愛(ài)普生晶振以音叉型石英晶體諧振器,（32.768KHZ）系列出名,目前愛(ài)普生品牌遍布全世界,而千赫茲的石英晶體振蕩器應(yīng)用范圍也比較廣闊,所有的時(shí)記產(chǎn)品都需要用上KHZ系列晶體,該系列產(chǎn)品具有小型,薄型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場(chǎng)領(lǐng)域.是對(duì)應(yīng)陶瓷晶振（偏差大）和通常的石英晶體諧振器（偏差小）的中間領(lǐng)域的一種性價(jià)比出色的產(chǎn)品.最適用于HDD, SSD, USB數(shù)碼產(chǎn)品,播放器、數(shù)碼相機(jī)、筆記本電腦、移動(dòng)電話等.等用途.

       愛(ài)普生晶振以音叉型石英晶體諧振器,（32.768KHZ）系列出名,目前愛(ài)普生品牌遍布全世界,而千赫茲的壓電石英晶體應(yīng)用范圍也比較廣闊,所有的時(shí)記產(chǎn)品都需要用上KHZ系列晶體,該系列產(chǎn)品具有小型,薄型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場(chǎng)領(lǐng)域.是對(duì)應(yīng)陶瓷晶振（偏差大）和通常的石英晶體諧振器（偏差?。┑闹虚g領(lǐng)域的一種性價(jià)比出色的產(chǎn)品.最適用于HDD, SSD, USB數(shù)碼產(chǎn)品,播放器、數(shù)碼相機(jī)、筆記本電腦、移動(dòng)電話等.等用途.

      EPSON晶體,有源晶振,SG-210SCD晶振,X1G0029210002晶振,石英晶振的切割設(shè)計(jì)：用不同角度對(duì)晶振的石英晶棒進(jìn)行切割，可獲得不同特性的石英晶片，通常我們把晶振的石英晶片對(duì)晶棒坐標(biāo)軸某種方位（角度）的切割稱為石英晶片的切型。不同切型的石英晶片，因其彈性性質(zhì)，壓電性質(zhì)，溫度性質(zhì)不同，其電特性也各異，石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切。其它切型還有 CT、DT、GT、NT 等。

      貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動(dòng)貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場(chǎng)領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢(shì),耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動(dòng)通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

愛(ài)普生日產(chǎn)有源兆赫茲晶振型號(hào)列表：

Model	Frequency	LxWxH	Output Wave	Ope Temperature	Freq. Tol.	I [Max]	25°C Aging	Aging2	Symmetry
SG-771PCD	133.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.80 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-30 ppm	≤ 70.0 mA	Included in Frequency tolerance First years		40 to 60 %
SG-771PCD	133.333300 MHz	7.00 x 5.00 x 1.80 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-30 ppm	≤ 70.0 mA	Included in Frequency tolerance First years		40 to 60 %
SG-771PCD	98.304000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.80 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-30 ppm	≤ 70.0 mA	Included in Frequency tolerance First years		40 to 60 %
SG-771PCD	156.250000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.80 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-30 ppm	≤ 70.0 mA	Included in Frequency tolerance First years		40 to 60 %
SG-210SCD	75.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 8.0 mA	+/-3ppm	10ppm ;@?ºC,10Years	45 to 55 %
SG-210SCD	75.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-20 to 70 °C	+/-50 ppm	≤ 8.0 mA	+/-3ppm	10ppm ;@?ºC,10Years	45 to 55 %
SG-210SCD	74.250000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-20 to 70 °C	+/-50 ppm	≤ 8.0 mA	+/-3ppm	10ppm ;@?ºC,10Years	45 to 55 %
SG-210SCD	66.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 8.0 mA	+/-3ppm	10ppm ;@?ºC,10Years	45 to 55 %

Product Number	Model	Frequency	LxWxH	Output Wave	Ope Temperature	Freq. Tol.	I [Max]	25°C Aging	Aging2	Symmetry
X1G0028210116	SG-771PCD	133.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.80 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-30 ppm	≤ 70.0 mA	Included in Frequency tolerance First years		40 to 60 %
X1G0028210117	SG-771PCD	133.333300 MHz	7.00 x 5.00 x 1.80 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-30 ppm	≤ 70.0 mA	Included in Frequency tolerance First years		40 to 60 %
X1G0028210118	SG-771PCD	98.304000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.80 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-30 ppm	≤ 70.0 mA	Included in Frequency tolerance First years		40 to 60 %
X1G0028210121	SG-771PCD	156.250000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.80 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-30 ppm	≤ 70.0 mA	Included in Frequency tolerance First years		40 to 60 %
X1G0029210002	SG-210SCD	75.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 8.0 mA	+/-3ppm	10ppm ;@?ºC,10Years	45 to 55 %
X1G0029210008	SG-210SCD	75.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-20 to 70 °C	+/-50 ppm	≤ 8.0 mA	+/-3ppm	10ppm ;@?ºC,10Years	45 to 55 %
X1G0029210017	SG-210SCD	74.250000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-20 to 70 °C	+/-50 ppm	≤ 8.0 mA	+/-3ppm	10ppm ;@?ºC,10Years	45 to 55 %
X1G0029210019	SG-210SCD	66.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 8.0 mA	+/-3ppm	10ppm ;@?ºC,10Years	45 to 55 %

      機(jī)械振動(dòng)的影響:當(dāng)OSC晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí),比如：壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì)受到影響。這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管晶振產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。 EPSON晶體,有源晶振,SG-210SCD晶振,X1G0029210002晶振

      PCB設(shè)計(jì)指導(dǎo):(1) 理想情況下,機(jī)械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個(gè)獨(dú)立于石英振蕩器器件的PCB板上。如果您安裝在同一個(gè)PCB板上,最好使用余量或切割PCB。當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時(shí),機(jī)械振動(dòng)程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。(2) 在設(shè)計(jì)時(shí)請(qǐng)參考相應(yīng)的推薦封裝。(3) 在使用焊料助焊劑時(shí),按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來(lái)使用。(4) 請(qǐng)按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來(lái)使用無(wú)鉛焊料。

      存儲(chǔ)事項(xiàng):(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間保存貼片石英晶振時(shí),會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請(qǐng)?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些石英晶振產(chǎn)品,并在開(kāi)封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長(zhǎng)期儲(chǔ)藏。 正常溫度和濕度： 溫度：+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH。 (2) 請(qǐng)仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞。

           驅(qū)動(dòng)能力:驅(qū)動(dòng)能力說(shuō)明振蕩晶體單元所需電功率，其計(jì)算公式如下：驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2?Re其中i表示經(jīng)過(guò)晶體單元的電流，Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）.EPSON晶體,有源晶振,SG-210SCD晶振,X1G0029210002晶振

           測(cè)試條件:(1)電源電壓:超過(guò) 150µs，直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測(cè)量2520金屬外殼晶體頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過(guò)振蕩器的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線）.

        晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。振蕩開(kāi)始代替。在2.5*2.0mm金屬面石英晶振基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個(gè)范圍內(nèi)。K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例（kHz頻段），需要連接一個(gè)電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流，調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵(lì)磁。電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動(dòng)。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵(lì)磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負(fù)載能力。

       適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D）取決于諧振器的類型，頻帶和設(shè)備的價(jià)值。電容器（C1，C2）。精確值是通過(guò)進(jìn)口石英貼片晶振測(cè)量振蕩電路的特性來(lái)確定的（包括負(fù)電阻和驅(qū)動(dòng)級(jí)）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個(gè)范圍內(nèi)。?幾K?。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序，在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右，僅供參考。

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