愛(ài)普生晶振以音叉型石英晶體諧振器,（32.768KHZ）系列出名,目前愛(ài)普生品牌遍布全世界,而千赫茲的壓電石英晶體應(yīng)用范圍也比較廣闊,所有的時(shí)記產(chǎn)品都需要用上KHZ系列晶體,該系列產(chǎn)品具有小型,薄型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場(chǎng)領(lǐng)域.是對(duì)應(yīng)陶瓷晶振（偏差大）和通常的石英晶體諧振器（偏差?。┑闹虚g領(lǐng)域的一種性?xún)r(jià)比出色的產(chǎn)品.最適用于HDD, SSD, USB數(shù)碼產(chǎn)品,播放器、數(shù)碼相機(jī)、筆記本電腦、移動(dòng)電話等.等用途.

       愛(ài)普生株式會(huì)社愛(ài)普生拓優(yōu)科夢(mèng),（EPSON — YOCOM）1942年成立時(shí)是精工集團(tuán)的第三家手表制造公司,以石英手表起家的愛(ài)普生公司到后續(xù)的生產(chǎn)石英晶體振蕩器,1996年2月在中國(guó)蘇州投資建廠,在當(dāng)時(shí)員工人數(shù)就達(dá)2000人,總投資4.055億美元,公司占地200畝,現(xiàn)已經(jīng)是世界500強(qiáng)企業(yè).

      EPSON晶體,溫補(bǔ)晶振,TG-5035CE晶振,X1G0038310001晶振,3225mm體積貼片晶振適用于汽車(chē)電子領(lǐng)域的表面貼片型石英晶振,本產(chǎn)品已被確定的高信賴(lài)性最適合用于汽車(chē)電子部件,晶體在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,晶振本身具有耐熱,耐振,耐沖擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿(mǎn)足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn).

       注重所使用水晶、研磨砂的選擇等；注重石英晶振研磨用工裝如：游輪的設(shè)計(jì)及選擇，從而使研磨晶振晶片在平面度、平行度、彎曲度都有很好的控制，最終使可研磨的石英晶振晶片的厚度越來(lái)越薄，貼片晶振晶片的頻率越來(lái)越高，為公司在高頻石英晶振的研發(fā)生產(chǎn)打下堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)，提升了晶振廠家的競(jìng)爭(zhēng)力，使晶振廠家高頻石英晶振的研發(fā)及生產(chǎn)領(lǐng)先于國(guó)內(nèi)其它公司。

愛(ài)普生日產(chǎn)有源TCXO兆赫茲晶振型號(hào)列表：

Model	Frequency	LxWxH	Output Wave	F.Tol@25°C	Ope Temperature	Freq/Temp	I [Max]	Freq. Control	25°C Aging
TG-5021CG	33.600000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	-30 to +85 °C	+/-2.00 ppm	≤ 2.0 mA		+/-1ppm
TG-5021CG	32.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	-30 to +85 °C	+/-2.00 ppm	≤ 2.0 mA		+/-1ppm
TG-5021CG	30.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	-30 to +85 °C	+/-2.00 ppm	≤ 2.0 mA		+/-1ppm
TG-5021CE	24.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 0.90 mm	Clipped sine wave	+/-1.5 ppm	-40 to +85 °C	+/-5.00 ppm	≤ 1.5 mA		+/-1ppm
TG-5035CE	19.200000 MHz	3.20 x 2.50 x 0.90 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	-30 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.5 mA		+/-1ppm
TG-5035CE	16.369000 MHz	3.20 x 2.50 x 0.90 mm	Clipped sine wave	+/-1.0 ppm	-30 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.5 mA		+/-1ppm
TG-5035CE	16.368000 MHz	3.20 x 2.50 x 0.90 mm	Clipped sine wave	+/-1.0 ppm	-30 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.5 mA		+/-1ppm
TG-5035CE	16.369000 MHz	3.20 x 2.50 x 0.90 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.5 mA		+/-1ppm
TG-5035CE	26.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 0.90 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.5 mA		+/-1ppm

Product Number	Model	Frequency	LxWxH	Output Wave	F.Tol@25°C	Ope Temperature	Freq/Temp	I [Max]	Freq. Control	25°C Aging
X1G0035810029	TG-5021CG	33.600000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	-30 to +85 °C	+/-2.00 ppm	≤ 2.0 mA		+/-1ppm
X1G0035810035	TG-5021CG	32.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	-30 to +85 °C	+/-2.00 ppm	≤ 2.0 mA		+/-1ppm
X1G0035810039	TG-5021CG	30.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	-30 to +85 °C	+/-2.00 ppm	≤ 2.0 mA		+/-1ppm
X1G0038210044	TG-5021CE	24.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 0.90 mm	Clipped sine wave	+/-1.5 ppm	-40 to +85 °C	+/-5.00 ppm	≤ 1.5 mA		+/-1ppm
X1G0038310001	TG-5035CE	19.200000 MHz	3.20 x 2.50 x 0.90 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	-30 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.5 mA		+/-1ppm
X1G0038310004	TG-5035CE	16.369000 MHz	3.20 x 2.50 x 0.90 mm	Clipped sine wave	+/-1.0 ppm	-30 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.5 mA		+/-1ppm
X1G0038310005	TG-5035CE	16.368000 MHz	3.20 x 2.50 x 0.90 mm	Clipped sine wave	+/-1.0 ppm	-30 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.5 mA		+/-1ppm
X1G0038310014	TG-5035CE	16.369000 MHz	3.20 x 2.50 x 0.90 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.5 mA		+/-1ppm
X1G0038310025	TG-5035CE	26.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 0.90 mm	Clipped sine wave	+/-2.0 ppm	-40 to +85 °C	+/-0.50 ppm	≤ 1.5 mA		+/-1ppm

       存儲(chǔ)事項(xiàng):(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間保存金屬面晶振時(shí),會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請(qǐng)?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些石英晶振產(chǎn)品,并在開(kāi)封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長(zhǎng)期儲(chǔ)藏。 正常溫度和濕度： 溫度：+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH。 (2) 請(qǐng)仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞。EPSON晶體,溫補(bǔ)晶振,TG-5035CE晶振,X1G0038310001晶振

          耐焊性：將進(jìn)口晶振加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品。在下列回流條件下,對(duì)石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會(huì)破壞晶振特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間。同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查。如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。

       PCB設(shè)計(jì)指導(dǎo):(1) 理想情況下,機(jī)械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個(gè)獨(dú)立于3225晶體器件的PCB板上。如果您安裝在同一個(gè)PCB板上,最好使用余量或切割PCB。當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時(shí),機(jī)械振動(dòng)程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。(2) 在設(shè)計(jì)時(shí)請(qǐng)參考相應(yīng)的推薦封裝。(3) 在使用焊料助焊劑時(shí),按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來(lái)使用。(4) 請(qǐng)按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來(lái)使用無(wú)鉛焊料。 

          如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。其中CS表示電路的雜散電容。EPSON晶體,溫補(bǔ)晶振,TG-5035CE晶振,X1G0038310001晶振

       振蕩補(bǔ)償:除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會(huì)增加進(jìn)口低相位晶振振蕩啟動(dòng)時(shí)間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。

       振蕩電路的檢查方法:振蕩頻率測(cè)量:必須盡可能地測(cè)量安裝在小體積高精度晶振電路上的諧振器的振蕩頻率的真實(shí)值，使用正確的方法。在振蕩頻率的測(cè)量中，通常使用探頭和頻率計(jì)數(shù)器。然而,我們的目標(biāo)是通過(guò)限制測(cè)量工具對(duì)振蕩電路本身的影響來(lái)測(cè)量。有三種頻率測(cè)量模式，如下面的圖所示（圖）。2, 3和4）。最精確的測(cè)量方法是通過(guò)使用任何能夠精確測(cè)量的頻譜分析儀來(lái)實(shí)現(xiàn)的。

       接觸振蕩電路:探針不影響圖2，因?yàn)榫彌_器的輸出是通過(guò)貼片晶體振蕩器輸入振蕩電路的輸出來(lái)測(cè)量的。逆變器進(jìn)入下一階段。探針不影響圖3，因?yàn)樵贗C上測(cè)量緩沖器輸出（1/1、1/2等）。圖4示出了來(lái)自ic的無(wú)緩沖器輸出接收的情況，由此通過(guò)小尺寸測(cè)量來(lái)最小化探針的效果。輸出點(diǎn)之間的電容（3 pF以下XTAL終端IC）和探針。然而，應(yīng)該注意到，使用這種方法輸出波形較小，測(cè)量不能依賴(lài)于即使示波器能檢查振蕩波形，頻率計(jì)數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下，使用放大器來(lái)測(cè)量。

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