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愛普生晶振,差分晶振,SG5032VAN晶振,X1G0042610001晶振

頻率:100.000MHz

尺寸:5.0*3.2*1.0mm

差分晶振的使用特點在于能夠從50MHZ頻率做到700MHZ的高頻點.特別是“SAW單元很低的抖動振蕩器”能達到聲表面波等要求值,簡稱為“低抖動振蕩器”.此款晶振電源電壓相較于之前能夠做到2.5V~3.3V之間,其工作溫度以及儲存溫度范圍超過了普通晶振,達到了-45°~+100°的溫度范圍.
訂購熱線:0755-27837162

          愛普生株式會社愛普生拓優(yōu)科夢,(EPSON — YOCOM)1942年成立時是精工集團的第三家手表制造公司,以石英手表起家的愛普生公司到后續(xù)的生產(chǎn)石英晶體振蕩器,1996年2月在中國蘇州投資建廠,在當時員工人數(shù)就達2000人,總投資4.055億美元,公司占地200畝,現(xiàn)已經(jīng)是世界500強企業(yè).
          愛普生以提供原子鐘的時鐘晶體知名業(yè)界。在電子部件幅員中,2008年石英振蕩器(包括Cystral和OSC)的市場規(guī)模僅約為半導體(約2600億美元)的2%(約50億美元)不到,算是利基市場,也因此身為其間的指導廠商,EPSON(Epson Toyocom的營業(yè)額高達800億日圓)最大的希望是要讓石英部件產(chǎn)業(yè)更上一層樓;并期許自身的目的是要從Leading No.1增長到Unique1。愛普生晶振,差分晶振,SG5032VAN晶振,X1G0042610001晶振

          愛普生晶振,差分晶振,SG5032VAN晶振,X1G0042610001晶振.差分晶振具有低電平,低功耗等功能,低電流電壓可達到低值1V, 工作電壓在2.5V-3.3V,低抖動差分晶振是目前行業(yè)中具有高要求,高技術(shù)的石英晶體振蕩器,差分晶振相位低,低損耗等特點, 差分晶振的頻率相對都比較高,差分貼片晶體振蕩器使用于產(chǎn)品中能夠很容易地識別小信號,能夠從容精確地處理'雙極'信號,對外部電磁干擾(EMI)是高度免疫的.
          石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù):是愛普生晶振目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設(shè)計等)。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強,貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi)。

愛普生晶振

標示

SG5032VAN晶振

晶振基本信息對照表

標準范圍

f0

73.500MHz~700.000MHz

 

電源電圧

Vcc

+2.5V~+3.3V

 

輸出電流

Icc

3.5mA max.

Vcc=3.3V

頻率負載

L_CMOS

15pF


標準頻率偏差

f_tol

±20、30、50×10-6 max.

SG3225VEN,SG3225EEN,SG3225HBN,SG3225EAN,SG3225VAN

初期偏差、
周波數(shù)溫度特性、
電源、負荷変動特性、
経時変化(1年、+25℃時)

輸出電壓

V

VOH:Vcc×90% min.VOL:Vcc×10% max.

 

對稱

SYM

40%~60%

50% Vcc

標準時間

tr/tf

12ns max.(1.8~80MHz)

10%Vcc~90%

X1G0042610001晶振系列原廠編碼規(guī)格表:

Rearranges
Product Number
Rearranges
Model
Rearranges
Frequency
Rearranges Rearranges Rearranges,Rearranges
LxWxH
Output Wave Ope Temperature Rearranges
Freq. Tol.
Rearranges
I [Max]
Rearranges Rearranges,Rearranges
25°C Aging
Symmetry
X1G0042610001 SG5032VAN 100.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.20 mm LVDS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 30.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0042610002 SG5032VAN 125.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.20 mm LVDS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 30.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0042610003 SG5032VAN 125.006250 MHz 5.00 x 3.20 x 1.20 mm LVDS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 30.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0042610005 SG5032VAN 200.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.20 mm LVDS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 30.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0042610006 SG5032VAN 156.250000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.20 mm LVDS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 30.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0042610007 SG5032VAN 400.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.20 mm LVDS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 30.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0042610008 SG5032VAN 106.250000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.20 mm LVDS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 30.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0042610009 SG5032VAN 212.500000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.20 mm LVDS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 30.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0042610010 SG5032VAN 74.250000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.20 mm LVDS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 30.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0042610011 SG5032VAN 148.500000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.20 mm LVDS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 30.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0042610012 SG5032VAN 75.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.20 mm LVDS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 30.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0042610013 SG5032VAN 150.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.20 mm LVDS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 30.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %

SG3225VAN LVDS LVPECL

愛普生SG5032VAN晶振同類型型號表:

SG5032VANXH

抗沖擊
           貼片晶振可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。
輻射
           暴露于輻射環(huán)境會導致六腳石英晶振性能受到損害,因此應避免照射。
化學制劑/pH值環(huán)境
           請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解進口晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
           請勿使用可能導致5032貼片晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。)
鹵化合物
           請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用無源晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
           過高的靜電可能會損壞六腳貼片5032晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。

        晶體諧振腔的形式模式,但泛音振蕩或基波。振蕩開始代替。在基本諧振的情況下(MHz頻段)反饋電阻通常是1米。在泛音諧振器(兆赫頻帶)的情況下,值取決于IC和頻率特性,但在幾個范圍內(nèi)。在音叉式諧振器的案例(kHz頻段),需要連接一個電阻10米。限制流入諧振器的電流,調(diào)節(jié)負電阻和勵磁。電平,防止諧振腔的反常振蕩,抑制頻率波動。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負載能力。愛普生晶振,差分晶振,SG5032VAN晶振,X1G0042610001晶振
     適當?shù)目刂齐娮柚担≧D)取決于差分石英晶振的類型,頻帶和設(shè)備的價值。電容器(C1,C2)。精確值是通過測量振蕩電路的特性來確定的(包括負電阻和驅(qū)動級)。AT切割諧振器(兆赫頻帶)的參考值在幾個范圍內(nèi)。音叉式諧振器(kHz頻段)的參考值在100 K。安裝電容器的適當值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序,在3pF的范圍內(nèi)-33pF左右,僅供參考。

        此外,振蕩頻率與測量點不同。1。測量緩沖輸出2。愛普生差分晶振振蕩級輸出測量三.通過電容器測量振蕩級輸出圖5示出以上1-3個測量點和所測量的除緩沖器輸出外,振蕩頻率較低。

        振蕩補償:除非在LVDS差分晶振振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請在電路設(shè)計時提供足夠的負極電阻。

JLX-6

RB-6

wxewm

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