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京瓷突破750Mbps水下光通信開啟海洋通信新時(shí)代

返回列表 來源:金洛鑫 瀏覽:- 發(fā)布日期:2025-09-25 10:22:37【

京瓷突破750Mbps水下光通信開啟海洋通信新時(shí)代
水下射頻信號通信也困難重重.海水對射頻信號有很強(qiáng)的屏蔽作用,信號穿透海水的能力與頻率緊密相關(guān),只有甚低頻(3-30kHz)這樣的低頻率射頻信號才能在海水中進(jìn)行有限傳播.潛艇等水下設(shè)備通常使用超低頻和甚低頻通信,速率僅300b/s左右.再加上射頻信號在水中傳輸時(shí)的趨膚效應(yīng),傳輸距離極為受限,僅適用于近距離水下通信,遠(yuǎn)遠(yuǎn)無法完成未來遠(yuǎn)距離,高速率的水下信息傳輸任務(wù).水下聲波通信是目前最成熟的水下遠(yuǎn)距離通信手段,在軍事,石油深??碧?深海載人科考等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用.但它也有明顯不足,其頻帶帶寬被限制在20kHz以內(nèi),由于多徑傳播會導(dǎo)致延遲增加,數(shù)據(jù)相互干擾,大大降低了通信速率,傳輸速率只有幾十kb/s.這些嚴(yán)重的延遲和串?dāng)_影響,顯然無法滿足日益增長的水下通信需求.隨著海洋開發(fā)活動的日益頻繁,如深海探測,水下作業(yè),海洋監(jiān)測等,對高速,穩(wěn)定,長距離的水下通信技術(shù)需求愈發(fā)迫切.無論是科學(xué)家們對深海生物的研究,還是工程師們進(jìn)行海底工程建設(shè),亦或是軍事領(lǐng)域?qū)λ伦鲬?zhàn)信息的及時(shí)傳遞,都急需一種突破性的水下電信應(yīng)用晶振技術(shù),來打破當(dāng)前的困境,實(shí)現(xiàn)更高效,更便捷的水下信息交互.而京瓷在實(shí)海試驗(yàn)中成功實(shí)現(xiàn)的750Mbps短距離水下光無線通信技術(shù),無疑為解決這一難題帶來了新的曙光.

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京瓷的黑科技登
在眾多科研團(tuán)隊(duì)和企業(yè)為水下通信難題絞盡腦汁之時(shí),京瓷脫穎而出,成功實(shí)現(xiàn)了全球最快的750Mbps短距離水下光無線通信技術(shù),并在實(shí)海試驗(yàn)中取得了令人矚目的成果,宛如一顆耀眼的新星,照亮了水下通信的未來之路.京瓷此次的技術(shù)突破并非一蹴而就.早在2021年,京瓷通過收購美國初創(chuàng)企業(yè),獲得了比發(fā)光二極管(LED)輸出功率高約100倍的激光技術(shù).此后,京瓷將自身在5G等通信相關(guān)技術(shù)與高功率藍(lán)色激光技術(shù)深度融合,致力于在水下實(shí)現(xiàn)高速通信.經(jīng)過多年的不懈努力和艱苦研發(fā),終于在短距離水下光無線通信領(lǐng)域取得了重大進(jìn)展.此次實(shí)海試驗(yàn)的成功,充分驗(yàn)證了京瓷這項(xiàng)技術(shù)的先進(jìn)性和可靠性.在實(shí)際的海洋環(huán)境中,各種復(fù)雜因素交織,如海水的渾濁度,鹽度,溫度變化等,都會對通信信號產(chǎn)生干擾.然而,京瓷的750Mbps短距離水下光無線通信技術(shù)卻能在這樣的環(huán)境中穩(wěn)定運(yùn)行,展現(xiàn)出強(qiáng)大的適應(yīng)能力.與當(dāng)前主要使用的速度為幾十Mbit/s的水下通信設(shè)備相比,京瓷的技術(shù)速率實(shí)現(xiàn)了質(zhì)的飛躍,能夠在短時(shí)間內(nèi)傳輸大量的數(shù)據(jù),大大提高了水下通信的效率.為了讓大家更直觀地感受這一技術(shù)的優(yōu)勢,我們不妨做個(gè)簡單的對比.假設(shè)要傳輸一段高清的水下探測視頻,按照傳統(tǒng)水下通信設(shè)備幾十Mbit/s的速度,可能需要花費(fèi)數(shù)小時(shí)甚至更長時(shí)間才能完成傳輸,而且在傳輸過程中還可能因?yàn)樾盘柛蓴_而出現(xiàn)卡頓,中斷等情況.而采用京瓷的750Mbps技術(shù),同樣的視頻傳輸可能只需短短幾分鐘,不僅速度大幅提升,傳輸?shù)姆€(wěn)定性和流暢性也得到了有力保障,讓人們能夠?qū)崟r(shí),清晰地獲取水下的信息.
京瓷石英晶振技術(shù)原理大揭
京瓷的750Mbps短距離水下光無線通信技術(shù)之所以能夠?qū)崿F(xiàn)如此高速的通信,關(guān)鍵在于其采用藍(lán)色激光替代了傳統(tǒng)的電波進(jìn)行通信.這一創(chuàng)新的技術(shù)選擇,背后蘊(yùn)含著深刻的科學(xué)原理和精妙的技術(shù)設(shè)計(jì).在傳統(tǒng)的水下通信中,電波由于海水的強(qiáng)屏蔽作用,傳輸距離極為有限,信號衰減嚴(yán)重.而激光作為一種高頻率的光波,具有獨(dú)特的物理特性,使其在水下通信中展現(xiàn)出明顯的優(yōu)勢.激光的方向性好,發(fā)散角極小,商業(yè)化的氣體激光器發(fā)散角通常在10^-3弧度量級,這意味著激光的能量高度集中,能夠在水下實(shí)現(xiàn)長距離的傳輸,減少了信號在傳輸過程中的能量損耗.而且激光的頻率高,帶寬可達(dá)到數(shù)百兆赫茲至數(shù)十吉赫茲,為高速數(shù)據(jù)傳輸提供了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ),使其能夠承載大量的數(shù)據(jù)信息,實(shí)現(xiàn)高效的通信.具體到水下環(huán)境,海水對不同波長的光有著不同的吸收和散射特性.京瓷選擇的藍(lán)色激光,其波長在海水的"窗口”范圍內(nèi),在這個(gè)波長區(qū)間,光在海水中的衰減相對較小,能夠傳播較遠(yuǎn)的距離.據(jù)相關(guān)研究表明,藍(lán)色激光在清澈海水中的傳輸距離可達(dá)100米以上,這為短距離水下通信提供了可行性.然而,要實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定,高速的水下激光通信,并非易事.激光在水下傳輸時(shí),會受到海水的吸收,散射以及水中懸浮顆粒,浮游生物等的影響.這些因素會導(dǎo)致信號衰減,失真,嚴(yán)重影響通信質(zhì)量.為了克服這些技術(shù)難題,京瓷的科研團(tuán)隊(duì)進(jìn)行了大量的研究和實(shí)驗(yàn).他們研發(fā)了先進(jìn)的激光發(fā)射和接收系統(tǒng),通過優(yōu)化光學(xué)設(shè)計(jì),提高激光的發(fā)射功率和接收靈敏度,以增強(qiáng)信號的強(qiáng)度和穩(wěn)定性.同時(shí),利用復(fù)雜的信號處理算法,對接收的信號進(jìn)行去噪,糾錯(cuò)等處理,有效提高了信號的質(zhì)量,確保了高速,準(zhǔn)確的數(shù)據(jù)傳輸.以信號處理算法為例,京瓷的科研團(tuán)隊(duì)采用了自適應(yīng)濾波技術(shù),根據(jù)海水環(huán)境的實(shí)時(shí)變化,自動調(diào)整濾波器的參數(shù),對信號中的噪聲進(jìn)行有效濾除.在遇到水中懸浮顆粒較多,導(dǎo)致信號散射嚴(yán)重時(shí),自適應(yīng)濾波技術(shù)能夠及時(shí)識別并調(diào)整,使得通信信號依然能夠保持清晰,穩(wěn)定.通過這些技術(shù)手段的綜合應(yīng)用,京瓷成功實(shí)現(xiàn)了750Mbps短距離水下光無線通信技術(shù)的突破,為水下通信領(lǐng)域帶來了新的希望和發(fā)展方向.

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應(yīng)用場景展

京瓷的750Mbps短距離水下光無線通信技術(shù),以其卓越的性能,為眾多領(lǐng)域帶來了前所未有的發(fā)展機(jī)遇,具有廣闊的應(yīng)用前景.在海上風(fēng)力發(fā)電設(shè)備檢查領(lǐng)域,這一技術(shù)將發(fā)揮巨大作用.海上風(fēng)力發(fā)電作為清潔能源的重要來源,近年來發(fā)展迅速.然而,海上環(huán)境復(fù)雜惡劣,風(fēng)力發(fā)電設(shè)備長期處于高鹽,高濕,強(qiáng)風(fēng)等環(huán)境中,設(shè)備的安全性和穩(wěn)定性面臨嚴(yán)峻考驗(yàn).定期對設(shè)備進(jìn)行檢查和維護(hù)至關(guān)重要,但傳統(tǒng)的檢查方式往往依賴人工,不僅效率低下,而且存在安全風(fēng)險(xiǎn).有了京瓷的水下光無線通信技術(shù),可利用水下無人機(jī)搭載高清攝像頭晶振和傳感器,通過高速通信技術(shù)將設(shè)備的實(shí)時(shí)圖像和數(shù)據(jù)傳輸?shù)娇刂浦行?工作人員可以在陸地上實(shí)時(shí),清晰地查看設(shè)備的運(yùn)行狀況,及時(shí)發(fā)現(xiàn)潛在問題,如葉片的磨損,部件的松動等,大大提高了檢查效率和準(zhǔn)確性,降低了維護(hù)成本和安全風(fēng)險(xiǎn).在水下無人機(jī)操控方面,該技術(shù)也將帶來革命性的變化.水下無人機(jī)在海洋探測,水下考古,海洋生物研究等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛,但目前水下無人機(jī)的通信存在嚴(yán)重的延遲和低速率問題,限制了其功能的發(fā)揮.京瓷的750Mbps短距離水下光無線通信技術(shù),能夠?qū)崿F(xiàn)水下無人機(jī)與控制站之間的高速,實(shí)時(shí)通信,使操作人員能夠?qū)λ聼o人機(jī)進(jìn)行精準(zhǔn)控制.在水下考古中,操作人員可以根據(jù)實(shí)時(shí)傳回的高清圖像,精確控制水下無人機(jī)對文物進(jìn)行細(xì)致的拍攝和探測,獲取更全面,準(zhǔn)確的文物信息;在海洋生物研究中,也能實(shí)時(shí)跟蹤海洋生物的活動,記錄它們的行為,為科學(xué)研究提供更豐富的數(shù)據(jù).海洋資源勘探是另一個(gè)重要的應(yīng)用領(lǐng)域.海洋中蘊(yùn)藏著豐富的礦產(chǎn)資源,油氣資源等,對這些資源的勘探和開發(fā)需要高效的通信技術(shù)支持.京瓷的水下光無線通信技術(shù),可以幫助勘探設(shè)備快速,準(zhǔn)確地將采集到的數(shù)據(jù)傳輸?shù)降孛婵刂浦行?在深海礦產(chǎn)勘探中,水下探測器可以通過該技術(shù)將探測到的礦產(chǎn)分布,儲量等信息及時(shí)傳輸回來,為后續(xù)的開采決策提供依據(jù).而且,高速通信技術(shù)還能實(shí)現(xiàn)多個(gè)勘探設(shè)備之間的協(xié)同工作,提高勘探效率,降低勘探成本.
行業(yè)影響與競爭格
京瓷在短距離水下光無線通信技術(shù)上的重大突破,猶如一顆投入行業(yè)湖面的巨石,激起層層漣漪,對水下通信行業(yè)產(chǎn)生了深遠(yuǎn)的影響.從技術(shù)層面來看,京瓷的750Mbps短距離水下光無線通信技術(shù)為行業(yè)樹立了新的標(biāo)桿.其高速率的數(shù)據(jù)傳輸能力,讓其他企業(yè)紛紛聚焦于藍(lán)色激光通信技術(shù)的研發(fā),推動了整個(gè)行業(yè)技術(shù)的升級和創(chuàng)新.在京瓷成果的刺激下,眾多科研團(tuán)隊(duì)和企業(yè)加大了在水下光通信領(lǐng)域的研發(fā)投入,加速了技術(shù)迭代的步伐,促使更多先進(jìn)的通信算法,光學(xué)材料和設(shè)備不斷涌現(xiàn),有望在未來進(jìn)一步提高水下通信的速率和穩(wěn)定性,拓展通信距離.在市場競爭格局方面,京瓷憑借這一技術(shù)優(yōu)勢,在水下通信市場中搶占了先機(jī),提升了自身的市場競爭力.目前,水下通信市場主要被一些傳統(tǒng)的通信設(shè)備制造商和新興的水下技術(shù)企業(yè)占據(jù),如OceanTechnologySystems,WSense,Subnero等.京瓷的加入,使得市場競爭更加激烈.它憑借先進(jìn)的技術(shù),吸引了眾多潛在客戶的關(guān)注,有望在海上風(fēng)力發(fā)電設(shè)備檢查,水下無人機(jī)操控,海洋資源勘探等應(yīng)用領(lǐng)域獲得更多的市場份額.這也迫使其他企業(yè)加大研發(fā)力度,推出更具競爭力的產(chǎn)品和服務(wù),以保持市場地位,從而促進(jìn)了市場的良性競爭和發(fā)展.與其他企業(yè)的技術(shù)進(jìn)展相比,京瓷的技術(shù)在速率上具有明顯的優(yōu)勢.島津制作所計(jì)劃在2030年之前開發(fā)出可在水下將數(shù)據(jù)傳輸?shù)?00米遠(yuǎn)處的設(shè)備,其2022年推出的設(shè)備能以10Gbit/s的速度向80米遠(yuǎn)處收發(fā)數(shù)據(jù),雖然傳輸速度較高,但距離相對較短,且應(yīng)用場景可能相對受限.松下控股則將開發(fā)在渾濁的海中也可以實(shí)施通信的設(shè)備,以1Mbit/s以上的通信速度為目標(biāo),與京瓷的750Mbps相比,速率差距較大.NEC計(jì)劃于2024年度商用化利用聲波長距離通信的設(shè)備,通信速度為幾十Kbit/s,遠(yuǎn)遠(yuǎn)無法與京瓷的高速通信技術(shù)相媲美.不過,其他企業(yè)也在各自的優(yōu)勢領(lǐng)域不斷深耕,如島津制作所在傳輸距離的拓展上持續(xù)努力,松下控股針對渾濁海水環(huán)境開發(fā)通信設(shè)備,NEC專注于長距離聲通信技術(shù),這些技術(shù)在不同的應(yīng)用場景下都有其獨(dú)特的價(jià)值.展望行業(yè)未來發(fā)展趨勢,隨著全球?qū)Q筚Y源開發(fā)的重視程度不斷提高,水下通信市場需求將持續(xù)增長.預(yù)計(jì)未來,水下光無線通信技術(shù)將朝著更高速率,更遠(yuǎn)距離,更強(qiáng)抗干擾能力的方向發(fā)展.在應(yīng)用方面,除了現(xiàn)有的海上風(fēng)力發(fā)電,水下無人機(jī),海洋資源勘探等領(lǐng)域,還將拓展到更多新興領(lǐng)域,如海洋生物監(jiān)測,水下城市建設(shè)等.而且,多種通信技術(shù)融合的趨勢也將愈發(fā)明顯,水下光通信,聲波通信,射頻通信等技術(shù)將相互補(bǔ)充,根據(jù)不同的應(yīng)用場景和需求,靈活組合使用,以實(shí)現(xiàn)更高效,更穩(wěn)定的水下通信.
京瓷突破750Mbps水下光通信開啟海洋通信新時(shí)代

KC2520Z20.0000C15XXK KYOCERA京瓷晶振 KC2520Z XO 20 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V ±30ppm
KC2520Z100.000C15XXK KYOCERA京瓷晶振 KC2520Z XO 100 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V ±30ppm
KC3225K20.0000C1GE00 KYOCERA京瓷晶振 KC3225K XO 20 MHz CMOS 1.6V ~ 3.63V ±50ppm
KC2016K24.0000C1GE00 KYOCERA京瓷晶振 KC2016K XO 24 MHz CMOS 1.6V ~ 3.63V ±50ppm
KC2520K24.0000C1GE00 KYOCERA京瓷晶振 KC2520K XO 24 MHz CMOS 1.6V ~ 3.63V ±50ppm
KC2520K33.3333C1GE00 KYOCERA京瓷晶振 KC2520K XO 33.3333 MHz CMOS 1.6V ~ 3.63V ±50ppm
MC2520Z25.0000C19XSH KYOCERA京瓷晶振 MC2520Z XO 25 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V ±30ppm
MC2016Z10.0000C19XSH KYOCERA京瓷晶振 MC2016Z XO 10 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V ±30ppm
MC2520Z33.3333C19XSH KYOCERA京瓷晶振 MC2520Z XO 33.3333 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V ±30ppm
KC2520C25.0000C1LE00 KYOCERA京瓷晶振 KC2520C-C1 XO 25 MHz CMOS 1.8V ±15ppm
KC2520C40.0000C2LE00 KYOCERA京瓷晶振 KC2520C-C2 XO 40 MHz CMOS 2.5V, 3.3V ±15ppm
MC2016K25.0000C16ESH KYOCERA京瓷晶振 MC2016K XO 25 MHz CMOS 1.6V ~ 3.63V ±50ppm
KC2520Z4.09600C1KX00 KYOCERA京瓷晶振 KC2520Z XO 4.096 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V ±20ppm
KC2520Z1.84320C1KX00 KYOCERA京瓷晶振 KC2520Z XO 1.8432 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V ±20ppm
KC2520Z8.00000C1KX00 KYOCERA京瓷晶振 KC2520Z XO 8 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V ±20ppm
KC2016Z12.0000C1KX00 KYOCERA京瓷晶振 KC2016Z XO 12 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V ±20ppm
KC2520Z11.2896C1KX00 KYOCERA京瓷晶振 KC2520Z XO 11.2896 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V ±20ppm
KC2520Z33.3333C1KX00 KYOCERA京瓷晶振 KC2520Z XO 33.3333 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V ±20ppm
KC2520Z50.0000C1KX00 KYOCERA京瓷晶振 KC2520Z XO 50 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V ±20ppm
KC2520Z25.0000C1KX00 KYOCERA京瓷晶振 KC2520Z XO 25 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V ±20ppm
KC2520Z24.0000C1KX00 KYOCERA京瓷晶振 KC2520Z XO 24 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V ±20ppm
KC2016Z8.00000C1KX00 KYOCERA京瓷晶振 KC2016Z XO 8 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V ±20ppm
KC2016Z50.0000C1KX00 KYOCERA京瓷晶振 KC2016Z XO 50 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V ±20ppm
KC2016Z40.0000C1KX00 KYOCERA京瓷晶振 KC2016Z XO 40 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V ±20ppm
KC2016Z24.0000C1KX00 KYOCERA京瓷晶振 KC2016Z XO 24 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V ±20ppm
KC2520Z25.0000C15XXK KYOCERA京瓷晶振 KC2520Z XO 25 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V ±30ppm
KC2016Z10.0000C15XXK KYOCERA京瓷晶振 KC2016Z XO 10 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V ±30ppm
KC2016Z25.0000C15XXK KYOCERA京瓷晶振 KC2016Z XO 25 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V ±30ppm
KC2520Z24.0000C15XXK KYOCERA京瓷晶振 KC2520Z XO 24 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V ±30ppm
KC2016Z50.0000C15XXK KYOCERA京瓷晶振 KC2016Z XO 50 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V ±30ppm
KC2016Z24.0000C15XXK KYOCERA京瓷晶振 KC2016Z XO 24 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V ±30ppm
KC3225K27.0000C1GE00 KYOCERA京瓷晶振 KC3225K XO 27 MHz CMOS 1.6V ~ 3.63V ±50ppm
KC3225K33.3333C1GE00 KYOCERA京瓷晶振 KC3225K XO 33.3333 MHz CMOS 1.6V ~ 3.63V ±50ppm
KC2520Z33.0000C15XXK KYOCERA京瓷晶振 KC2520Z XO 33 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V ±30ppm
KC2520Z16.0000C15XXK KYOCERA京瓷晶振 KC2520Z XO 16 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V ±30ppm
KC2016Z12.2880C15XXK KYOCERA京瓷晶振 KC2016Z XO 12.288 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V ±30ppm
KC2016Z100.000C15XXK KYOCERA京瓷晶振 KC2016Z XO 100 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V ±30ppm
KC2016Z33.3333C15XXK KYOCERA京瓷晶振 KC2016Z XO 33.3333 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V ±30ppm
KC3225Z25.0000C15XXK KYOCERA京瓷晶振 KC3225Z XO 25 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V ±30ppm
KC2520Z7.37280C15XXK KYOCERA京瓷晶振 KC2520Z XO 7.3728 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V ±30ppm
KC2016K16.0000C1GE00 KYOCERA京瓷晶振 KC2016K XO 16 MHz CMOS 1.6V ~ 3.63V ±50ppm
KC2520K24.5760C1GE00 KYOCERA京瓷晶振 KC2520K XO 24.576 MHz CMOS 1.6V ~ 3.63V ±50ppm
KC3225K80.0000C1GE00 KYOCERA京瓷晶振 KC3225K XO 80 MHz CMOS 1.6V ~ 3.63V ±50ppm
KC2016K4.00000C1GE00 KYOCERA京瓷晶振 KC2016K XO 4 MHz CMOS 1.6V ~ 3.63V ±50ppm
MC2520Z12.0000C19XSH KYOCERA京瓷晶振 MC2520Z XO 12 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V ±30ppm
MC3225Z8.00000C19XSH KYOCERA京瓷晶振 MC3225Z XO 8 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V ±30ppm
MC2520Z16.0000C19XSH KYOCERA京瓷晶振 MC2520Z XO 16 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V ±30ppm
MC2520Z50.0000C19XSH KYOCERA京瓷晶振 MC2520Z XO 50 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V ±30ppm
MC2520Z8.00000C19XSH KYOCERA京瓷晶振 MC2520Z XO 8 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V ±30ppm
MC3225Z25.0000C19XSH KYOCERA京瓷晶振 MC3225Z XO 25 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V ±30ppm
MC2520Z24.5760C19XSH KYOCERA京瓷晶振 MC2520Z XO 24.576 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V ±30ppm
MC3225Z50.0000C19XSH KYOCERA京瓷晶振 MC3225Z XO 50 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V ±30ppm
MC2520Z4.09600C19XSH KYOCERA京瓷晶振 MC2520Z XO 4.096 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V ±30ppm
KC2520C40.0000C2YE00 KYOCERA京瓷晶振 KC2520C-C2 XO 40 MHz CMOS 2.5V, 3.3V ±10ppm
KC2520C26.0000C1LE00 KYOCERA京瓷晶振 KC2520C-C1 XO 26 MHz CMOS 1.8V ±15ppm
KC5032A100.000C1GE00 KYOCERA京瓷晶振 KC5032A-C1 XO 100 MHz CMOS 1.6V ~ 3.63V ±50ppm
MC2016K40.0000C16ESH KYOCERA京瓷晶振 MC2016K XO 40 MHz CMOS 1.6V ~ 3.63V ±50ppm
KC2016Z25.0000C1KX00 KYOCERA京瓷晶振 KC2016Z XO 25 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V ±20ppm
KC3225Z16.0000C1KX00 KYOCERA京瓷晶振 KC3225Z XO 16 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V ±20ppm
KC2520Z13.5600C1KX00 KYOCERA京瓷晶振 KC2520Z XO 13.56 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V ±20ppm

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