愛普生株式會社愛普生拓優(yōu)科夢,（EPSON — YOCOM）1942年成立時是精工集團(tuán)的第三家手表制造公司,以石英手表起家的愛普生公司到后續(xù)的生產(chǎn)壓電石英晶體,1996年2月在中國蘇州投資建廠,在當(dāng)時員工人數(shù)就達(dá)2000人,總投資4.055億美元,公司占地200畝,現(xiàn)已經(jīng)是世界500強(qiáng)企業(yè).

      EPSON愛普生公司成立于1942年5月,總部位于日本長野縣諏訪市,是數(shù)碼映像領(lǐng)域的全球領(lǐng)先企業(yè).愛普生集團(tuán)通過富有創(chuàng)新和創(chuàng)造力的文化,提升企業(yè)價(jià)值,致力于為客戶提供數(shù)碼影像創(chuàng)新技術(shù)和解決方案.愛普生拓優(yōu)科夢是一家專業(yè)從事晶體元件的廠商,愛普生拓優(yōu)科夢（Epson — yocom）運(yùn)用長年積累的培育人工貼片晶振以及以加工為代表的、實(shí)現(xiàn)精微化、高精度、高品質(zhì)的綜合技術(shù),提出“3D戰(zhàn)略”究極應(yīng)用石英特性而制造的三大元器件:定時元器件、傳感元器件、光學(xué)元器件,并創(chuàng)出將其復(fù)合而成的模塊,為成為不可缺少的企業(yè)而邁進(jìn)至今.

      EPSON晶體,有源晶振,SG7050EAN晶振,X1G0042910001晶振,注重所使用水晶、研磨砂的選擇等；注重石英晶振研磨用工裝如：游輪的設(shè)計(jì)及選擇，從而使研磨晶振晶片在平面度、平行度、彎曲度都有很好的控制，最終使可研磨的石英晶振晶片的厚度越來越薄，貼片晶振晶片的頻率越來越高，為公司在高頻石英晶振的研發(fā)生產(chǎn)打下堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)，提升了晶振廠家的競爭力，使晶振廠家高頻石英晶振的研發(fā)及生產(chǎn)領(lǐng)先于國內(nèi)其它公司。

      貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面石英晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢,耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

愛普生日產(chǎn)有源兆赫茲晶振型號列表：

Model	Frequency	LxWxH	Output Wave	Ope Temperature	Freq. Tol.	I [Max]	25°C Aging	Aging2	Symmetry
SG7050VAN	80.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.60 mm	LVDS	-40 to 85 °C	+/-30 ppm	≤ 30.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG7050VAN	114.285000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.60 mm	LVDS	-40 to 85 °C	+/-30 ppm	≤ 30.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG7050VAN	250.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.60 mm	LVDS	-40 to 85 °C	+/-30 ppm	≤ 30.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG7050VAN	350.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.60 mm	LVDS	-40 to 85 °C	+/-30 ppm	≤ 30.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG7050EAN	125.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.60 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 65.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG7050EAN	155.520000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.60 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 65.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG7050EAN	312.500000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.60 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 65.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG7050EAN	150.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.60 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 65.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG7050EAN	156.250000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.60 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 65.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %

Product Number	Model	Frequency	LxWxH	Output Wave	Ope Temperature	Freq. Tol.	I [Max]	25°C Aging	Aging2	Symmetry
X1G0042810103	SG7050VAN	80.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.60 mm	LVDS	-40 to 85 °C	+/-30 ppm	≤ 30.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0042810104	SG7050VAN	114.285000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.60 mm	LVDS	-40 to 85 °C	+/-30 ppm	≤ 30.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0042810105	SG7050VAN	250.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.60 mm	LVDS	-40 to 85 °C	+/-30 ppm	≤ 30.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0042810106	SG7050VAN	350.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.60 mm	LVDS	-40 to 85 °C	+/-30 ppm	≤ 30.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0042910001	SG7050EAN	125.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.60 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 65.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0042910002	SG7050EAN	155.520000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.60 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 65.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0042910003	SG7050EAN	312.500000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.60 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 65.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0042910004	SG7050EAN	150.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.60 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 65.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0042910005	SG7050EAN	156.250000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.60 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 65.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %

       存儲事項(xiàng):(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時間保存金屬面晶體時,會影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些石英晶振產(chǎn)品,并在開封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長期儲藏。 正常溫度和濕度： 溫度：+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH。 (2) 請仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會導(dǎo)致卷帶受到損壞。EPSON晶體,有源晶振,SG7050EAN晶振,X1G0042910001晶振

       耐焊性：將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品。在下列回流條件下,對石英晶振產(chǎn)品甚至進(jìn)口石英晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時間。同時,在安裝條件更改的情況下,請?jiān)俅芜M(jìn)行檢查。如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。

       7050晶振自動安裝和真空化引發(fā)的沖擊會破壞產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品。請?jiān)O(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對晶振特性產(chǎn)生影響。條件改變時,請重新檢查安裝條件。同時,在安裝前后,請確保石英晶振產(chǎn)品未撞擊機(jī)器或其他電路板等。

       驅(qū)動能力:驅(qū)動能力說明振蕩晶體單元所需電功率，其計(jì)算公式如下：驅(qū)動能力 (P) = i2?Re其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流.EPSON晶體,有源晶振,SG7050EAN晶振,X1G0042910001晶振

       Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）.振蕩補(bǔ)償:除非在電話機(jī)晶體振蕩器振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會增加振蕩啟動時間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時提供足夠的負(fù)極電阻。

       晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。振蕩開始代替。在低消耗六腳晶振基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個范圍內(nèi)。K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例（kHz頻段），需要連接一個電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流，調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵磁。電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動。

       C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負(fù)載能力。適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D）取決于諧振器的類型，頻帶和設(shè)備的價(jià)值。電容器（C1，C2）。精確值是通過7050壓電6腳晶振測量振蕩電路的特性來確定的（包括負(fù)電阻和驅(qū)動級）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個范圍內(nèi)。?幾K?。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序，在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右，僅供參考。

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