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EPSON晶體,有源晶振,SG2016CAN晶振,X1G0048010002晶振
頻率：1.2~75MHZ
尺寸：2.0*1.6mm
EPSON愛普生公司成立于1942年5月,總部位于日本長野縣諏訪市,是數碼映像領域的全球領先企業(yè).愛普生集團通過富有創(chuàng)新和創(chuàng)造力的文化,提升企業(yè)價值,致力于為客戶提供數碼影像創(chuàng)新技術和解決方案.愛普生拓優(yōu)科夢是一家專業(yè)從事晶體元件的廠商,愛普生拓優(yōu)科夢（Epson — yocom）運用長年積累的培育人工貼片晶振以及以加工為代表的、實現(xiàn)精微化、高精度、高品質的綜合技術,提出“3D戰(zhàn)略”究極應用石英特性而制造的三大元器件:定時元器件、傳感元器件、光學元器件,并創(chuàng)出將其復合而成的模塊,為成為不可缺少的企業(yè)而邁進至今.
伴隨信息化社會的進程,現(xiàn)在壓電石英晶體元器件已被廣泛應用于各種電子設備以及家電產品之中,日趨重要. 愛普生拓優(yōu)科夢（Epson — yocom）將進一步究極用精微加工發(fā)揮“石英”材料的優(yōu)越性能的“QMEMS”技術,創(chuàng)造出更小、更高性能或全新功能的元器件;同時,融合愛普生集團的半導體與軟件技術增添便于使用、能讓顧客更體驗到利用價值的“解決方案”.通過上述工作,我們將為社會的發(fā)展以及實現(xiàn)更舒暢的未來而竭誠奉獻.
EPSON晶體,有源晶振,SG2016CAN晶振,X1G0048010002晶振,晶振高精密點膠技術：石英晶振晶片膠點的位置、大?。何恢脺蚀_度以及膠點大小一致性，通過圖像識別及高精密度數字定位系統(tǒng)的運用、使石英晶振晶片的點膠的精度在±0.02mm之內。將被上銀電極的晶片裝在彈簧支架上，點上導電膠，并高溫固化，通過彈簧即可引出電信號。
小型貼片振蕩器,體積的變小也使產品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,貼片高速自動安裝和高溫回流焊設計,Optionable待機輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍：1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動,低功耗,主要應用領域:無線通訊,智能手機,平板筆記本WLAN,藍牙,數碼相機,DSL和各式IT產品的晶振應用,三態(tài)功能,PC和LCDM等數碼領域,符合RoHS/無鉛.
|
愛普生晶振規(guī)格 |
SG2016CAN晶振 |
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驅動輸出 |
CMOS |
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常用頻率 |
1.2~75MHZ |
|
工作電壓 |
+1.6~+3.63V （代表値） |
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靜態(tài)電流 |
（工作時）+1.2 mA max. (F≦15MHz) +1.4 mA max. (15＜F≦26MHｚ） |
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TCXO輸出電壓 |
0.8Vp-p min. |
|
TCXO輸出負載 |
（10kΩ//10pF) ±10％ |
|
常規(guī)溫度偏差 |
±20/30/50×10-6 (After 2 reflows) |
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頻率溫度偏差 |
±30×10-6/-40℃～+85℃ |
|
±50×10-6/-55℃～+125℃（オプション） |
愛普生日產有源兆赫茲晶振型號列表：
愛普生日產有源兆赫茲晶振編碼列表：
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
Ope Temperature
Freq. Tol.
I [Max]
25°C Aging
Aging2
Symmetry
SG-210SEBA
33.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 1.6 mA
+/-3ppm
40 to 60 %
SG-210SEBA
16.666600 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 1.6 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG-210SEBA
14.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 2.0 mA
+/-3ppm
40 to 60 %
SG-210SEBA
37.125000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 2.0 mA
+/-3ppm
40 to 60 %
SG2016CAN
24.000000 MHz
2.00 x 1.60 x 0.70 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 2.2 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG2016CAN
25.000000 MHz
2.00 x 1.60 x 0.70 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 2.2 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG2016CAN
16.000000 MHz
2.00 x 1.60 x 0.70 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 1.8 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG2016CAN
74.250000 MHz
2.00 x 1.60 x 0.70 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 3.0 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
Product Number
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
Ope Temperature
Freq. Tol.
I [Max]
25°C Aging
Aging2
Symmetry
X1G004611A013
SG-210SEBA
33.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 1.6 mA
+/-3ppm
40 to 60 %
X1G004611A014
SG-210SEBA
16.666600 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 1.6 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
X1G004611A016
SG-210SEBA
14.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 2.0 mA
+/-3ppm
40 to 60 %
X1G004611A017
SG-210SEBA
37.125000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 105 °C
+/-50 ppm
≤ 2.0 mA
+/-3ppm
40 to 60 %
X1G0048010002
SG2016CAN
24.000000 MHz
2.00 x 1.60 x 0.70 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 2.2 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
X1G0048010012
SG2016CAN
25.000000 MHz
2.00 x 1.60 x 0.70 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 2.2 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
X1G0048010014
SG2016CAN
16.000000 MHz
2.00 x 1.60 x 0.70 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 1.8 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
X1G0048010016
SG2016CAN
74.250000 MHz
2.00 x 1.60 x 0.70 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 3.0 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
石英貼片晶振自動安裝和真空化引發(fā)的沖擊會破壞產品特性并影響這些產品。請設置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對晶振特性產生影響。條件改變時,請重新檢查安裝條件。同時,在安裝前后,請確保石英晶振產品未撞擊機器或其他電路板等。EPSON晶體,有源晶振,SG2016CAN晶振,X1G0048010002晶振
每個封裝類型的注意事項所有石英晶體振蕩器和實時時鐘模塊都以IC形式提供。噪音:在電源或輸入端上施加執(zhí)行級別(過高)的不相干(外部的)噪音,可能導致會引發(fā)功能失常或擊穿的閉門或雜散現(xiàn)象。電源線路:電源的線路阻抗應盡可能低。輸出負載:建議將石英晶振輸出負載安裝在盡可能靠近振蕩器的地方（在20 mm范圍之間）。未用輸入終端的處理:未用針腳可能會引起噪聲響應,從而導致非正常工作。
同時,當P通道和N通道都處于打開時,電源功率消耗也會增加；因此,請將未用輸入終端連接到VCC 或GND。熱影響:重復的溫度巨大變化可能會降低受損害的進口石英晶振產品特性,并導致塑料封裝里的線路擊穿。必須避免這種情況。安裝方向:振蕩器的不正確安裝會導致故障以及崩潰,因此安裝時,請檢查安裝方向是否正確。通電:不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會導致無法產生振蕩和/或非正常工作.
Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）.振蕩補償:除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻，否則會增加振蕩啟動時間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請在電路設計時提供足夠的負極電阻。EPSON晶體,有源晶振,SG2016CAN晶振,X1G0048010002晶振
驅動能力:驅動能力說明SPXO振蕩器振蕩晶體單元所需電功率，其計算公式如下：驅動能力 (P) = i2?Re其中i表示經過晶體單元的電流.
振蕩電路:晶體諧振器是無源元件，因此受到小體積貼片晶振電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。配置、電路常數和襯底布線模式等操作大致分為正常運行和異常運行。因此，在振蕩電路的設計中，先決條件之一是如何確定振蕩電路。晶體諧振器的振動安全穩(wěn)定。只有在做出了這個決定之后，后續(xù)的項目，例如討論了頻率精度、頻率變化、調制度、振蕩起始時間和振蕩波形。
角色的分量與參考值:在貼片金屬面晶振振蕩電路的設計中，必須認識到個體的作用。組件.在表1中，以例如振蕩電路為例來描述角色。（圖1）使用一個通用的C-MOS IC（74hcuo4ap東芝）。當反饋電阻（rf）未安裝在振蕩電路中時，如圖所示表1，即使在振蕩功率作用下，諧振器也不會啟動振蕩。電路。除非有適當值的電阻器連接，否則振蕩不會啟動。
公司名：深圳市金洛鑫電子有限公司
聯(lián)系人：茹紅青
手機：13510569637
電話：0755-27837162
QQ號：657116624
微信公眾號：CITIZENCRYSTAL
搜狐公眾號：晶振石英晶振NDK晶振
郵箱：jinluodz@163.com
地址：深圳市寶安區(qū)41區(qū)甲岸路19號
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