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Raltron晶振,無源晶振,H120B晶振

頻率：12.000MHz~50.000MHz

尺寸：4.0*2.5*0.8mm

貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場領域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢,耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等.

訂購熱線：0755-27837162

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Raltron通過提供追求快速增長的物聯(lián)網(wǎng)和機器到機器市場完整的無源器件封裝，包括晶體，TCXO，SAW濾波器，LTCC濾波器和巴倫以及相應IC解決方案規(guī)定的各種天線。為了滿足快速增長的無線應用市場的需求，Raltron也將其定位作為一個完整的解決方案供應商，在其晶體和振蕩器中添加SAW器件和LTCC濾波器發(fā)行。
拉隆晶振以最小化使用危險材料、能源和其它資源為目的進行公司無源晶振產(chǎn)品及服務的安全生產(chǎn)和使用，并確保回收利用。以防治污染、保存資源的方式進行商務運作，并積極地對以往的環(huán)境破壞進行揭露。持續(xù)改進，將環(huán)境管理與商務運行和決策過程高度集成，規(guī)范其行為。不斷進行持續(xù)改進的實踐。

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Raltron晶振,無源晶振,H120B晶振.4025mm貼片型四腳壓電石英晶體產(chǎn)品最適用于無線通訊系統(tǒng),無線局域網(wǎng),已實現(xiàn)低相位噪聲,低電壓,低消費電流和高穩(wěn)定度,超小型,質(zhì)量輕等產(chǎn)品特點,產(chǎn)品本身編帶包裝方式,可對應自動高速貼片機應用,以及高溫回流焊接（產(chǎn)品無鉛對應）,為無鉛產(chǎn)品.
RALTRON被銀時放置石英晶振晶片的治具。根據(jù)貼片晶振晶片的直徑（長度、寬度）、厚度選用合適尺寸的Space，尺寸過大容易造成被銀電極偏位，尺寸偏小容易造成石英晶振晶片破碎和被銀后貼片晶振晶片不宜取出。4025mm貼片諧振器,12M金屬殼封裝四腳晶體,H120B晶振

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Raltron晶振	單位	H120B晶振	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	12.000MHZ~50.000MHZ	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C ～ +85°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ～ +85°C	標準溫度
激勵功率	DL	100~500μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±30 × 10-6 (標準), (±10 × 10-6 ～ ±30 × 10-6 可用)	+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關的信息,http://www.908tw.com/
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10-6/-20°C ～ +70°C	超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負載電容	CL	8pF~32pF	不同負載電容要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±2× 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

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h120b 4025

JLX-4

RB-4

其他
＜晶體諧振器＞
如果過大的激勵電力對石英晶體諧振器外加電壓，有可能導致特性老化或損壞，因此請在宣傳冊、規(guī)格書中規(guī)定的范圍內(nèi)使用。
讓無源晶振振蕩的電路寬裕度大致為負性阻抗值。本公司推薦此負性阻抗為諧振器串聯(lián)電阻規(guī)格值的5倍以上，若是車載和安全設備，則推薦10倍以上。4025mm貼片諧振器,12M金屬殼封裝四腳晶體,H120B晶振
＜晶體振蕩器＞
晶體振蕩器的內(nèi)部電路使用C-MOS。閉鎖、靜電對策請和一般的C-MOS IC一樣考慮。
有些進口晶體振蕩器沒有和旁路電容器進行內(nèi)部連接。使用時，請在Vdd-GND之間用0.01μF左右的高頻特性較好的電容器（陶瓷片狀電容器等）以最短距離連接。關于個別機型請確認宣傳冊、規(guī)格書。
＜晶體濾波器＞
注意電路板圖形的配置，避免輸入端子和輸出端子靠得太近。
如果貼裝晶體濾光片的電路板的雜散電容較大，為了消除該雜散電容，有時需要配置調(diào)諧電路。
如果過大的激勵電力對諧振器外加電壓，有可能導致特性老化或損壞，因此請在濾波器的輸入電平在−10dBm以下的狀態(tài)下使用。Raltron晶振,無源晶振,H120B晶振
＜光學產(chǎn)品＞
由于制造過程中進行了灰塵等異物管理，因此包裝開封以后，請在進行清潔度管理的環(huán)境中使用。

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設計振蕩回路的注意事項
1.驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明四腳SMD晶振單元所需電功率，其計算公式如下：
驅(qū)動能力 (P) = i2?Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流，
Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。Raltron晶振,無源晶振,H120B晶振

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2.振蕩補償
除非在4025mm石英諧振器振蕩電路中提供足夠的負極電阻，否則會增加振蕩啟動時間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請在電路設計時提供足夠的負極電阻。

3. 負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同，可能導致SMD進口晶振振蕩頻率與設計頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。4025mm貼片諧振器,12M金屬殼封裝四腳晶體,H120B晶振

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