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熱門(mén)關(guān)鍵詞 : 石英晶體諧振器進(jìn)口晶振精工晶振京瓷晶振西鐵城晶振鴻星晶振石英晶振加高晶振希華晶振NDK晶振村田晶振

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村田晶振,TAS-3225F晶振,XRCJH13M000F1QA0P0晶振

頻率:13MHZ

尺寸:3.2*2.5*0.55mm

超小型表面貼片型SMD晶振,最適合使用在汽車(chē)電子領(lǐng)域中,也是特別要求高可靠性的引擎控制用CPU的時(shí)鐘部分.低頻晶振可從13MHz起對(duì)應(yīng),小型,超薄型具備強(qiáng)防焊裂性,石英晶體在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,產(chǎn)品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無(wú)鉛焊接以及高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn).
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金屬面13MHZ石英諧振器,TAS-3225F晶振,XRCJH13M000F1QA0P0晶振

         村田晶振發(fā)展史:73年10月,在中國(guó)香港成立銷(xiāo)售公司—村田有限公司,1978年11月 收購(gòu)臺(tái)灣的生產(chǎn)銷(xiāo)售公司—美國(guó)企業(yè)的當(dāng)?shù)胤ㄈ恕窶allory 現(xiàn)在的(臺(tái)灣村田股份有限公司),1994年7月 在中國(guó)北京成立制造公司—北京村田電子有限公司,主要生產(chǎn)銷(xiāo)售,貼片陶瓷晶振,陶瓷晶體,陶瓷諧振器等,1994年12月1994年12月在中國(guó)江蘇省無(wú)錫市成立生產(chǎn)?銷(xiāo)售公司—無(wú)錫村田電子有限公司,1995年5月在中國(guó)上海成立銷(xiāo)售公司—村田電子貿(mào)易(上海)有限公司,在中國(guó)江蘇省無(wú)錫市成立生產(chǎn)?銷(xiāo)售公司—無(wú)錫村田電子有限公司,1999年7月 村田陶瓷晶振公司在中國(guó)深圳成立銷(xiāo)售公司—村田電子貿(mào)易(深圳)有限公司,1999年8月在中國(guó)天津成立銷(xiāo)售公司—村田電子貿(mào)易(天津)有限公司,主要生產(chǎn)銷(xiāo)售陶瓷晶振,村田陶瓷諧振器,村田晶振等.金屬面13MHZ石英諧振器,TAS-3225F晶振,XRCJH13M000F1QA0P0晶振
     村田晶振制作所基于高尚的企業(yè)道德,遵循其經(jīng)營(yíng)理念,以繼續(xù)成為受社會(huì)信賴的公司為目標(biāo),承諾遵守法律和法規(guī),實(shí)施高度透明的管理、尊重人權(quán)、維護(hù)健康與安全、為社會(huì)發(fā)展和環(huán)境保護(hù)做出貢獻(xiàn).村田進(jìn)口晶振從設(shè)計(jì)階段開(kāi)始減少環(huán)保負(fù)荷的體制建設(shè),村田晶振由環(huán)保主管董事?lián)握麄€(gè)集團(tuán)的環(huán)?;顒?dòng)的總負(fù)責(zé)人,由環(huán)保部跨事業(yè)所支持和促進(jìn)環(huán)?;顒?dòng).此外,社長(zhǎng)的咨詢機(jī)構(gòu)—環(huán)保委員會(huì),還針對(duì)各村田晶振,陶瓷諧振器,村田陶瓷晶振,陶瓷振蕩子,村田石英晶振據(jù)點(diǎn)的活動(dòng)情況和全公司的環(huán)保課題進(jìn)行議論和探討.此外,為大力推進(jìn)二氧化碳減排活動(dòng),設(shè)立了“防止全球變暖委員會(huì)”,加快設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)過(guò)程中CO2減排活動(dòng)的步伐.

       村田晶振,TAS-3225F晶振,XRCJH13M000F1QA0P0晶振,3225mm體積貼片晶振適用于汽車(chē)電子領(lǐng)域的表面貼片型石英晶振,本產(chǎn)品已被確定的高信賴性最適合用于汽車(chē)電子部件,晶體在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,晶振本身具有耐熱,耐振,耐沖擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn).
      超小型、超低頻石英晶振晶片的邊緣處理技術(shù):是超小型、超低頻石英晶振晶體元器件研發(fā)及生產(chǎn)必須解決的技術(shù)問(wèn)題,為壓電石英晶體行業(yè)的技術(shù)難題之一。具體解決的辦法是使用高速倒邊方式,通過(guò)結(jié)合以往低速滾筒倒邊去除晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動(dòng)方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長(zhǎng)短、使用的研磨砂的型號(hào)、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理,有一項(xiàng)不完善都會(huì)使石英晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過(guò)大,用在電路中Q值過(guò)小,從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)不穩(wěn)定。金屬面13MHZ石英諧振器,TAS-3225F晶振,XRCJH13M000F1QA0P0晶振

TXC晶振

單位

TAS-3225F晶振

石英晶振基本條件

標(biāo)準(zhǔn)頻率

f_nom

13MHZ

標(biāo)準(zhǔn)頻率

包裝規(guī)格

mm

180

最小訂購(gòu)單位:3000

工作溫度

T_use

-30°C~+85°C

標(biāo)準(zhǔn)溫度

驅(qū)動(dòng)電平

DL

60μW 

推薦:1~300μW 

頻率公差

f_— l

±13×10-6 (標(biāo)準(zhǔn))

+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明,
請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.908tw.com/

頻率溫度特征

f_tem

(±15)×10-6/-20°C~+70°C

超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.

負(fù)載電容

CL

8pF

不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

80Ω

-20°C~ +70°C, DL = 50μW

頻率老化

f_age

±5×10-6/ year Max.

+25°C,第一年

金屬面13MHZ石英諧振器,TAS-3225F晶振,XRCJH13M000F1QA0P0晶振

金屬面13MHZ石英諧振器,TAS-3225F晶振,XRCJH13M000F1QA0P0晶振

金屬面13MHZ石英諧振器,TAS-3225F晶振,XRCJH13M000F1QA0P0晶振

        所有產(chǎn)品的共同點(diǎn)1:抗沖擊:抗沖擊是指石英無(wú)源晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用。因?yàn)闊o(wú)論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響。 2:輻射:將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽(yáng)光長(zhǎng)時(shí)間的照射。 3:化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境:請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。4:粘合劑:請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。) 村田晶振,TAS-3225F晶振,XRCJH13M000F1QA0P0晶振
      存儲(chǔ)事項(xiàng):(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間保存晶振時(shí),會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請(qǐng)?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些SMD諧振器產(chǎn)品,并在開(kāi)封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長(zhǎng)期儲(chǔ)藏。 正常溫度和濕度: 溫度:+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH。 (2) 請(qǐng)仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞。
     陶瓷晶振與SON產(chǎn)品:在焊接陶瓷封裝晶振和SON產(chǎn)品 (陶瓷包裝是指晶振外觀采用陶瓷制品) 之后,彎曲電路板會(huì)因機(jī)械應(yīng)力而導(dǎo)致焊接部分剝落或封裝分裂(開(kāi)裂)。尤其在焊接這些產(chǎn)品之后進(jìn)行電路板切割時(shí),務(wù)必確保在應(yīng)力較小的位置布局晶體并采用應(yīng)力更小的切割方法。陶瓷包裝石英晶振:在一個(gè)不同擴(kuò)張系數(shù)電路板(環(huán)氧玻璃)上焊接陶瓷封裝石英晶振時(shí),在溫度長(zhǎng)時(shí)間重復(fù)變化時(shí)可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請(qǐng)事先檢查焊接特性。金屬面13MHZ石英諧振器,TAS-3225F晶振,XRCJH13M000F1QA0P0晶振

金屬面13MHZ石英諧振器,TAS-3225F晶振,XRCJH13M000F1QA0P0晶振

        負(fù)載電容:如果3225石英晶體諧振器振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。其中CS表示電路的雜散電容。村田晶振,TAS-3225F晶振,XRCJH13M000F1QA0P0晶振

金屬面13MHZ石英諧振器,TAS-3225F晶振,XRCJH13M000F1QA0P0晶振

        測(cè)試條件:(1) 電源電壓?3225晶體諧振器 超過(guò) 150µs,直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。? 電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2) 其他? 輸入電容低于 15 pF? 5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。? 鉛探頭應(yīng)盡可能短。? 測(cè)量頻率時(shí),探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過(guò)振蕩器的放大器時(shí),可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。(3) 其他? CL包含探頭電容。? 應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。? 使用微型插槽,以觀察波形。(請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線)

金屬面13MHZ石英諧振器,TAS-3225F晶振,XRCJH13M000F1QA0P0晶振

       1、振蕩電路:3225晶體諧振器是耐高溫晶振,因此受到電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運(yùn)行和異常運(yùn)行。因此,在振蕩電路的設(shè)計(jì)中,先決條件之一是如何確定振蕩電路。晶體諧振器的振動(dòng)安全穩(wěn)定。只有在做出了這個(gè)決定之后,后續(xù)的項(xiàng)目,例如討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時(shí)間和振蕩波形。
        2。3.2x2.5石英貼片晶振角色的分量與參考值在振蕩電路的設(shè)計(jì)中,必須認(rèn)識(shí)到個(gè)體的作用。組件.在表1中,以例如振蕩電路為例來(lái)描述角色。(圖1)使用一個(gè)通用的C-MOS IC(74hcuo4ap東芝)。當(dāng)反饋電阻(rf)未安裝在振蕩電路中時(shí),如圖所示表1,即使在振蕩功率作用下,諧振器也不會(huì)啟動(dòng)振蕩。電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接,否則振蕩不會(huì)啟動(dòng)。晶體諧振腔的形式模式,但泛音振蕩或基波。

金屬面13MHZ石英諧振器,TAS-3225F晶振,XRCJH13M000F1QA0P0晶振

JLX-6

RB-6

wxewm

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JLX-PD

金洛鑫產(chǎn)品系列

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Resonator

溫補(bǔ)晶振
TCXOcrystal

32.768K
32768Kcrystal

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智能穿戴

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