EPSON晶體,有源晶振,SG-210SDH晶振,X1G0039410008晶振
頻率:100~156.25MHZ
尺寸:2.5*2.0mm
并創(chuàng)出將其復(fù)合而成的模塊,為成為不可缺少的企業(yè)而邁進(jìn)至今.伴隨信息化社會(huì)的進(jìn)程,現(xiàn)在石英晶體振蕩器元器件已被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備以及家電產(chǎn)品之中,日趨重要. 愛普生拓優(yōu)科夢(mèng)(Epson — yocom)將進(jìn)一步究極用精微加工發(fā)揮“石英”材料的優(yōu)越性能的“QMEMS”技術(shù),創(chuàng)造出更小、更高性能或全新功能的元器件;同時(shí),融合愛普生集團(tuán)的半導(dǎo)體與軟件技術(shù)增添便于使用、能讓顧客更體驗(yàn)到利用價(jià)值的“解決方案”.通過上述工作,我們將為社會(huì)的發(fā)展以及實(shí)現(xiàn)更舒暢的未來而竭誠奉獻(xiàn).
在2010年全球晶振廠家排名中,占據(jù)首位.愛普生僅此一項(xiàng)水晶振動(dòng)子行業(yè)就能足矣讓電子世界的人都敬佩不已.愛普生晶振以32.768KHZ晶振稱霸晶振行業(yè),主要消費(fèi)在手機(jī),PCB,等電子產(chǎn)品.同時(shí)愛普生以提供原子鐘的精準(zhǔn)振蕩器知名業(yè)界.僅此在音叉振子和振蕩器還遠(yuǎn)遠(yuǎn)達(dá)不到愛普生本身的要求.他們要求的是在元器件占領(lǐng)NO1.
EPSON晶體,有源晶振,SG-210SDH晶振,X1G0039410008晶振,貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù):貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動(dòng)方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號(hào)、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理,有一項(xiàng)不完善都會(huì)使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)了不穩(wěn)定。
小型貼片振蕩器,體積的變小也使產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),貼片高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和各式IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛.
|
愛普生晶振規(guī)格 |
SG-210SDH晶振 |
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驅(qū)動(dòng)輸出 |
CMOS |
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常用頻率 |
100~156.25MHZ |
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工作電壓 |
+2.5V(代表値) |
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靜態(tài)電流 |
(工作時(shí))+1.2 mA max. (F≦15MHz) +1.4 mA max. (15<F≦26MHz) |
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TCXO輸出電壓 |
0.8Vp-p min. |
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TCXO輸出負(fù)載 |
(10kΩ//10pF) ±10% |
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常規(guī)溫度偏差 |
±20/30/50×10-6 (After 2 reflows) |
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頻率溫度偏差 |
±30×10-6/-40℃~+85℃ |
|
±50×10-6/-55℃~+125℃(オプション) |
愛普生日產(chǎn)有源兆赫茲晶振型號(hào)列表:
愛普生日產(chǎn)有源兆赫茲晶振編碼列表:
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
Ope Temperature
Freq. Tol.
I [Max]
25°C Aging
Aging2
Symmetry
SG-210SDH
100.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 7.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
SG-210SDH
125.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-50 ppm
≤ 9.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
SG-210SDH
100.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-100 ppm
≤ 7.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
SG-210SDH
133.333000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 9.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
SG-210SDH
125.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 9.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
SG-210SDH
100.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-50 ppm
≤ 7.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
SG-210SDH
156.250000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 9.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
SG-210SDH
125.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-100 ppm
≤ 7.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
Product Number
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
Ope Temperature
Freq. Tol.
I [Max]
25°C Aging
Aging2
Symmetry
X1G0039410001
SG-210SDH
100.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 7.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
X1G0039410002
SG-210SDH
125.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-50 ppm
≤ 9.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
X1G0039410003
SG-210SDH
100.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-100 ppm
≤ 7.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
X1G0039410004
SG-210SDH
133.333000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 9.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
X1G0039410008
SG-210SDH
125.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 9.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
X1G0039410010
SG-210SDH
100.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-50 ppm
≤ 7.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
X1G0039410013
SG-210SDH
156.250000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 9.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
X1G0039410014
SG-210SDH
125.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-100 ppm
≤ 7.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
機(jī)械振動(dòng)的影響:當(dāng)進(jìn)口晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí),比如:壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì)受到影響。這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管晶振產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。 EPSON晶體,有源晶振,SG-210SDH晶振,X1G0039410008晶振
PCB設(shè)計(jì)指導(dǎo):(1) 理想情況下,機(jī)械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個(gè)獨(dú)立于石英晶體器件的PCB板上。如果您安裝在同一個(gè)PCB板上,最好使用余量或切割PCB。當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時(shí),機(jī)械振動(dòng)程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。(2) 在設(shè)計(jì)時(shí)請(qǐng)參考相應(yīng)的推薦封裝。(3) 在使用焊料助焊劑時(shí),按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來使用。(4) 請(qǐng)按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來使用無鉛焊料。
存儲(chǔ)事項(xiàng):(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時(shí)間保存OSC晶振時(shí),會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請(qǐng)?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些石英晶振產(chǎn)品,并在開封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長期儲(chǔ)藏。 正常溫度和濕度: 溫度:+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH。 (2) 請(qǐng)仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞。
振蕩補(bǔ)償:除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻,否則會(huì)增加振蕩啟動(dòng)時(shí)間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。EPSON晶體,有源晶振,SG-210SDH晶振,X1G0039410008晶振
測(cè)試條件:(1)電源電壓:超過 150µs,直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測(cè)量2520mm進(jìn)口晶體振蕩器頻率時(shí),探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過振蕩器的放大器時(shí),可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽,以觀察波形。(請(qǐng)勿使用該探頭的長接地線).
振蕩電路的檢查方法:振蕩頻率測(cè)量:必須盡可能地測(cè)量安裝2520進(jìn)口石英振蕩器在電路上的諧振器的振蕩頻率的真實(shí)值,使用正確的方法。在振蕩頻率的測(cè)量中,通常使用探頭和頻率計(jì)數(shù)器。然而,我們的目標(biāo)是通過限制測(cè)量工具對(duì)振蕩電路本身的影響來測(cè)量。有三種頻率測(cè)量模式,如下面的圖所示(圖)。2, 3和4)。最精確的測(cè)量方法是通過使用任何能夠精確測(cè)量的頻譜分析儀來實(shí)現(xiàn)的。
接觸振蕩電路:探針不影響圖2,因?yàn)榫彌_器的輸出是通過小體積貼片晶振輸入振蕩電路的輸出來測(cè)量的。逆變器進(jìn)入下一階段。探針不影響圖3,因?yàn)樵贗C上測(cè)量緩沖器輸出(1/1、1/2等)。圖4示出了來自ic的無緩沖器輸出接收的情況,由此通過小尺寸測(cè)量來最小化探針的效果。輸出點(diǎn)之間的電容(3 pF以下XTAL終端IC)和探針。然而,應(yīng)該注意到,使用這種方法輸出波形較小,測(cè)量不能依賴于即使示波器能檢查振蕩波形,頻率計(jì)數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下,使用放大器來測(cè)量。
公司名:深圳市金洛鑫電子有限公司
聯(lián)系人:茹紅青
手機(jī):13510569637
電話:0755-27837162
QQ號(hào):657116624
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JLX-PD
金洛鑫產(chǎn)品系列
PRODUCT LINE
石英晶振
QuartzCrystal
- KDS晶振
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- NDK晶振
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- 精工晶振
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- 村田晶振
- 泰藝晶振
- TXC晶振
- 鴻星晶振
- 希華晶振
- 加高晶振
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- 津綻晶振
- 瑪居禮晶振
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- SMI晶振
- Lihom晶振
- SHINSUNG晶振
- NAKA晶振
- AKER晶振
- NKG晶振
- NJR晶振
- Sunny晶振
貼片晶振
SMDcrystal
- CTS晶振
- 微晶晶振
- 瑞康晶振
- 康納溫菲爾德晶振
- 高利奇晶振
- Jauch晶振
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- 維管晶振
- ECScrystal晶振
- 日蝕晶振
- 拉隆晶振
- 格林雷晶振
- SiTimeCrystal晶振
- IDTcrystal晶振
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- PETERMANN晶振
- FCD-Tech晶振
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