KDS晶振,石英晶振,SM-26F晶振
頻率:30.000KHz~100.000KHz
尺寸:2*6mm
貼片石英晶體諧振器,又簡稱為排帶包裝,這是這產(chǎn)品采用排帶盤式包裝,使產(chǎn)品在焊接時能采用SMT自動貼片機高速的焊接,大大節(jié)約人工,提高工作效率.32.768KHz千赫子時鐘晶體,其本身主要應用在時鐘控制產(chǎn)品,或者是控制模塊,主要給時鐘芯片提供一個基準信號,其主要各項功能還得看應用何種產(chǎn)品.
KDS產(chǎn)品在業(yè)界屬于高端產(chǎn)品,其應用偏向中高端市場. 接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,SMD高速自動安裝和高溫回流焊設計,Optionable待機輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動,低功耗,主要應用領(lǐng)域:無線通訊,高端智能手機,平板筆記本W(wǎng)LAN,藍牙,數(shù)碼相機,DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛.
日本大真空,KDS晶振具有質(zhì)量穩(wěn)定,供貨量平穩(wěn),并且在國內(nèi)有生產(chǎn)線,貼片表晶32.768K系列具有超小型,薄型,質(zhì)地輕的表面貼片音叉型石英晶體諧振器,晶振產(chǎn)品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,在辦公自動化,家電領(lǐng)域,移動通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,符合無鉛標準,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求,金屬外殼的石英晶振使得產(chǎn)品在封裝時能發(fā)揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能.
KDS晶振,石英晶振,SM-26F晶振.32.768K插件音叉型晶體諧振器,產(chǎn)品具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮晶振優(yōu)良的電氣特性,符合RoHS規(guī)定,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,金屬外殼的封裝使得產(chǎn)品在封裝時能發(fā)揮比陶瓷諧振器外殼更好的耐沖擊性.
KDS石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù):是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設計等)。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強,貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi)。
|
KDS晶振 |
符號 |
SM-26F晶振 |
基本信息對照表 |
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Crystal標準頻率 |
f_nom |
30.000KHz~100.000KHz |
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儲存溫度 |
T_stg |
-40℃~+85℃ |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-40℃~+85℃ |
特定的溫度 |
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激勵功率 |
DL |
1.0μW (2.0μW Max.) |
如你有最大激勵功率為10μW 需求,請聯(lián)系我們金洛鑫電子 |
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精度 |
f_— l |
±30ppm |
如有需要更高的精度可以特定. |
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拐點溫度 |
Ti |
+25°C ±5°C |
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負載電容 |
CL |
12.5pF |
可按客戶需求指定 |
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串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
70kΩ Max. |
70kΩ ~ 45kΩ |
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頻率老化 |
f_age |
±3×10-6/year Max. |
+25℃, 第一年 |
清洗
關(guān)于一般清洗液的使用以及超聲波清洗沒有問題,但這僅僅是對單個32.768K晶振產(chǎn)品進行試驗所得的結(jié)果,因此請根據(jù)實際使用狀態(tài)進行確認。
由于音叉型晶體諧振器的頻率范圍和超聲波清洗機的清洗頻率很近,容易受到共振破壞,因此請盡可能避免超聲波清洗。若要進行超聲波清洗,必須事先根據(jù)實際使用狀態(tài)進行確認。
撞擊
雖然日產(chǎn)晶振產(chǎn)品在設計階段已經(jīng)考慮到其耐撞擊性,但如果掉到地板上或者受到過度的撞擊,以防萬一還是要檢查特性后再使用。
裝載
<SMD產(chǎn)品>
SMD晶體產(chǎn)品支持自動貼裝,但還是請預先基于所使用的搭載機實施搭載測試,確認其對特性沒有影響。 在切斷工序等會導致基板發(fā)生翹曲的工序中,請注意避免翹曲影響到產(chǎn)品的特性以及軟焊。 基于超聲波焊接的貼裝以及加工會使得SMD晶體產(chǎn)品(諧振器、振蕩器、濾波器)內(nèi)部傳播過大的振動,有可能導致特性老化以及引起不振蕩,因此不推薦使 用。
<引線類型產(chǎn)品>
當引線彎折、成型以及貼裝到印制電路板時,請注意避免對基座玻璃部分施加壓力。否則有可能導致玻璃出現(xiàn)裂痕,從而引起性能劣化。KDS晶振,石英晶振,SM-26F晶振
保管
保管在高溫多濕的場所可能會導致端子軟焊性的老化。請在沒有直射陽光,不發(fā)生結(jié)露的場所保管。
設計振蕩回路的注意事項
1.驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明圓柱彎腳晶振所需電功率,其計算公式如下:
驅(qū)動能力 (P) = i2_Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。
2.振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加編帶32.768K晶振振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請在電路設計時提供足夠的負極電阻。
3.負載電容
如果SM-26F彎角晶振振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。KDS晶振,石英晶振,SM-26F晶振
頻率和負載電容特征圖器
振蕩回路參數(shù)設置參考
公司名:深圳市金洛鑫電子有限公司
聯(lián)系人:茹紅青
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JLX-PD
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