日本株式會社西鐵城晶振品牌【CITIZEN】，該品牌創(chuàng)立時間在1918年，早期主要研發(fā)與生產(chǎn)時計產(chǎn)品，在1959年西鐵城成功研發(fā)出防水，防振的手表，從此轟動世界成為了個性時尚品牌.在1975年西鐵城會社成立了西鐵城株式會社水晶事業(yè)部，從此研發(fā)音叉型壓電石英水晶振動子.49SMD假面貼片晶體,HCM49晶振,HCM4920000000ABJT晶振
      西鐵城晶振公司為工業(yè)市場提供高性能和精密設(shè)備,不斷開發(fā)新技術(shù)和新技術(shù)在我們的制造業(yè)和工程.我們有一個良好的信譽在市場上特別是對我們的晶振,石英晶體,有源晶振,壓控振蕩器等高精密零件使用我們自己的核心技術(shù)和脆性材料和微顯示高清圖片是必需的.是盡一切努力來改善我們的技術(shù)和發(fā)展提供有價值的服務(wù)我們的客戶,即使這是一個利基市場.西鐵城晶振奉行的管理政策是“標(biāo)題作為紀(jì)念公司保持活著在這個時代”.日本制造業(yè)可持續(xù)發(fā)展的業(yè)務(wù)形式將在這樣一個追求快速多變的經(jīng)濟,而重視個人、社會和環(huán)境問題.西鐵城晶振試圖滿足你在電子設(shè)備領(lǐng)域中成為龍頭企業(yè).

      西鐵城晶振,貼片晶振,HCM4920000000ABJT晶振,普通石英晶振,外觀完全使用金屬材料封裝的,產(chǎn)品本身采用全自動石英晶體檢測儀,以及跌落,漏氣等苛刻實驗.產(chǎn)品本身具有高穩(wěn)定性,高可靠性的石英晶體諧振器,焊接方面支持表面貼裝,外觀采用金屬封裝,具有充分的密封性能,晶振本身能確保其高可靠性,采用編帶包裝,可對應(yīng)產(chǎn)品應(yīng)用到自動貼片機告訴安裝,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
      超小型、超低頻無源晶振晶片的邊緣處理技術(shù)：是超小型、超低頻石英晶振晶體元器件研發(fā)及生產(chǎn)必須解決的技術(shù)問題，為壓電石英晶振行業(yè)的技術(shù)難題之一。具體解決的辦法是使用高速倒邊方式，通過結(jié)合以往低速滾筒倒邊去除晶振晶片的邊緣效應(yīng)，在實際操作中機器運動方式設(shè)計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設(shè)計必須合理，有一項不完善都會使石英晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除，而石英晶振晶片的諧振電阻過大，用在電路中Q值過小，從而電路不能振動或振動不穩(wěn)定.49SMD假面貼片晶體,HCM49晶振,HCM4920000000ABJT晶振

      每個封裝類型的注意事項:陶瓷包裝假面晶振與SON產(chǎn)品在焊接陶瓷封裝晶振和SON產(chǎn)品 (陶瓷包裝是指晶振外觀采用陶瓷制品) 之后,彎曲電路板會因機械應(yīng)力而導(dǎo)致焊接部分剝落或封裝分裂（開裂）。尤其在焊接這些產(chǎn)品之后進行電路板切割時,務(wù)必確保在應(yīng)力較小的位置布局晶體并采用應(yīng)力更小的切割方法。西鐵城晶振,貼片晶振,HCM4920000000ABJT晶振
     陶瓷包裝石英晶振:在一個不同擴張系數(shù)電路板（環(huán)氧玻璃）上焊接陶瓷封裝石英晶振時,在溫度長時間重復(fù)變化時可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請事先檢查焊接特性.(2)陶瓷封裝貼片晶振:在一個不同擴張系數(shù)電路板（環(huán)氧玻璃）上焊接陶瓷封裝貼片晶振時,在溫度長時間重復(fù)變化時可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請事先檢查焊接特性。
     (3)柱面式產(chǎn)品:產(chǎn)品的玻璃部分直接彎曲引腳或用力拉伸引腳會導(dǎo)致在引腳根部發(fā)生密封玻璃分裂（開裂）,也可能導(dǎo)致氣密性和產(chǎn)品特性受到破壞。當(dāng)SMD石英晶振的引腳需彎曲成下圖所示形狀時,應(yīng)在這種場景下留出0.5mm的引腳并將其托住,以免發(fā)生分裂。當(dāng)該引腳需修復(fù)時,請勿拉伸,托住彎曲部分進行修正。在該密封部分上施加一定壓力,會導(dǎo)致氣密性受到損壞。所以在此處請不要施加壓力。另外,為避負(fù)機器共振造成引腳疲勞切斷,建議用粘著劑將產(chǎn)品固在定電路板上。49SMD假面貼片晶體,HCM49晶振,HCM4920000000ABJT晶振

       驅(qū)動能力:驅(qū)動能力說明49/SMD無源諧振器振蕩晶體單元所需電功率，其計算公式如下：驅(qū)動能力 (P) = i2?Re其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流，Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）.西鐵城晶振,貼片晶振,HCM4920000000ABJT晶振

       測試條件:(1) 電源電壓? 超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。? 電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2) 其他:? 輸入電容低于 15 pF? 5倍頻率范圍或更多測量頻率。? 鉛探頭應(yīng)盡可能短。? 測量頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過49SMD晶振振蕩器的放大器時，可同時進行測量。(3) 其他:? CL包含探頭電容。? 應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。? 使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線）

      此外，振蕩頻率與測量點不同。1。測量緩沖輸出2。振蕩級輸出貼片石英晶振測量三.通過電容器測量振蕩級輸出圖5示出以上1-3個測量點和所測量的除緩沖器輸出外，振蕩頻率較低。

      探針不影響圖2，因為緩沖器的輸出是通過49S無源晶體輸入振蕩電路的輸出來測量的。逆變器進入下一階段。探針不影響圖3，因為在IC上測量緩沖器輸出（1/1、1/2等）。圖4示出了來自ic的無緩沖器輸出接收的情況，由此通過小尺寸測量來最小化探針的效果。輸出點之間的電容（3 pF以下XTAL終端IC）和探針。然而，應(yīng)該注意到，使用這種方法輸出波形較小，測量不能依賴于即使示波器能檢查振蕩波形，頻率計數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下，使用放大器來測量。

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