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愛(ài)普生晶振,差分晶振,SG3225VAN晶振,X1G0042410001晶振
頻率：125.000MHz
尺寸：3.2*2.5*1.05mm
晶振技術(shù)參數(shù)點(diǎn)擊下載
愛(ài)普生品牌系列千赫子的石英貼片晶振,目前占據(jù)了中國(guó)市場(chǎng)進(jìn)口晶25％的份額,品牌質(zhì)量,貨期,品種,品質(zhì)是廣大用戶有目共睹,從MC-146晶振最早期從MP4,MP3收音機(jī)模塊啟用開(kāi)始,在到國(guó)內(nèi)外各大知名品牌手機(jī),最后應(yīng)用到國(guó)內(nèi)山寨手機(jī)市場(chǎng),幾乎占據(jù)80％的手機(jī)行業(yè)晶振類(lèi)別,產(chǎn)品本身特點(diǎn)是體積小,耐高溫,穩(wěn)定性能高,排帶包裝,應(yīng)用自動(dòng)貼片方便.
愛(ài)普生拓優(yōu)科夢(mèng)（Epson Toyocom）是精工愛(ài)普生株式會(huì)社與愛(ài)普生（中國(guó)）有限公司共同投資成立的有限責(zé)任公司（外商合資）.目前注冊(cè)資本2500萬(wàn)美金.現(xiàn)員工人數(shù):1500人.主要從事壓電石英晶振系列產(chǎn)品的生產(chǎn),投資初期主要生產(chǎn)32.768KHZ系列產(chǎn)品,從2009年起32.768K系列產(chǎn)品轉(zhuǎn)向馬來(lái)西亞量產(chǎn).蘇州愛(ài)普生工廠就以生產(chǎn)高端的石英晶體振蕩器為主,普通石英晶體諧振器為輔.愛(ài)普生晶振,差分晶振,SG3225VAN晶振,X1G0042410001晶振
有源晶振高頻振蕩器使用IC與晶片設(shè)計(jì)匹配技術(shù)：有源晶振是高頻振蕩器研發(fā)及生產(chǎn)過(guò)程必須要解決的技術(shù)難題。在設(shè)計(jì)過(guò)程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外，還有石英晶體振蕩器的電極設(shè)計(jì)等其它的特殊性，必須考慮石英晶體振蕩器的供應(yīng)電壓、起動(dòng)電壓和產(chǎn)品上升時(shí)間、下降時(shí)間等相關(guān)參數(shù)。
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愛(ài)普生溫補(bǔ)晶振規(guī)格 |
SG3225VAN晶振 |
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溫補(bǔ)晶振頻率 |
73.500MHz~700.000MHz |
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常用標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
100MHz,125MHz,133MHz,156.25MHz,200MHz,700MHz |
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工作電壓 |
+2.5V~+3.3V （代表値） |
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靜態(tài)電流 |
（工作時(shí)）+1.2 mA max. (F≦15MHz) +1.4 mA max. (15＜F≦26MHｚ） |
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TCXO輸出電壓 |
0.8Vp-p min. |
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TCXO輸出負(fù)載 |
（10kΩ//10pF) ±10％ |
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常規(guī)溫度偏差 |
±20/30/50×10-6 (After 2 reflows) |
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頻率溫度偏差 |
±30×10-6/-20℃～+70℃ |
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±50×10-6/-40℃～+85℃（オプション） |
X1G0042410001晶振系列原廠編碼：
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Frequency | LxWxH |
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Ope Temperature |
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Symmetry | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0042410001 | SG3225VAN | 125.000000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | LVDS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 30.0 mA | +/-5ppm | 45 to 55 % | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0042410002 | SG3225VAN | 125.006250 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | LVDS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 30.0 mA | +/-5ppm | 45 to 55 % | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0042410004 | SG3225VAN | 100.000000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | LVDS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 30.0 mA | +/-5ppm | 45 to 55 % | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0042410005 | SG3225VAN | 200.000000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | LVDS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 30.0 mA | +/-5ppm | 45 to 55 % | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0042410006 | SG3225VAN | 400.000000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | LVDS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 30.0 mA | +/-5ppm | 45 to 55 % | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0042410007 | SG3225VAN | 106.250000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | LVDS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 30.0 mA | +/-5ppm | 45 to 55 % | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0042410008 | SG3225VAN | 212.500000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | LVDS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 30.0 mA | +/-5ppm | 45 to 55 % | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0042410009 | SG3225VAN | 74.250000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | LVDS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 30.0 mA | +/-5ppm | 45 to 55 % | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0042410010 | SG3225VAN | 148.500000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | LVDS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 30.0 mA | +/-5ppm | 45 to 55 % | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0042410011 | SG3225VAN | 75.000000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | LVDS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 30.0 mA | +/-5ppm | 45 to 55 % | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0042410012 | SG3225VAN | 150.000000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | LVDS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 30.0 mA | +/-5ppm | 45 to 55 % | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0042410014 | SG3225VAN | 156.250000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | LVDS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 30.0 mA | +/-5ppm | 45 to 55 % | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0042410015 | SG3225VAN | 312.500000 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | LVDS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 30.0 mA | +/-5ppm | 45 to 55 % | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0042410016 | SG3225VAN | 312.515625 MHz | 3.20 x 2.50 x 1.20 mm | LVDS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 30.0 mA | +/-5ppm | 45 to 55 % |
愛(ài)普生SG3225VAN差分晶振系列型號(hào)規(guī)格表：
表面安裝型晶體單元的安裝
（1）嚴(yán)重的溫度變化在長(zhǎng)時(shí)間和反復(fù)的嚴(yán)重溫度變化下焊料可能會(huì)破裂;這是由于擴(kuò)張?jiān)斐傻挠∷⒕€路板的溫度系數(shù)不同材料和表面貼裝型晶體陶瓷封裝。如果預(yù)期會(huì)出現(xiàn)這種情況并避免此類(lèi)問(wèn)題。
（2）自動(dòng)安裝引起的沖擊
請(qǐng)注意，在超小型石英晶振自動(dòng)安裝過(guò)程中，此類(lèi)過(guò)程作為吸附，夾緊或安裝到電路板上，可以對(duì)晶體單元施加太大的機(jī)械沖擊，并且電氣特性可能會(huì)改變或惡化。
（3）彎曲PC板引起的應(yīng)力
如果3225車(chē)載振蕩器焊接到PC板后，則電路板是彎曲，機(jī)械應(yīng)力可能導(dǎo)致焊接部分剝離或晶體單元包裝破裂。
（4）接地端子
如果晶體單元配有接地端子，請(qǐng)確保將其焊接到GND或電源端子。如果不是接地，可能無(wú)法獲得正確的頻率。
焊接和超聲波清洗
晶體單元的焊接溫度條件是旨在允許同時(shí)處理其他電子元件，但取決于產(chǎn)品類(lèi)型條件可能受到限制。確認(rèn)使用前的條件?；旧希暡ㄇ逑粗竸┰试S，但在某些情況下，與振蕩共振超聲波清潔器的頻率可能會(huì)導(dǎo)致晶體單元的特性惡化。請(qǐng)檢查所有清潔前的條件。
腐蝕性物質(zhì)的影響
當(dāng)晶體單元接觸鹽或腐蝕性材料或長(zhǎng)期暴露于某些物質(zhì)這可能是氯化物或硫化物氣體等氣氛造成嚴(yán)重的缺陷，例如包裝失去其密封性由于腐蝕。選擇粘合劑或灌封時(shí)要特別小心用于晶體單元周邊的試劑。
驅(qū)動(dòng)能力：驅(qū)動(dòng)能力說(shuō)明LVDS晶振所需電功率，其計(jì)算公式如下：驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2_Re其中i表示經(jīng)過(guò)晶體單元的電流，Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。
1、振蕩電路：晶體諧振器是無(wú)源元件，因此受到電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運(yùn)行和異常運(yùn)行。因此，在振蕩電路的設(shè)計(jì)中，先決條件之一是如何確定振蕩電路。晶體諧振器的振動(dòng)安全穩(wěn)定。只有在做出了這個(gè)決定之后，后續(xù)的項(xiàng)目，例如討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時(shí)間和振蕩波形。愛(ài)普生晶振,差分晶振,SG3225VAN晶振,X1G0042410001晶振
2。角色的分量與參考值：在振蕩電路的設(shè)計(jì)中，必須認(rèn)識(shí)到個(gè)體的作用。組件.在表1中，以例如振蕩電路為例來(lái)描述角色。（圖1）使用一個(gè)通用的C-MOS IC（74hcuo4ap東芝）。當(dāng)反饋電阻（rf）未安裝在振蕩電路中時(shí)，如圖所示表1，即使在振蕩功率作用下，差分晶體振蕩器也不會(huì)啟動(dòng)振蕩。電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接，否則振蕩不會(huì)啟動(dòng)。
測(cè)試條件：(1) 電源電壓超過(guò)150µs，直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2) 其他輸入電容低于 15 pF.5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測(cè)量頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過(guò)差分晶振的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。(3) 其他：CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線）
公司名：深圳市金洛鑫電子有限公司
聯(lián)系人：茹紅青
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