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熱門關(guān)鍵詞 : 石英晶體諧振器進(jìn)口晶振精工晶振京瓷晶振西鐵城晶振鴻星晶振石英晶振加高晶振希華晶振NDK晶振村田晶振

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愛普生晶振,差分晶振,SG7050VAN晶振,X1G0042810001晶振

頻率:125.000MHz

尺寸:7.0*5.0*1.4mm

此款晶振電源電壓相較于之前能夠做到2.5V~3.3V之間,其工作溫度以及儲(chǔ)存溫度范圍遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了普通晶振,達(dá)到了-45°~+100°的溫度范圍,差分晶振的精度值(PPM)可精確到±10PM,普通晶振達(dá)不到的輸出電壓,差分晶振做到了1V,起振時(shí)間超快為0秒,隨機(jī)抖動(dòng)性能0.2ps Typ. 3ps Typ. 25ps Typ. 4ps Typ.都是較為常見的,相位抖動(dòng)能從0.3ps Max-1ps Max.

訂購(gòu)熱線:0755-27837162

          愛普生公司擁有世界頂端的機(jī)械技術(shù),是全球數(shù)碼映像的領(lǐng)軍企業(yè),同時(shí)也生產(chǎn)打印機(jī)和影印機(jī)等產(chǎn)品.而在電子元器件中,占主席地位,石英晶振中,EPSON愛普生做的異常出色.具了解,愛普生現(xiàn)已實(shí)現(xiàn)成為石英部件的NO1,40多年前為支持SEIKO(精工)手表而成立的Epson石英部件部門強(qiáng)在PC、NB、手機(jī)及消費(fèi)電子等運(yùn)用上,市占率高達(dá)七八成,其中又以32.768k晶振稱霸業(yè)界。
          愛普生晶振以音叉型石英晶體諧振器,(32.768KHZ)系列出名,目前愛普生品牌遍布全世界,而千赫茲的晶體應(yīng)用范圍也比較廣闊,所有的時(shí)記產(chǎn)品都需要用上KHZ系列晶體,該系列產(chǎn)品具有小型,薄型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場(chǎng)領(lǐng)域.是對(duì)應(yīng)陶瓷晶振(偏差大)和通常的石英晶體諧振器(偏差?。┑闹虚g領(lǐng)域的一種性價(jià)比出色的產(chǎn)品.愛普生晶振,差分晶振,SG7050VAN晶振,X1G0042810001晶振

          愛普生晶振,差分晶振,SG7050VAN晶振,X1G0042810001晶振.差分石英晶體振蕩器使用于網(wǎng)絡(luò)路由器、SATA,光纖通信,10G以太網(wǎng)、超速光纖收發(fā)器、網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)等網(wǎng)絡(luò)通訊設(shè)備中.網(wǎng)絡(luò)設(shè)備對(duì)高標(biāo)準(zhǔn)參考時(shí)鐘的需求尤其突出,要求做為系統(tǒng)性能重要參數(shù)的相位抖動(dòng)具備低抖動(dòng)特征.使用于產(chǎn)品中能夠很容易地識(shí)別小信號(hào),能夠從容精確地處理'雙極'信號(hào),對(duì)外部電磁干擾(EMI)是高度免疫的.差分石英晶振滿足市場(chǎng)需求,實(shí)現(xiàn)高頻高精度等要求,更加保障了各種系統(tǒng)參考時(shí)鐘的可靠性.
         石英晶振高精度晶片的拋光技術(shù):貼片晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù),最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值。從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作。使用先進(jìn)的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測(cè)晶片表面的狀態(tài)。

愛普生溫補(bǔ)晶振規(guī)格

SG7050VAN晶振

溫補(bǔ)晶振頻率

73.500MHz~700.000MHz

常用標(biāo)準(zhǔn)頻率

100MHz,113MHz,125MHz,133.3333MHz,200MHz,156.25MHz

工作電壓

+2.5V~+3.3V (代表値)
電源電圧は+1.7V+3.3V範(fàn)囲の任意の電圧で動(dòng)作可能

靜態(tài)電流

(工作時(shí))+1.2 mA max. (F15MHz) +1.4 mA max. (15F26MHz)
+1.6 mA max. (F
26MHz)(スタンバイ時(shí))+1μA以下

TCXO輸出電壓

0.8Vp-p min.

TCXO輸出負(fù)載

10kΩ//10pF) ±10

常規(guī)溫度偏差

±20/30/50×10-6 (After 2 reflows)

頻率溫度偏差

±30×10-6/-40℃~+85

±50×10-6/-20℃~+70℃(オプション)

X1G0042810001晶振系列原廠編碼:

Rearranges
Product Number
Rearranges
Model
Rearranges
Frequency
Rearranges Rearranges Rearranges,Rearranges
LxWxH
Output Wave Ope Temperature Rearranges
Freq. Tol.
Rearranges
I [Max]
Rearranges Rearranges,Rearranges
25°C Aging
Symmetry
X1G0042810001 SG7050VAN 125.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.60 mm LVDS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 30.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0042810002 SG7050VAN 125.006250 MHz 7.00 x 5.00 x 1.60 mm LVDS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 30.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0042810004 SG7050VAN 100.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.60 mm LVDS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 30.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0042810005 SG7050VAN 200.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.60 mm LVDS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 30.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0042810006 SG7050VAN 400.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.60 mm LVDS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 30.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0042810007 SG7050VAN 106.250000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.60 mm LVDS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 30.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0042810008 SG7050VAN 212.500000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.60 mm LVDS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 30.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0042810009 SG7050VAN 74.250000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.60 mm LVDS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 30.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0042810010 SG7050VAN 148.500000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.60 mm LVDS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 30.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0042810011 SG7050VAN 75.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.60 mm LVDS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 30.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0042810012 SG7050VAN 150.000000 MHz 7.00 x 5.00 x 1.60 mm LVDS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 30.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %

SG3225VAN LVDS LVPECL

愛普生SG7050VAN差分晶振系列型號(hào)規(guī)格表:

SG7050VANXH

噪音
      在電源或輸入端上施加執(zhí)行級(jí)別(過高)的不相干(外部的)噪音,可能會(huì)導(dǎo)致7050貼片晶振引發(fā)功能失?;驌舸┑拈]門或雜散現(xiàn)象。
電源線路
      電源的線路阻抗應(yīng)盡可能低。
輸出負(fù)載
      建議將輸出負(fù)載安裝在盡可能靠近石英振蕩器的地方(在20 mm范圍之間)。
未用輸入終端的處理
      未用針腳可能會(huì)引起噪聲響應(yīng),從而導(dǎo)致非正常工作。同時(shí),當(dāng)P通道和N通道都處于打開時(shí),電源功率消耗也會(huì)增加;因此,請(qǐng)將未用輸入終端連接到VCC 或GND。
熱影響
      重復(fù)的溫度巨大變化可能會(huì)降低受損害的7050封裝晶振的產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿。必須避免這種情況。
安裝方向
      進(jìn)口晶體振蕩器的不正確安裝會(huì)導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時(shí),請(qǐng)檢查安裝方向是否正確。
通電
      不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會(huì)導(dǎo)致低電壓晶振無(wú)法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作。

             驅(qū)動(dòng)能力:驅(qū)動(dòng)能力說明石英晶體振蕩器所需電功率,其計(jì)算公式如下:驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2_Re其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2

       1、振蕩電路:晶體諧振器是無(wú)源元件,因此受到電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運(yùn)行和異常運(yùn)行。因此,在振蕩電路的設(shè)計(jì)中,先決條件之一是如何確定振蕩電路。晶體諧振器的振動(dòng)安全穩(wěn)定。只有在做出了這個(gè)決定之后,后續(xù)的項(xiàng)目,例如討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時(shí)間和振蕩波形。
      2。角色的分量與參考值:在振蕩電路的設(shè)計(jì)中,必須認(rèn)識(shí)到個(gè)體的作用。組件.在表1中,以例如振蕩電路為例來(lái)描述角色。(圖1)使用一個(gè)通用的C-MOS IC(74hcuo4ap東芝)。當(dāng)反饋電阻(rf)未安裝在振蕩電路中時(shí),如圖所示表1,即使在振蕩功率作用下,LVDS晶振也不會(huì)啟動(dòng)振蕩。電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接,否則振蕩不會(huì)啟動(dòng)。

        測(cè)試條件:(1) 電源電壓超過150µs,直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2) 其他輸入電容低于 15 pF.5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測(cè)量頻率時(shí),探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過有源晶振的放大器時(shí),可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。(3) 其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽,以觀察波形。(請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線)愛普生晶振,差分晶振,SG7050VAN晶振,X1G0042810001晶振

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