希華晶體科技成立于1988年，專精于石英頻率控制元件之研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)與銷(xiāo)售。從人工晶棒長(zhǎng)成到最終產(chǎn)品，透過(guò)最佳團(tuán)隊(duì)組合及先進(jìn)之生產(chǎn)技術(shù)，建立完整的產(chǎn)品線，包含人工水晶、石英晶片、SAW WAFER，以及石英晶體、晶體振蕩器、晶體濾波器、溫度補(bǔ)償型及電壓控制型產(chǎn)品等，以健全的供應(yīng)煉系統(tǒng)，為客戶提供全方位的服務(wù)。藉由臺(tái)灣、日本、大陸三地的產(chǎn)品設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)與制程資源整合，不斷開(kāi)發(fā)創(chuàng)新及制程改造，以全系列完整產(chǎn)品線，來(lái)滿足客戶對(duì)石英元件多樣化的需求。積極地透過(guò)產(chǎn)學(xué)合作與配合國(guó)外技術(shù)引進(jìn)開(kāi)發(fā)新產(chǎn)品，多角化經(jīng)營(yíng)、擴(kuò)大市場(chǎng)領(lǐng)域，此亦為公司得以永續(xù)經(jīng)營(yíng)的方針。1.1mm厚度石英晶體,5032智能導(dǎo)航儀晶振,GX-50324晶振
     2003年通過(guò)ISO14001環(huán)境管理系統(tǒng)驗(yàn)證，秉持“污染預(yù)防、持續(xù)改善”之原則，公司事業(yè)廢棄物產(chǎn)出量逐年降低，可回收、再利用之廢棄物比例逐年提高，各項(xiàng)石英晶體諧振器排放檢測(cè)數(shù)據(jù)符合政府法規(guī)要求。并由原材料管控禁用或限用環(huán)境危害物質(zhì)與國(guó)際大廠對(duì)于綠色生產(chǎn)及綠色產(chǎn)品的要求相符，于2004年通過(guò)SONY  綠色伙伴(Green Partner)驗(yàn)證。希華晶體科技本于‘善盡企業(yè)責(zé)任、降低環(huán)境沖擊、提升員工健康’的理念，執(zhí)行各項(xiàng)環(huán)境及職業(yè)安全衛(wèi)生管理工作；落實(shí)公司環(huán)安衛(wèi)政策要求使環(huán)境暨安全衛(wèi)生管理成效日益顯著，不僅符合國(guó)內(nèi)環(huán)保、勞安法令要求，同時(shí)也能達(dá)到國(guó)際環(huán)保、安全衛(wèi)生標(biāo)準(zhǔn)。

        希華晶振,貼片晶振,GX-50324晶振,臺(tái)產(chǎn)諧振器,二腳SMD陶瓷面貼片晶振,表面陶瓷封裝,其實(shí)是屬于壓電石英晶振,是高可靠的環(huán)保性能,嚴(yán)格的頻率分選,編帶盤(pán)裝,可應(yīng)用于高速自動(dòng)貼片機(jī)焊接,產(chǎn)品本身設(shè)計(jì)合理,成本和性能良好,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于平板電腦,MP5,數(shù)碼相機(jī),USB接口最佳選擇,包含RoHS指令豁免的密封玻璃中的鉛.
     石英晶振離子刻蝕調(diào)頻技術(shù)：白片頻率(腐蝕頻率): 如 14.560000 MHz (是 14.318180 腐蝕片中心頻率)蒸鍍目標(biāo)頻率: 標(biāo)稱頻率±1000 PPM。（蒸鍍微調(diào)、離子微調(diào)）3.3.1、Space：被銀時(shí)放置石英晶振晶片的治具。根據(jù)貼片晶振晶片的直徑（長(zhǎng)度、寬度）、厚度選用合適尺寸的Space，尺寸過(guò)大容易造成被銀電極偏位，尺寸偏小容易造成石英晶振晶片破碎和被銀后貼片晶振晶片不宜取出。3.3.2、MASK：被銀電極。一般情況下，石英晶振頻率低選用大尺寸 MASK，貼片晶振頻率高選用小尺寸MASK，對(duì)同一規(guī)格產(chǎn)品 MASK 大、C0 大、電阻小。MASK 小、C0 小、電阻大。對(duì)有特殊要求（如 C0、C1、C0/C1、TS 等）的產(chǎn)品，在計(jì)算和試驗(yàn)的基礎(chǔ)上選用合適的 MASK。對(duì)高頻產(chǎn)品（尤其是高頻 Fund）Mask 大，產(chǎn)品容易產(chǎn)生寄生。1.1mm厚度石英晶體,5032智能導(dǎo)航儀晶振,GX-50324晶振

        所有產(chǎn)品的共同點(diǎn)1：抗沖擊:抗沖擊是指進(jìn)口晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用。因?yàn)闊o(wú)論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響。 2：輻射:將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽(yáng)光長(zhǎng)時(shí)間的照射。 3：化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境:請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。 希華晶振,貼片晶振,GX-50324晶振,臺(tái)產(chǎn)諧振器
     4：粘合劑:請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致石英SMD晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。） 5：鹵化合物:請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹(shù)脂。6：靜電:過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞貼片晶振,請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作。
      耐焊性：將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品。在下列回流條件下,對(duì)石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會(huì)破壞晶振特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間。同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查。如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。1.1mm厚度石英晶體,5032智能導(dǎo)航儀晶振,GX-50324晶振

     振蕩補(bǔ)償：除非在5032貼片晶振振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會(huì)增加振蕩啟動(dòng)時(shí)間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。希華晶振,貼片晶振,GX-50324晶振,臺(tái)產(chǎn)諧振器

        測(cè)試條件(1)電源電壓:超過(guò) 150µs，直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測(cè)量頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過(guò)5032陶瓷諧振器振蕩器的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線）.

        晶體諧振腔的形式模式，但5032陶瓷面貼片晶振泛音振蕩或基波。振蕩開(kāi)始代替。在基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個(gè)范圍內(nèi)。K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例（kHz頻段），需要連接一個(gè)電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流，調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵(lì)磁。電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動(dòng)。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵(lì)磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負(fù)載能力。
     適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D）取決于諧振器的類型，頻帶和設(shè)備的價(jià)值。電容器（C1，C2）。精確值是通過(guò)5032二腳晶振測(cè)量振蕩電路的特性來(lái)確定的（包括負(fù)電阻和驅(qū)動(dòng)級(jí)）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個(gè)范圍內(nèi)。?幾K?。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序，在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右，僅供參考。

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