愛(ài)普生貼片式石英晶振振蕩器,低電壓?jiǎn)?dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品2520晶振被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無(wú)鉛.

       EPSON愛(ài)普生公司成立于1942年5月,總部位于日本長(zhǎng)野縣諏訪市,是數(shù)碼映像領(lǐng)域的全球領(lǐng)先企業(yè).愛(ài)普生集團(tuán)通過(guò)富有創(chuàng)新和創(chuàng)造力的文化,提升企業(yè)價(jià)值,致力于為客戶提供數(shù)碼影像創(chuàng)新技術(shù)和解決方案.愛(ài)普生拓優(yōu)科夢(mèng)是一家專業(yè)從事晶體元件的廠商,愛(ài)普生拓優(yōu)科夢(mèng)（Epson — yocom）運(yùn)用長(zhǎng)年積累的培育人工貼片晶振以及以加工為代表的、實(shí)現(xiàn)精微化、高精度、高品質(zhì)的綜合技術(shù),提出“3D戰(zhàn)略”究極應(yīng)用石英特性而制造的三大元器件:定時(shí)元器件、傳感元器件、光學(xué)元器件.

      EPSON晶體,有源晶振,SG-210STF晶振,X1G0041710002晶振,晶振的真空封裝技術(shù)：是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝。1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生；2.使晶振組件在真空下電阻減小；3.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。

       2520mm體積的晶振,可以說(shuō)是目前小型數(shù)碼產(chǎn)品的福音,目前超小型的智能手機(jī)里面所應(yīng)用的就是小型的石英晶振,該產(chǎn)品最適用于無(wú)線通訊系統(tǒng),無(wú)線局域網(wǎng),已實(shí)現(xiàn)低相位噪聲,低電壓,低消費(fèi)電流和高穩(wěn)定度,超小型,質(zhì)量輕等產(chǎn)品特點(diǎn),產(chǎn)品本身編帶包裝方式,可對(duì)應(yīng)自動(dòng)高速貼片機(jī)應(yīng)用,以及高溫回流焊接（產(chǎn)品無(wú)鉛對(duì)應(yīng)）,為無(wú)鉛產(chǎn)品.

愛(ài)普生日產(chǎn)有源兆赫茲晶振型號(hào)列表：

Model	Frequency	LxWxH	Output Wave	Ope Temperature	Freq. Tol.	I [Max]	25°C Aging	Aging2	Symmetry
SG-210SEH	145.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 8.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG-210SEH	150.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 8.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG-210SEH	100.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-100 ppm	≤ 6.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG-210SEH	98.304000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 6.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG-210STF	33.300000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 2.2 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
SG-210STF	1.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 1.8 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
SG-210STF	1.843200 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 1.8 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
SG-210STF	2.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 1.8 mA	+/-3ppm		45 to 55 %

Product Number	Model	Frequency	LxWxH	Output Wave	Ope Temperature	Freq. Tol.	I [Max]	25°C Aging	Aging2	Symmetry
X1G0039510010	SG-210SEH	145.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 8.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0039510011	SG-210SEH	150.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 8.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0039510013	SG-210SEH	100.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-100 ppm	≤ 6.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0039510014	SG-210SEH	98.304000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 6.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0041710002	SG-210STF	33.300000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 2.2 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
X1G0041710005	SG-210STF	1.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 1.8 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
X1G0041710006	SG-210STF	1.843200 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 1.8 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
X1G0041710007	SG-210STF	2.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 1.8 mA	+/-3ppm		45 to 55 %

       機(jī)械振動(dòng)的影響:當(dāng)OSC振蕩器產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí),比如：壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì)受到影響。這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管晶振產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。EPSON晶體,有源晶振,SG-210STF晶振,X1G0041710002晶振

       晶振產(chǎn)品使用每種產(chǎn)品時(shí),請(qǐng)?jiān)?b>金屬面晶振規(guī)格說(shuō)明或產(chǎn)品目錄規(guī)定使用條件下使用。因很多種晶振產(chǎn)品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事項(xiàng)也有所不同,比如焊接模式,運(yùn)輸模式,保存模式等等,都會(huì)有所差別。 

       晶振產(chǎn)品的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)直到出廠,都會(huì)經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的測(cè)試檢測(cè)來(lái)滿足它的規(guī)格要求。通過(guò)嚴(yán)格的出廠前可靠性測(cè)試以提供高質(zhì)量高的可靠性的石英進(jìn)口晶振.但是為了石英晶振的品質(zhì)和可靠性,必須在適當(dāng)?shù)臈l件下存儲(chǔ),安 裝,運(yùn)輸。請(qǐng)注意以下的注意事項(xiàng)并在最佳的條件下使用產(chǎn)品,我們將對(duì)于客戶按自己的判斷而使用石英晶振所導(dǎo)致的不良不負(fù)任何責(zé)任。

          測(cè)試條件:(1)電源電壓:超過(guò) 150µs，直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測(cè)量頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過(guò)振蕩器的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線）.EPSON晶體,有源晶振,SG-210STF晶振,X1G0041710002晶振

       驅(qū)動(dòng)能力:驅(qū)動(dòng)能力說(shuō)明四腳貼片晶振振蕩晶體單元所需電功率，其計(jì)算公式如下：驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2?Re其中i表示經(jīng)過(guò)晶體單元的電流，Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）.

         振蕩電路的檢查方法:振蕩頻率測(cè)量:必須盡可能地測(cè)量安裝在智能手機(jī)晶振電路上的諧振器的振蕩頻率的真實(shí)值，使用正確的方法。在振蕩頻率的測(cè)量中，通常使用探頭和頻率計(jì)數(shù)器。然而,我們的目標(biāo)是通過(guò)限制測(cè)量工具對(duì)振蕩電路本身的影響來(lái)測(cè)量。有三種頻率測(cè)量模式，如下面的圖所示（圖）。2, 3和4）。最精確的測(cè)量方法是通過(guò)使用任何能夠精確測(cè)量的頻譜分析儀來(lái)實(shí)現(xiàn)的。

      接觸振蕩電路:探針不影響圖2，因?yàn)榫彌_器的輸出是通過(guò)無(wú)線藍(lán)牙貼片晶振輸入振蕩電路的輸出來(lái)測(cè)量的。逆變器進(jìn)入下一階段。探針不影響圖3，因?yàn)樵贗C上測(cè)量緩沖器輸出（1/1、1/2等）。圖4示出了來(lái)自ic的無(wú)緩沖器輸出接收的情況，由此通過(guò)小尺寸測(cè)量來(lái)最小化探針的效果。輸出點(diǎn)之間的電容（3 pF以下XTAL終端IC）和探針。然而，應(yīng)該注意到，使用這種方法輸出波形較小，測(cè)量不能依賴于即使示波器能檢查振蕩波形，頻率計(jì)數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下，使用放大器來(lái)測(cè)量。

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