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NDK晶振,貼片晶振,NX2012SA晶振,NX2012SA-32.768K-STD-MUB-1晶振
頻率：32.768KHz
尺寸：2.0*1.2*0.55mm
晶振技術(shù)參數(shù)點(diǎn)擊下載
對(duì)我們的產(chǎn)品進(jìn)行檢驗(yàn)，同時(shí)告知我們的員工顧客以及公眾，如何安全的使用，如何使用對(duì)環(huán)境影響較小，幫助我們的雇員合同方商業(yè)伙伴服務(wù)提供上理解他們的行為如何影響著環(huán)境。公司的各項(xiàng)能源、資源消耗指標(biāo)和排放指標(biāo)達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先、國(guó)際先進(jìn)水平。NDK晶振集團(tuán)實(shí)施創(chuàng)新戰(zhàn)略，提高自主創(chuàng)新能力，確保公司可持續(xù)發(fā)展。實(shí)施節(jié)約戰(zhàn)略，提高建設(shè)節(jié)約環(huán)保型企業(yè)能力，確保實(shí)現(xiàn)節(jié)能環(huán)保規(guī)劃目標(biāo)。
NDK晶振高精密點(diǎn)膠技術(shù)：石英晶振晶片膠點(diǎn)的位置、大小：位置準(zhǔn)確度以及膠點(diǎn)大小一致性，通過圖像識(shí)別及高精密度數(shù)字定位系統(tǒng)的運(yùn)用、使SMD晶振晶片的點(diǎn)膠的精度在±0.02mm之內(nèi)。將被上銀電極的晶片裝在彈簧支架上，點(diǎn)上導(dǎo)電膠，并高溫固化，通過彈簧即可引出電信號(hào)。
|
NDK晶振 |
單位 |
NX2012SA晶振 |
石英晶振基本條件 |
|
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
32.768KHz |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
|
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-40°C~+85°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-40°C~+85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
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激勵(lì)功率 |
DL |
0.1μW Max. |
推薦:0.1μW/0.5μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±20× 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)) |
+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±20 × 10-6/-40°C ~+85°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
|
負(fù)載電容 |
CL |
6pF/9PF/12.5PF |
不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
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串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C ~ +85°C, DL =0.1μW |
|
頻率老化 |
f_age |
±5× 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
關(guān)于一般清洗液的使用以及超聲波清洗沒有問題，但這僅僅是對(duì)單個(gè)石英晶體產(chǎn)品進(jìn)行試驗(yàn)所得的結(jié)果，因此請(qǐng)根據(jù)實(shí)際使用狀態(tài)進(jìn)行確認(rèn)。由于石英水晶振動(dòng)子的頻率范圍和超聲波清洗機(jī)的清洗頻率很近，容易受到共振破壞，因此請(qǐng)盡可能避免超聲波清洗。若要進(jìn)行超聲波清洗，必須事先根據(jù)實(shí)際使用狀態(tài)進(jìn)行確認(rèn)。NX2012SA-32.768K-STD-MUB-1晶振,智能穿戴晶振,NX2012SA晶振
撞擊
雖然石英晶體諧振器產(chǎn)品在設(shè)計(jì)階段已經(jīng)考慮到其耐撞擊性，但如果掉到地板上或者受到過度的撞擊，以防萬(wàn)一還是要檢查特性后再使用。
裝載
高精度晶振產(chǎn)品支持自動(dòng)貼裝，但還是請(qǐng)預(yù)先基于所使用的搭載機(jī)實(shí)施搭載測(cè)試，確認(rèn)其對(duì)特性沒有影響。 在切斷工序等會(huì)導(dǎo)致基板發(fā)生翹曲的工序中，請(qǐng)注意避免翹曲影響到產(chǎn)品的特性以及軟焊。 基于超聲波焊接的貼裝以及加工會(huì)使得手機(jī)晶振產(chǎn)品（諧振器、振蕩器、濾波器）內(nèi)部傳播過大的振動(dòng)，有可能導(dǎo)致特性老化以及引起不振蕩，因此不推薦使 用。
＜引線類型產(chǎn)品＞
當(dāng)引線彎折、成型以及貼裝到印制電路板時(shí)，請(qǐng)注意避免對(duì)基座玻璃部分施加壓力。否則有可能導(dǎo)致玻璃出現(xiàn)裂痕，從而引起性能劣化。NDK晶振,貼片晶振,NX2012SA晶振,NX2012SA-32.768K-STD-MUB-1晶振
保管
保管在高溫多濕的場(chǎng)所可能會(huì)導(dǎo)致端子軟焊性的老化。請(qǐng)?jiān)跊]有直射陽(yáng)光，不發(fā)生結(jié)露的場(chǎng)所保管。
1、振蕩電路
2012貼片晶振是無源元件，因此受到電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。
配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運(yùn)行和
異常運(yùn)行。因此，在振蕩電路的設(shè)計(jì)中，先決條件之一是如何確定振蕩電路。
晶體諧振器的振動(dòng)安全穩(wěn)定。只有在做出了這個(gè)決定之后，后續(xù)的項(xiàng)目，例如
討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時(shí)間和振蕩波形。
2。角色的分量與參考值
在振蕩電路的設(shè)計(jì)中，必須認(rèn)識(shí)到個(gè)體的作用。
組件.在表1中，以例如振蕩電路為例來描述角色。NDK晶振,貼片晶振,NX2012SA晶振,NX2012SA-32.768K-STD-MUB-1晶振
（圖1）使用一個(gè)通用的C-MOS IC（74hcuo4ap東芝）。
當(dāng)反饋電阻（rf）未安裝在振蕩電路中時(shí)，如圖所示
表1，即使在振蕩功率作用下，諧振器也不會(huì)啟動(dòng)振蕩。
電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接，否則振蕩不會(huì)啟動(dòng)。
晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。
振蕩開始代替。在基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米。在
泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個(gè)范圍內(nèi)。
在32.768K石英晶體諧振器的案例（kHz頻段），需要連接一個(gè)電阻10米。
限制流入諧振器的電流，調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵(lì)磁。
電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動(dòng)。
C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵(lì)磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有
給定負(fù)載能力。
適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D）取決于2.0x1.2mm石英晶體的類型，頻帶和設(shè)備的價(jià)值。
電容器（C1，C2）。精確值是通過測(cè)量振蕩電路的特性來確定的（包括
負(fù)電阻和驅(qū)動(dòng)級(jí)）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個(gè)范圍內(nèi)。
音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K。NX2012SA-32.768K-STD-MUB-1晶振,智能穿戴晶振,NX2012SA晶振
安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和
振蕩的順序，在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右，僅供參考。
公司名：深圳市金洛鑫電子有限公司
聯(lián)系人：茹紅青
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電話：0755-27837162
QQ號(hào)：657116624
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搜狐公眾號(hào)：晶振石英晶振NDK晶振
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JLX-PD
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