的準(zhǔn)確性、儀器的精度、測(cè)試的一致性。

請(qǐng)測(cè)量使用示波器或頻率計(jì)數(shù)器石英晶振的兩個(gè)端子的信號(hào)，如果頻率不在規(guī)定范圍內(nèi)，它的輸出波形的幅度是不夠的（例如超過(guò)+/-200ppm的），請(qǐng)按照步驟2-3步驟2-5。The formula for Capacitances versus Frequency is as following:該公式的電容與頻率是如下：微晶晶振,貼片晶振,CM8V-T1A晶振,2012貼片晶振

該曲線代表電容變化與頻率變化（頻率pullability）變化的變化：

如果由頻率計(jì)數(shù)器測(cè)量的頻率比目標(biāo)頻率高，要增加石英晶振的電容（CL，或Cd以及C 8）的值，以降低頻率到目標(biāo)頻率，反之亦然。請(qǐng)檢查波形幅度是否改善或沒(méi)有經(jīng)過(guò)我們調(diào)整頻率。如果它的改善，這表示該電路的原始設(shè)計(jì)不是調(diào)諧到最佳共振點(diǎn)為晶體的情況。該晶振應(yīng)正常后，石英諧振器點(diǎn)的調(diào)整。如果波形幅度甚至沒(méi)有提高的頻率非常接近目標(biāo)頻率，我們可以通過(guò)以下三種方法改進(jìn)：方法1：降低產(chǎn)品線路外部電容（Cd和CG）的值，并通過(guò)晶體具有較低負(fù)載電容（CL）。方法2：采用小電阻（RR）的晶體。方法3：使用鎘和CG的不等價(jià)的設(shè)計(jì)。

1. 驅(qū)動(dòng)能力:驅(qū)動(dòng)能力說(shuō)明石英晶體振蕩器晶體單元所需電功率，其計(jì)算公式如下：驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2?Re,其中i表示經(jīng)過(guò)晶體單元的電流，Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。微晶晶振,貼片晶振,CM8V-T1A晶振,2012貼片晶振

2.測(cè)試條件:電源電壓:超過(guò) 150µs，直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。其他：輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測(cè)量頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過(guò)2012mm晶振振蕩器的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線。）