希華晶體科技股份有限公司藉由環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)的推動執(zhí)行，以整合內(nèi)部資源，奠定經(jīng)營管理石英晶振的基礎(chǔ)。藉執(zhí)行環(huán)境考量面/安衛(wèi)危害鑒別作業(yè)，環(huán)境/安衛(wèi)管理方案和內(nèi)部稽核為手段，合理化推動環(huán)境/安衛(wèi)管理，落實(shí)環(huán)境/安衛(wèi)系統(tǒng)有效實(shí)施。并不斷透過教育訓(xùn)練灌輸員工環(huán)境/安衛(wèi)觀念及意識，藉由改善公司制程以達(dá)到污染預(yù)防、工業(yè)減廢、安全與衛(wèi)生、符合法規(guī)要求使企業(yè)永續(xù)發(fā)展減少環(huán)境/安衛(wèi)負(fù)擔(dān)，并滿足客戶需求，獲得客戶的信賴而努力。小體積1210石英晶振,超薄金屬面貼片晶體,SX-1210晶振
       希華晶體科技成立于1988年，專精于石英頻率控制元件之研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)與銷售。從人工晶棒長成到最終產(chǎn)品，透過最佳團(tuán)隊(duì)組合及先進(jìn)之生產(chǎn)技術(shù)，建立完整的產(chǎn)品線，包含人工水晶、石英晶片、SAW WAFER，以及石英晶體、晶體振蕩器、晶體濾波器、溫度補(bǔ)償型及電壓控制型產(chǎn)品等，以健全的供應(yīng)煉系統(tǒng)，為客戶提供全方位的服務(wù)。 營運(yùn)據(jù)點(diǎn)遍布臺灣、中國大陸、日本、新加坡、美國及歐洲等世界各地，使希華得以提供服務(wù)予世界電子大廠。 

     希華晶振,貼片晶振,SX-1210晶振,進(jìn)口石英晶振, 貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢,耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
       3.1、石英晶振生產(chǎn)工序主要有晶片清洗、被銀、上架電膠、微調(diào)、封焊、撿漏、印字、老化、測試,3.2、無源晶振晶片清洗：清除石英晶振晶片表面的污物、油物，以保證被銀電極。被復(fù)良好牢固。清洗間有很多化學(xué)試劑,酒精、異丙醇、硫酸、硝酸、清洗液同時(shí)還有電爐烤箱，在晶振生產(chǎn)過程中應(yīng)注意人身安全和設(shè)備安全。3.3、被銀：用真空鍍膜原理在潔凈的石英晶振晶片上蒸鍍薄銀層，形成引出電極，并使其頻率達(dá)到一定范圍 。采用蒸鍍微調(diào)： 被銀片頻率應(yīng)滿足 f 0 +(50 至 1000ppm)的要求，采用離子微調(diào)：離子微調(diào)被銀片頻率應(yīng)滿足 f 0 -(50 至 1200ppm)。小體積1210石英晶振,超薄金屬面貼片晶體,SX-1210晶振

       所有產(chǎn)品的共同點(diǎn):1：抗沖擊 抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。因?yàn)闊o論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響。 2：輻射:將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長時(shí)間的照射。 3：化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境:請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。 希華晶振,貼片晶振,SX-1210晶振,進(jìn)口石英晶振
       4：粘合劑:請勿使用可能導(dǎo)致小體積晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。） 5：鹵化合物:請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。6：靜電:過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進(jìn)行接地操作。小體積1210石英晶振,超薄金屬面貼片晶體,SX-1210晶振
        機(jī)械振動的影響:當(dāng)晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動時(shí),比如：壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響。這種現(xiàn)象對通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管SMD晶振產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。 

       此外，振蕩頻率與測量點(diǎn)不同。1。測量緩沖輸出2。振蕩級輸出測量.三.通過1210mm貼片晶振電容器測量振蕩級輸出,圖5示出以上1-3個(gè)測量點(diǎn)和所測量的除緩沖器輸出外，振蕩頻率較低。希華晶振,貼片晶振,SX-1210晶振,進(jìn)口石英晶振

      振蕩電路的檢查方法:振蕩頻率測量:必須盡可能地測量安裝在金屬四腳石英晶振電路上的諧振器的振蕩頻率的真實(shí)值，使用正確的方法。在振蕩頻率的測量中，通常使用探頭和頻率計(jì)數(shù)器。然而,
我們的目標(biāo)是通過限制測量工具對振蕩電路本身的影響來測量。有三種頻率測量模式，如下面的圖所示（圖）。2, 3和4）。最精確的測量方法是通過使用任何能夠精確測量的頻譜分析儀來實(shí)現(xiàn)的。接觸振蕩電路。
      探針不影響圖2，因?yàn)榫彌_器的輸出是通過輸入振蕩電路的輸出來測量的。逆變器進(jìn)入金屬面貼片晶振下一階段。探針不影響圖3，因?yàn)樵贗C上測量緩沖器輸出（1/1、1/2等）。圖4示出了來自ic的無緩沖器輸出接收的情況，由此通過小尺寸測量來最小化探針的效果。輸出點(diǎn)之間的電容（3 pF以下XTAL終端IC）和探針。然而，應(yīng)該注意到，使用這種方法輸出波形較小，測量不能依賴于即使示波器能檢查振蕩波形，頻率計(jì)數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下，使用放大器來測量。

     測試條件:(1)電源電壓超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF，5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測量頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過1.2*1.0壓電諧振器的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線。）

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