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熱門關(guān)鍵詞 : 石英晶體諧振器進(jìn)口晶振精工晶振京瓷晶振西鐵城晶振鴻星晶振石英晶振加高晶振希華晶振NDK晶振村田晶振

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EPSON晶體,有源晶振,SG5032CBN晶振,X1G0044610001晶振

頻率:80~170MHZ

尺寸:5.0*3.2mm

智能手機(jī)晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,適用于移動(dòng)通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺(tái)基站等數(shù)碼產(chǎn)品類別,晶振本身小型,薄型具備各類移動(dòng)通信的基準(zhǔn)時(shí)鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動(dòng)通信領(lǐng)域,滿足無鉛工作的高溫回流溫度曲線要求.
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      日本精工愛普生接受了中國(guó)蘇州政府2007 年的招商引資,命名為【愛普生拓優(yōu)科夢(mèng)水晶元器件(蘇州)有限公司】  愛普生拓優(yōu)科夢(mèng)(Epson Toyocom)是精工愛普生株式會(huì)社與愛普生(中國(guó))有限公司共同投資成立的有限責(zé)任公司(外商合資).目前注冊(cè)資本2500萬美金.現(xiàn)員工人數(shù):1500人.主要從事石英晶振系列產(chǎn)品的生產(chǎn),投資初期主要生產(chǎn)32.768KHZ系列產(chǎn)品,從2009年起32.768K系列產(chǎn)品轉(zhuǎn)向馬來西亞量產(chǎn).蘇州愛普生工廠就以生產(chǎn)高端的石英晶體振蕩器為主,普通石英晶體諧振器為輔.

      愛普生品牌系列千赫子的石英晶振,目前占據(jù)了中國(guó)市場(chǎng)進(jìn)口晶25%的份額,品牌質(zhì)量,貨期,品種,品質(zhì)是廣大用戶有目共睹,從MC-146晶振最早期從MP4,MP3收音機(jī)模塊啟用開始,在到國(guó)內(nèi)外各大知名品牌手機(jī),最后應(yīng)用到國(guó)內(nèi)山寨手機(jī)市場(chǎng),幾乎占據(jù)80%的手機(jī)行業(yè)晶振類別,產(chǎn)品本身特點(diǎn)是體積小,耐高溫,穩(wěn)定性能高,排帶包裝,應(yīng)用自動(dòng)貼片方便.愛普生晶振小體積SMD時(shí)鐘晶體諧振器,是貼片音叉晶體,千赫頻率元件,應(yīng)用于時(shí)鐘模塊,智能手機(jī),全球定位系統(tǒng),因產(chǎn)品本身體積小,SMD編帶型,可應(yīng)用于高性能自動(dòng)貼片焊接,被廣泛應(yīng)用到各種小巧的便攜式消費(fèi)電子數(shù)碼時(shí)間產(chǎn)品,環(huán)保性能符合ROHS/無鉛標(biāo)準(zhǔn).

      EPSON晶體,有源晶振,SG5032CBN晶振,X1G0044610001晶振,英晶振在選用晶片時(shí)應(yīng)注意溫度范圍、晶振溫度范圍內(nèi)的頻差要求,貼片晶振溫度范圍寬時(shí)(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄溫(-10℃-70℃)切割角度應(yīng)略高。對(duì)于晶振的條片,長(zhǎng)邊為 X 軸,短邊為 Z 軸,面為 Y 軸。對(duì)于圓片晶振,X、Z 軸較難區(qū)分,所以石英晶振對(duì)精度要求高的產(chǎn)品(如部分定單的 UM-1),會(huì)在 X 軸方向進(jìn)行拉弦(切掉一小部分),以利于晶振的晶片有方向的裝架點(diǎn)膠,點(diǎn)膠點(diǎn)點(diǎn)在 Z 軸上。保證晶振產(chǎn)品的溫度特性。

      貼片式石英晶體振蕩器,低電壓?jiǎn)?dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品貼片晶振被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,衛(wèi)星系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-EXPress的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.

愛普生晶振規(guī)格

SG5032CBN晶振

驅(qū)動(dòng)輸出

CMOS

常用頻率

80~170MHZ

工作電壓

+1.6~+3.63V (代表値) 
電源電圧は+1.7V+3.3V範(fàn)囲の任意の電圧で動(dòng)作可能

靜態(tài)電流

(工作時(shí))+1.2 mA max. (F15MHz) +1.4 mA max. (15F26MHz) 
+1.6 mA max. (F26MHz)(スタンバイ時(shí))+1μA以下

TCXO輸出電壓

0.8Vp-p min.

TCXO輸出負(fù)載

10kΩ//10pF) ±10

常規(guī)溫度偏差

±20/30/50×10-6 (After 2 reflows)

頻率溫度偏差

±30×10-6/-40℃~+85

±50×10-6/-55℃~+125℃(オプション)

愛普生日產(chǎn)有源兆赫茲晶振型號(hào)列表:

Rearranges Rearranges Rearranges
Model
Frequency LxWxH Rearranges
Output Wave
Rearranges,Rearranges
Ope Temperature
Rearranges Rearranges Rearranges Rearranges Rearranges
Freq. Tol.
I [Max] 25°C Aging Aging2 Symmetry
SG5032CAN 38.880972 MHz 5.00 x 3.20 x 1.30 mm CMOS -20 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 2.2 mA +/-3ppm 45 to 55 %
SG5032CAN 24.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.30 mm CMOS -40 to 105 °C +/-100 ppm ≤ 2.2 mA +/-3ppm 45 to 55 %
SG5032CAN 24.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.30 mm CMOS -40 to 85 °C +/-100 ppm ≤ 2.2 mA +/-3ppm 45 to 55 %
SG5032CAN 50.001250 MHz 5.00 x 3.20 x 1.30 mm CMOS -20 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 2.6 mA +/-3ppm 45 to 55 %
SG5032CBN 100.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.30 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 11.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
SG5032CBN 125.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.30 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 11.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
SG5032CBN 133.333000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.30 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 11.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
SG5032CBN 133.330000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.30 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 11.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
愛普生日產(chǎn)有源兆赫茲晶振編碼列表:

Rearranges Rearranges Rearranges Rearranges
Product Number
Model Frequency LxWxH Rearranges
Output Wave
Rearranges,Rearranges
Ope Temperature
Rearranges Rearranges Rearranges Rearranges Rearranges
Freq. Tol.
I [Max] 25°C Aging Aging2 Symmetry
X1G0044510183 SG5032CAN 38.880972 MHz 5.00 x 3.20 x 1.30 mm CMOS -20 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 2.2 mA +/-3ppm 45 to 55 %
X1G0044510184 SG5032CAN 24.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.30 mm CMOS -40 to 105 °C +/-100 ppm ≤ 2.2 mA +/-3ppm 45 to 55 %
X1G0044510185 SG5032CAN 24.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.30 mm CMOS -40 to 85 °C +/-100 ppm ≤ 2.2 mA +/-3ppm 45 to 55 %
X1G0044510186 SG5032CAN 50.001250 MHz 5.00 x 3.20 x 1.30 mm CMOS -20 to 70 °C +/-25 ppm ≤ 2.6 mA +/-3ppm 45 to 55 %
X1G0044610001 SG5032CBN 100.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.30 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 11.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0044610002 SG5032CBN 125.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.30 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 11.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0044610003 SG5032CBN 133.333000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.30 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 11.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0044610004 SG5032CBN 133.330000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.30 mm CMOS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 11.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %

SG5032CAN 7050CAN CBN CCN CMOS

      晶振產(chǎn)品使用每種產(chǎn)品時(shí),請(qǐng)?jiān)?b>石英貼片晶振規(guī)格說明或產(chǎn)品目錄規(guī)定使用條件下使用。因很多種晶振產(chǎn)品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事項(xiàng)也有所不同,比如焊接模式,運(yùn)輸模式,保存模式等等,都會(huì)有所差別。 EPSON晶體,有源晶振,SG5032CBN晶振,X1G0044610001晶振

      晶振產(chǎn)品的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)直到出廠,都會(huì)經(jīng)過嚴(yán)格的測(cè)試檢測(cè)來滿足它的規(guī)格要求。通過嚴(yán)格的出廠前可靠性測(cè)試以提供高質(zhì)量高的可靠性的石英晶振.但是為了金屬面晶振的品質(zhì)和可靠性,必須在適當(dāng)?shù)臈l件下存儲(chǔ),安 裝,運(yùn)輸。請(qǐng)注意以下的注意事項(xiàng)并在最佳的條件下使用產(chǎn)品,我們將對(duì)于客戶按自己的判斷而使用石英晶振所導(dǎo)致的不良不負(fù)任何責(zé)任。

       機(jī)械振動(dòng)的影響:當(dāng)石英振蕩器產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí),比如:壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì)受到影響。這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管晶振產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。 

      1、振蕩電路:晶體諧振器是無源元件,因此受到5032M有源晶振電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運(yùn)行和異常運(yùn)行。因此,在振蕩電路的設(shè)計(jì)中,先決條件之一是如何確定振蕩電路。振動(dòng)安全穩(wěn)定。只有在做出了這個(gè)決定之后,后續(xù)的項(xiàng)目,例如討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時(shí)間和振蕩波形。2。角色的分量與參考值:在振蕩電路的設(shè)計(jì)中,必須認(rèn)識(shí)到個(gè)體的作用。組件.在表1中,以例如振蕩電路為例來描述角色。(圖1)使用一個(gè)通用的C-MOS IC(74hcuo4ap東芝)。當(dāng)反饋電阻(rf)未安裝在振蕩電路中時(shí),如圖所示表1,即使在振蕩功率作用下,LVDS晶振也不會(huì)啟動(dòng)振蕩。電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接,否則振蕩不會(huì)啟動(dòng)。EPSON晶體,有源晶振,SG5032CBN晶振,X1G0044610001晶振

      測(cè)試條件:(1) 電源電壓超過150µs,直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2) 其他輸入電容低于 15 pF.5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測(cè)量程控交換系統(tǒng)晶振頻率時(shí),探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過有源晶振的放大器時(shí),可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。(3) 其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽,以觀察波形。(請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線)

     驅(qū)動(dòng)能力:驅(qū)動(dòng)能力說明5032有源晶振所需電功率,其計(jì)算公式如下:驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2_Re其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。

JLX-6

RB-6

wxewm

公司名:深圳市金洛鑫電子有限公司

聯(lián)系人:茹紅青

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金洛鑫產(chǎn)品系列

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石英晶振
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貼片晶振
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諧振器濾波器
Resonator

溫補(bǔ)晶振
TCXOcrystal

32.768K
32768Kcrystal

霧化片
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智能玩具

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