什么使IoT打勾? Abracon的低等效串聯(lián)電阻(ESR)和低負(fù)載電鍍電容(CL)晶體是綠色和節(jié)能MCU和便攜式通信的理想選擇芯片組。 在降低功耗的競(jìng)爭(zhēng)中,許多片上振蕩器正在被匱乏輸出驅(qū)動(dòng),通常不能使用標(biāo)準(zhǔn)晶體維持振蕩。 Abracon的最新系列用于微功率應(yīng)用的石英晶體克服了這些挑戰(zhàn)。
Abracon晶振,石英晶振,ABM11晶振.2.0*1.6*0.59mm超小型,超薄型,重量輕金屬殼封裝的四腳貼片型石英晶體,是近年來晶振市場(chǎng)上最受歡迎的產(chǎn)品,來自于美國(guó)的Abracon生產(chǎn)的這款ABM11晶振自研發(fā)成功并投入量產(chǎn)以來,受到多方面的關(guān)注,使用用戶遍布全球七十多個(gè)國(guó)家及地區(qū),被廣泛應(yīng)用于無線藍(lán)牙,尋呼機(jī),通訊設(shè)備,蜂窩電話和PCMCIA等領(lǐng)域.
晶振高精密點(diǎn)膠技術(shù):石英晶振晶片膠點(diǎn)的位置、大小:位置準(zhǔn)確度以及膠點(diǎn)大小一致性,通過圖像識(shí)別及高精密度數(shù)字定位系統(tǒng)的運(yùn)用、使石英晶振晶片的點(diǎn)膠的精度在±0.02mm之內(nèi)。將被上銀電極的晶片裝在彈簧支架上,點(diǎn)上導(dǎo)電膠,并高溫固化,通過彈簧即可引出電信號(hào)。導(dǎo)電膠應(yīng)注意有效期、儲(chǔ)存溫度、開蓋次數(shù)、充分?jǐn)嚢琛⑹覝胤胖脮r(shí)間、烤膠最高溫度、烤膠時(shí)間、升溫速率、升溫起始最高溫度。
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Abracon晶振 |
單位 |
ABM11晶振 |
石英晶振基本條件 |
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標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
16.000MHZ~50.000MHz |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
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儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-40°C~+85°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-10°C~+60°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
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激勵(lì)功率 |
DL |
100μW Max. |
推薦:1μW~100μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±30 × 10-6(標(biāo)準(zhǔn)) |
+25°C對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±50 × 10-6/-20°C~+70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
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負(fù)載電容 |
CL |
10pF |
不同負(fù)載要求,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
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串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
(1)使用AT-切割晶體和表面聲波(SAW)諧振器/聲表面濾波器的產(chǎn)品,可以通過超聲波進(jìn)行清洗。但是,在某些條件下, 晶體特性可能會(huì)受到影響,而且內(nèi)部線路可能受到損壞。確保已事先檢查系統(tǒng)的適用性。Abracon晶振,石英晶振,ABM11晶振
(2)使用音叉晶體和陀螺儀傳感器的產(chǎn)品無法確保能夠通過超聲波方法進(jìn)行清洗,因?yàn)榫w可能受到破壞。
(3)請(qǐng)勿清洗開啟式產(chǎn)品
(4)對(duì)于可清洗產(chǎn)品,應(yīng)避免使用可能對(duì)石英水晶諧振器產(chǎn)生負(fù)面影響的清洗劑或溶劑等。
(5)焊料助焊劑的殘留會(huì)吸收水分并凝固。這會(huì)引起諸如位移等其它現(xiàn)象。這將會(huì)負(fù)面影響晶振的可靠性和質(zhì)量。請(qǐng)清理殘余的助焊劑并烘干PCB。
操作
請(qǐng)勿用鑷子或任何堅(jiān)硬的工具,夾具直接接觸IC的表面。
使用環(huán)境(溫度和濕度)
請(qǐng)?jiān)谝?guī)定的溫度范圍內(nèi)使用耐高溫晶振。這個(gè)溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下,會(huì)由于凝露引起故障。請(qǐng)避免凝露的產(chǎn)生。
激勵(lì)功率
在晶體單元上施加過多驅(qū)動(dòng)力,會(huì)導(dǎo)致石英晶振特性受到損害或破壞。電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率 (請(qǐng)參閱“激勵(lì)功率”章節(jié)內(nèi)容)。
負(fù)極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻,否則振蕩或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會(huì)增加(請(qǐng)參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容)。
負(fù)載電容
振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩。在使用之前,請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容(請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容)。
1、振蕩電路
晶體諧振器是無源元件,因此受到電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。
配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運(yùn)行和
異常運(yùn)行。因此,在振蕩電路的設(shè)計(jì)中,先決條件之一是如何確定振蕩電路。
晶體諧振器的振動(dòng)安全穩(wěn)定。只有在做出了這個(gè)決定之后,后續(xù)的項(xiàng)目,例如
討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時(shí)間和振蕩波形。
2。角色的分量與參考值
在振蕩電路的設(shè)計(jì)中,必須認(rèn)識(shí)到個(gè)體的作用。
組件.在表1中,以例如振蕩電路為例來描述角色。
(圖1)使用一個(gè)通用的C-MOS IC(74hcuo4ap東芝)。
當(dāng)反饋電阻(rf)未安裝在振蕩電路中時(shí),如圖所示
表1,即使在振蕩功率作用下,諧振器也不會(huì)啟動(dòng)振蕩。
電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接,否則振蕩不會(huì)啟動(dòng)。
晶體諧振腔的形式模式,但泛音振蕩或基波。
振蕩開始代替。在基本諧振的情況下(MHz頻段)反饋電阻通常是1米?。在
泛音諧振器(兆赫頻帶)的情況下,值取決于IC和頻率特性,但在幾個(gè)范圍內(nèi)。
K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例(kHz頻段),需要連接一個(gè)電阻10米或更?。
限制流入諧振器的電流,調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵(lì)磁。
電平,防止諧振腔的反常振蕩,抑制頻率波動(dòng)。
C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵(lì)磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有
給定負(fù)載能力。
適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D)取決于諧振器的類型,頻帶和設(shè)備的價(jià)值。
電容器(C1,C2)。精確值是通過測(cè)量振蕩電路的特性來確定的(包括
負(fù)電阻和驅(qū)動(dòng)級(jí))。AT切割諧振器(兆赫頻帶)的參考值在幾個(gè)范圍內(nèi)。
?幾K?。音叉式諧振器(kHz頻段)的參考值在100 K?幾K?范圍。Abracon晶振,石英晶振,ABM11晶振
安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和
振蕩的順序,在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右,僅供參考。


愛普生晶振,貼片晶振,FA-128晶振,FA-128 24.0000MF10Z-W3
Q 26.0-JXS21-10-10/10-FU-WA-LF,JAUCH無源晶振,2016mm,26MHz
SXT21410BB17-18.432M|2016mm|10pf|歐美松圖晶振
SG2016EGN125.000000MHzCJGPZA-6G網(wǎng)絡(luò)設(shè)備晶振-愛普生差分晶振
QuartzCom晶振,MCO-7S時(shí)鐘振蕩器,32MHz,6G無線網(wǎng)絡(luò)晶振
O 20.0-JO21-G-1V3-1-T1-LF,HCMOS輸出晶振,6G相關(guān)設(shè)備晶振
Anderson品牌,AE-138-A-1-4085-1-30-27M0000,6G無線通信晶振
富通晶振,XCS21-38M400-1E15D16,2016mm,6G無線通信晶振
NKG晶振,S2SM20.0000F16M23-EXT,2016mm晶振,6G無線模塊晶振
NKG晶振,CT20M26.0000F10V11-100,超小型熱敏晶體,6G電信應(yīng)用晶振