Jauch晶振,貼片石英晶振,JTX410晶振
頻率:32.768KHZ
尺寸:4.1*1.5mm
Jauch晶振公司在現(xiàn)行法規(guī)框架內保障職業(yè)健康和安全,并支持持續(xù)發(fā)展和改善工作環(huán)境.它定期提供有關健康保護、安全標準和安全程序的信息.當前立法.工作環(huán)境被安排符合法定的規(guī)章制度,確保員工的福利.Jauch集團把安全健康的工作環(huán)境視為理所當然的事情,因為它還有助于提高石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器, 溫補晶振,石英晶體振蕩器等產品和服務的質量.
Jauch晶振嚴格遵守國家有關工程建設法律、法規(guī),不斷提高員工的質量意識和能力,履行合約、信守承諾,堅持開拓創(chuàng)新,不斷提升企業(yè)的施工技術素質和質量管理水平,以科學學嚴密的施工管理和真誠的服務讓業(yè)主高度滿意.
嚴格遵守國家職業(yè)安全健康法律、法規(guī),培養(yǎng)員工的安全意識和能力,持續(xù)改進職業(yè)安全健康管理績效,預先采取安全措施,消除或降低危險,優(yōu)先選用安全系數(shù)高的石英晶振, 石英晶體諧振器,石英晶體材料、設備及工藝,提高事故預防水平,創(chuàng)造良好的工作環(huán)境,保障員工的身心健康. 
Jauch晶振,貼片石英晶振,JTX410晶振,此款SMD晶體并且可以承受回流焊接的高溫,波峰焊接,回流焊接等,貼片表晶主要特點是該產品排帶包裝,焊接模式主要使用SMT焊接,給現(xiàn)代SMT工藝帶來高速的工作效率,32.768K系列產品本身具有體積小,厚度薄,重量輕等特點,此音叉型石英晶體諧振器,晶振產品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,在辦公自動化,家電領域,移動通信領域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性
石英晶振高精度晶片的拋光技術:貼片晶振是目前晶片研磨技術中表面處理技術的最高技術,最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值。從而達到一般研磨所達不到的產品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作。使用先進的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態(tài)
|
Jauch晶振 |
單位 |
JTX410晶振 |
石英晶振基本條件 |
|
標準頻率 |
f_nom |
32.768KHZ |
標準頻率 |
|
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C ~ +80°C |
裸存 |
|
工作溫度 |
T_use |
-20°C ~ +70°C |
標準溫度 |
|
激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
|
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (標準), |
+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, |
|
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
|
負載電容 |
CL |
7pF ~ ∞ |
不同負載要求,請聯(lián)系我們. |
|
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
|
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |

其他
<晶體諧振器>
如果過大的激勵電力對石英晶體諧振器外加電壓,有可能導致特性老化或損壞,因此請在宣傳冊、規(guī)格書中規(guī)定的范圍內使用。
讓無源晶振振蕩的電路寬裕度大致為負性阻抗值。本公司推薦此負性阻抗為諧振器串聯(lián)電阻規(guī)格值的5倍以上,若是車載和安全設備,則推薦10倍 以上。
<晶體振蕩器>
晶體振蕩器的內部電路使用C-MOS。閉鎖、靜電對策請和一般的C-MOS IC一樣考慮。
有些石英晶體振蕩器沒有和旁路電容器進行內部連接。使用時,請在Vdd-GND之間用0.01μF左右的高頻特性較好的電容器(陶瓷片狀電容器等)以 最短距離連接。關于個別機型請確認宣傳冊、規(guī)格書。
<晶體濾波器>
注意電路板圖形的配置,避免輸入端子和輸出端子靠得太近。
如果貼裝晶體濾光片的電路板的雜散電容較大,為了消除該雜散電容,有時需要配置調諧電路。
如果過大的激勵電力對諧振器外加電壓,有可能導致特性老化或損壞,因此請在濾波器的輸入電平在−10dBm以下的狀態(tài)下使用。
<光學產品>
由于制造過程中進行了灰塵等異物管理,因此包裝開封以后,請在進行清潔度管理的環(huán)境中,Jauch晶振,貼片石英晶振,JTX410晶振
設計振蕩回路的注意事項
1. 驅動能力
驅動能力說明振蕩晶體單元所需電功率,其計算公式如下:
驅動能力 (P) = i2?Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。
2. 振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請在電路設計時提供足夠的負極電阻。
3. 負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。
頻率和負載電容特征圖器
振蕩回路參數(shù)設置參考
公司名:深圳市金洛鑫電子有限公司
聯(lián)系人:茹紅青
手機:13510569637
電話:0755-27837162
QQ號:657116624
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搜狐公眾號:晶振石英晶振NDK晶振
郵箱:jinluodz@163.com
地址:深圳市寶安區(qū)41區(qū)甲岸路19號
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