瑞薩進(jìn)口晶振,7050mm壓控晶振,XLP73V48.000000I,6G相關(guān)設(shè)備晶振
頻率:48MHZ
尺寸:7.0mm x 5.0mm
瑞薩進(jìn)口晶振,7050mm壓控晶振,XLP73V48.000000I,6G相關(guān)設(shè)備晶振,瑞薩進(jìn)口晶振,XL石英晶體振蕩器,XLP73V48.000000I晶振,壓控晶振,7050mm晶振,LVPECL差分晶振,頻率48MHz,工作溫度-40~85°C,電壓3.3V,低成本晶振,高品質(zhì)晶振,6G相關(guān)設(shè)備晶振,物聯(lián)網(wǎng)晶振,服務(wù)器和存儲(chǔ)系統(tǒng)晶振,光終端設(shè)備晶振.
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瑞薩進(jìn)口晶振,7050mm壓控晶振,XLP73V48.000000I,6G相關(guān)設(shè)備晶振特點(diǎn):
•輸出類型:LVDS, LVPECL, LVCMOS
•相位抖動(dòng)(12kHz至20MHz): 750fs至890fs典型
•供電電壓:2.5V或3.3V
•包裝選項(xiàng):
•3.2 × 2.5 × 1.0 mm (VCXO不可用)
•5.0 × 3.2 × 1.2毫米
•7.0 × 5.0 × 1.3 mm
•工作溫度:-20℃~ +70℃
•頻率穩(wěn)定性選項(xiàng):±20,±25,±50,或±100 ppm(僅XO)
•±50ppm APR(僅限VCXO)
•工作溫度:-40°C至+85°C
•頻率穩(wěn)定性選項(xiàng):±25,±50,或±100 ppm(僅XO)
•±50ppm APR(僅限VCXO)
•工作溫度:-40°C至+105°C(僅XO)
•頻率穩(wěn)定性選項(xiàng):±50或±100ppm
•kV 85ppm/伏,典型范圍從0.5VDC到VDD(僅限VCXO)
•Vc范圍線性度優(yōu)于±10%
瑞薩進(jìn)口晶振,7050mm壓控晶振,XLP73V48.000000I,6G相關(guān)設(shè)備晶振參數(shù)表
| 項(xiàng)目 | 符號(hào) | 規(guī)格說(shuō)明 | 條件 |
| 額定頻率 | f_nom | 48MHz | 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息 |
| 電源電壓 | Vcc | 3.3V±0.3V |
|
| 儲(chǔ)存溫度 | T_stg | -55℃~+125℃ | 裸存 |
| 工作溫度 | T_use | -40℃~ +85℃ |
|
| 頻率公差(標(biāo)準(zhǔn)) | f_tol | ±100 ppm | +25℃,超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)信息 |
| 供電電流 | IDD | 45mA Max | LVPECL 40+MHz to 220MHz |
| 差分輸出電壓 | VOD | 2.405V Max | VDD = 3.3V ±5%. |
| 對(duì)稱性 | SYM | 47%~53% | At outputs crossing point |
| 輸出負(fù)載 | L_LVDS | 100Ω | LVPECL Differential. |
| 輸入電壓 | VIH | 70%VDD Min | LVPECL |
| VIL | 30%VDD Max | ||
| 上升下降時(shí)間 | tr/tf | 400ps Max | LVPECL 20% to 80% Vpp |
| 起始時(shí)間 | t str | 10ms Max |
VDD達(dá)到最小指定水平后輸出有效時(shí)間 |
| 周期抖動(dòng) | JPER |
5.8ps Typ |
LVPECL |
| 相位抖動(dòng) | tpj | 860 fs Typ | 12KHZ~20MHz |
| 老化 | f_aging | ±3ppm/year | +25℃,第一年 |
瑞薩進(jìn)口晶振,7050mm壓控晶振,XLP73V48.000000I,6G相關(guān)設(shè)備晶振尺寸圖
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