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泰藝晶振,石英晶振,XX晶振,XXDCCCNANF-12.000000晶振

頻率：12.000MHz

尺寸：3.2*2.5*0.65mm

超小型表面貼片型SMD晶振,最適合使用在汽車電子領(lǐng)域中,也是特別要求高可靠性的引擎控制用CPU的時(shí)鐘部分,石英晶體在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性.

訂購熱線：0755-27837162

臺灣泰藝電子成立于民國89年3月,前身為泰電電業(yè)股份有限公司電子部（民國65年設(shè)立）,是一家專業(yè)晶振,石英晶振,有源晶振,壓控晶振頻率控制元件制造商.部分核心技術(shù)是臺灣業(yè)界的領(lǐng)先者,近年來陸續(xù)取得石英相關(guān)制造技術(shù)專利；未來將持續(xù)加強(qiáng)開發(fā),以成為全球石英晶振頻控元件領(lǐng)導(dǎo)者之目標(biāo)邁進(jìn).
為追求生產(chǎn)綠色產(chǎn)品之目標(biāo),將環(huán)保理念納入采購流程中,采購人員于收集市場資訊時(shí),優(yōu)先提供符合「泰藝電子無有害物質(zhì)管理作業(yè)標(biāo)準(zhǔn)」之材料相關(guān)資訊予產(chǎn)品設(shè)計(jì)人員參考,并依其要求提供符合規(guī)范之樣品與規(guī)格.原材物料承認(rèn)時(shí),采購人員須請供應(yīng)商填寫公司提供之問卷表單及相關(guān)RoHS檢測報(bào)告,經(jīng)原材物料相關(guān)審驗(yàn)單位審查通過后,方可使用.12M臺灣進(jìn)口晶體,XX晶振,XXDCCCNANF-12.000000晶振

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泰藝晶振,石英晶振,XX晶振,XXDCCCNANF-12.000000晶振.3225mm體積的金屬面四腳SMD晶振,可以說是目前小型數(shù)碼產(chǎn)品的福音,目前超小型的智能手機(jī)里面所應(yīng)用的就是小型的石英晶振,該產(chǎn)品最適用于無線通訊系統(tǒng),無線局域網(wǎng),晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性.
泰藝貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù)：貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊，主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng)，在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動(dòng)方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理，有一項(xiàng)不完善都會(huì)使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除，而石英晶振晶片的諧振電阻過大，用在電路中Q值過小，從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)了不穩(wěn)定。

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泰藝晶振規(guī)格	單位	XX晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	12.000MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度	T_stg	-55°C ~+125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ~+85°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	10-300μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±10 × 10^-6 (標(biāo)準(zhǔn)), (±5 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息, http://www.908tw.com/
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-40°C ~+85°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	20PF	超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±3× 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

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抗沖擊
貼片晶振可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。
輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致石英晶體性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。泰藝晶振,石英晶振,XX晶振,XXDCCCNANF-12.000000晶振
化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解進(jìn)口晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致臺灣晶振所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用無源晶振。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí)，請勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。12M臺灣進(jìn)口晶體,XX晶振,XXDCCCNANF-12.000000晶振
靜電
過高的靜電可能會(huì)損壞石英晶體諧振器，請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候，請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路，并進(jìn)行接地操作。

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設(shè)計(jì)振蕩回路的注意事項(xiàng)
1.驅(qū)動(dòng)能力
驅(qū)動(dòng)能力說明3225mm貼片晶振所需電功率，其計(jì)算公式如下：
驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2_Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流，
Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。12M臺灣進(jìn)口晶體,XX晶振,XXDCCCNANF-12.000000晶振

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2.振蕩補(bǔ)償
除非在3225石英晶體振蕩器振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會(huì)增加振蕩啟動(dòng)時(shí)間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。

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3. 負(fù)載電容
如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。泰藝晶振,石英晶振,XX晶振,XXDCCCNANF-12.000000晶振

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