泰藝晶振,貼片晶振,X2晶振
頻率:25.000MHz
尺寸:3.2*2.5*0.75mm
泰藝石英晶振公司清楚知道自身對于同仁、環(huán)境、社會及合作伙伴們所肩負(fù)的責(zé)任與義務(wù),相信透過信息公開與揭露CSR報告書,對建立一個平衡與和諧的利害關(guān)系人良性互動網(wǎng)絡(luò)有幫助,更能促進(jìn)企業(yè)健康穩(wěn)定的成長.藉由環(huán)境稽核確認(rèn)環(huán)境改善績效,使公司所有活動過程均能達(dá)成環(huán)境目標(biāo)及標(biāo)的,并期望透過全體員工共同努力,貢獻(xiàn)愛護(hù)地球的一份心力.X2FCCLNANF-25.000000晶振,X2晶振,3225陶瓷殼四腳晶體
泰藝貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù):貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實際操作中機(jī)器運動方式設(shè)計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設(shè)計必須合理,有一項不完善都會使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而石英諧振器晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動或振動了不穩(wěn)定。
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泰藝晶振規(guī)格 |
單位 |
X2晶振 |
石英晶振基本條件 |
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標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
25.000MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
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儲存溫度 |
T_stg |
-55°C ~+125°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-40°C ~+85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
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激勵功率 |
DL |
100μW Max. |
推薦:10μW ~ 100μW |
|
頻率公差 |
f_— l |
±10 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)) |
+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±10 × 10-6/-40°C ~+85°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
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負(fù)載電容 |
CL |
7PF |
超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請聯(lián)系我們. |
|
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±5× 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
請勿用鑷子或任何堅硬的工具,夾具直接接觸IC的表面。
使用環(huán)境(溫度和濕度)
請在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)使用耐高溫晶振。這個溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下,會由于凝露引起故障。請避免凝露的產(chǎn)生。泰藝晶振,貼片晶振,X2晶振
激勵功率
在晶體單元上施加過多驅(qū)動力,會導(dǎo)致石英水晶振動子特性受到損害或破壞。電路設(shè)計必須能夠維持適當(dāng)?shù)募罟β?(請參閱“激勵功率”章節(jié)內(nèi)容)。
負(fù)極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻,否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加(請參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容)。
負(fù)載電容
振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致SMD晶體振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過強(qiáng)力調(diào)整,可能只會導(dǎo)致不正常的振蕩。在使用之前,請指明該振動電路的負(fù)載電容(請參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容)。X2FCCLNANF-25.000000晶振,X2晶振,3225陶瓷殼四腳晶體
1、振蕩電路
3225陶瓷殼四腳晶體是無源元件,因此受到電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。
配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運行和
異常運行。因此,在振蕩電路的設(shè)計中,先決條件之一是如何確定振蕩電路。
晶體諧振器的振動安全穩(wěn)定。只有在做出了這個決定之后,后續(xù)的項目,例如
討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時間和振蕩波形。X2FCCLNANF-25.000000晶振,X2晶振,3225陶瓷殼四腳晶體
2。角色的分量與參考值
在振蕩電路的設(shè)計中,必須認(rèn)識到個體的作用。
組件.在表1中,以例如振蕩電路為例來描述角色。
(圖1)使用一個通用的C-MOS IC(74hcuo4ap東芝)。
當(dāng)反饋電阻(rf)未安裝在振蕩電路中時,如圖所示
表1,即使在振蕩功率作用下,陶瓷面貼片晶振也不會啟動振蕩。
電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接,否則振蕩不會啟動。
晶體諧振腔的形式模式,但泛音振蕩或基波。
振蕩開始代替。在基本諧振的情況下(MHz頻段)反饋電阻通常是1米?。在
泛音諧振器(兆赫頻帶)的情況下,值取決于IC和頻率特性,但在幾個范圍內(nèi)。
K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例(kHz頻段),需要連接一個電阻10米或更?。
限制流入諧振器的電流,調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵磁。
電平,防止諧振腔的反常振蕩,抑制頻率波動。
C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有
給定負(fù)載能力。泰藝晶振,貼片晶振,X2晶振
適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D)取決于諧振器的類型,頻帶和設(shè)備的價值。
電容器(C1,C2)。精確值是通過測量振蕩電路的特性來確定的(包括
負(fù)電阻和驅(qū)動級)。AT切割諧振器(兆赫頻帶)的參考值在幾個范圍內(nèi)。
?幾K?。音叉式諧振器(kHz頻段)的參考值在100 K?幾K?范圍。
安裝電容器的適當(dāng)值取決于3225mm貼片晶振的類型、頻帶、控制電阻器的值和
振蕩的順序,在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右,僅供參考。
公司名:深圳市金洛鑫電子有限公司
聯(lián)系人:茹紅青
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搜狐公眾號:晶振石英晶振NDK晶振
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JLX-PD
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