較低的CL和較低的ESR提高了回路的運行增益裕度,確保了所有變量的持續(xù)振蕩,包括偏差,負載,溫度和時間變化。 Gm_critical是晶振必須實現(xiàn)的關鍵跨導值,以保持在環(huán)路運行的安全區(qū)域。不符合gm_critical的晶體與Pierce振蕩器不匹配,并可能導致與啟動相關的長期可靠性問題。由于給定的Pierce振蕩器的功耗降低gm和gm_crictical,部署在物聯(lián)網(wǎng)和可穿戴應用中的節(jié)能設計最有可能發(fā)生故障。進行PAS測試可降低風險并提高系統(tǒng)的可靠性。
由于大多數(shù)Pierce振蕩器的跨導(gm)繼續(xù)向前所未有的低水平下降,所以ABRACON石英晶體不僅被迫尺寸較小,而且還提供非常低的電鍍負載(CL)和低等效串聯(lián)電阻(ESR)參數(shù)選項。滿足節(jié)能MCU和RF芯片組要求的最低gm_critical要求取決于保持低CL,ESR和C0參數(shù)的保證。這需要在晶體上采用新的非平凡電鍍設計,同時降低CL和ESR,并且仍然可以保證低溫度和老化效應的規(guī)格。ABRACON新的石英晶體電鍍設計使得下一代Pierce振蕩器能夠在能夠保持振蕩的情況下運行在煙霧上。電子行業(yè)有一個非常一致的趨勢,直接取決于時間 - 隨著技術越來越小,功耗降低的需求越來越高。解決石英晶體設計要求,取決于行業(yè)需求,已經(jīng)成為至關重要的。
Abracon晶振,貼片晶振,ABM10W晶振,石英晶體諧振器,2520mm體積的晶振,可以說是目前小型數(shù)碼產(chǎn)品的福音,目前超小型的智能手機里面所應用的就是小型的石英晶振,該產(chǎn)品最適用于無線通訊系統(tǒng),無線局域網(wǎng),已實現(xiàn)低相位噪聲,低電壓,低消費電流和高穩(wěn)定度,超小型,質(zhì)量輕等產(chǎn)品特點,產(chǎn)品本身編帶包裝方式,可對應自動高速貼片機應用,以及高溫回流焊接(產(chǎn)品無鉛對應),為無鉛產(chǎn)品.
通過深入細致地完善石英晶振研磨工藝技術,注重貼片晶振研磨過程的各種細節(jié),注重晶振所用精磨研磨設備的選擇;注重所使用水晶、研磨砂的選擇等;注重石英晶振研磨用工裝如:游輪的設計及選擇,從而使研磨晶振晶片在平面度、平行度、彎曲度都有很好的控制,最終使可研磨的石英晶振晶片的厚度越來越薄,貼片晶振晶片的頻率越來越高,為公司在高頻石英晶振的研發(fā)生產(chǎn)打下堅實基礎,提升了晶振廠家的競爭力,使晶振廠家高頻石英晶振的研發(fā)及生產(chǎn)領先于國內(nèi)其它公司。
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Abracon晶振 |
單位 |
ABM10W晶振 |
石英晶振基本條件 |
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標準頻率 |
f_nom |
16~50MHZ |
標準頻率 |
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儲存溫度 |
T_stg |
-55°C~+125°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-40°C~+125°C |
標準溫度 |
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激勵功率 |
DL |
10~100μW Max. |
推薦:10~100μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±10 × 10-6(標準) |
+25°C對于超出標準的規(guī)格說明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±10× 10-6/-20°C~+70°C |
超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
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負載電容 |
CL |
4pF |
不同負載要求,請聯(lián)系我們. |
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串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±2× 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
我們可以先使用示波器或者頻率計數(shù)器來檢查石英晶體諧振器終端的兩個信號,如果沒有信號輸出,請按照步驟1-1到1-4步執(zhí)行檢查。如果有從石英晶振(XOUT)的輸出端子的輸出信號,而是從在終端(辛)輸出沒有信號,請檢查石英晶振體以下step1-5到步驟1-6。
你可以先把晶體卸載下來并測試晶振的頻率和負載電容,看看他們是否能振動,也可以使用專業(yè)的石英進口晶體測試儀器來檢測 。如果你沒法檢測你也可以將不良品發(fā)送給我公司,我們檢測分析之后告訴你結(jié)果。如果有下列情況發(fā)生,晶振不起振,首先你先查看你產(chǎn)品上使用的負載電容CL是否對,是否跟你的線路相匹配,或者是晶振的精度是否符合你的要求,或者你可以把產(chǎn)品發(fā)送回我公司分析。如果晶振頻率和負載電容跟要求相對應的話,我們將需要進行等效電路測試。比如等效電路測試如下:
此外,振蕩頻率與測量點不同。1。測量緩沖輸出2。振蕩級輸出測量三.通過2520四腳貼片晶振電容器測量振蕩級輸出圖5示出以上1-3個測量點和所測量的除緩沖器輸出外,振蕩頻率較低。Abracon晶振,貼片晶振,ABM10W晶振,石英晶體諧振器
晶體諧振腔的形式模式,但泛音振蕩或基波。振蕩開始代替。在2520無源晶振基本諧振的情況下(MHz頻段)反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器(兆赫頻帶)的情況下,值取決于IC和頻率特性,但在幾個范圍內(nèi)。K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例(kHz頻段),需要連接一個電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流,調(diào)節(jié)負電阻和勵磁。電平,防止諧振腔的反常振蕩,抑制頻率波動。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設置有給定負載能力。
適當?shù)目刂齐娮柚担≧D)取決于諧振器的類型,頻帶和設備的價值。電容器(C1,C2)。精確值是通過移動設備晶振測量振蕩電路的特性來確定的(包括負電阻和驅(qū)動級)。AT切割諧振器(兆赫頻帶)的參考值在幾個范圍內(nèi)。?幾K?。音叉式諧振器(kHz頻段)的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序,在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右,僅供參考。
負載電容:如果振蕩電路中負載電容的不同,可能導致智能手機晶振振蕩頻率與設計頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。其中CS表示電路的雜散電容。





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