丁香婷婷啪啪娱乐网,97人妻精品一区二区三区免

當(dāng)前位置：首頁 » 石英晶振 » 愛普生晶振 » 愛普生晶振,貼片晶振,FC-12D晶體,FC-12D 32.7680KA-A3

prevnext

愛普生晶振,貼片晶振,FC-12D晶體,FC-12D 32.7680KA-A3

頻率：32.768KHz

尺寸：2.05*1.2*0.35mm

工作溫度:-55℃~+125℃

工作溫度:-40℃~85℃

負(fù)載電容:12.5pF

2520mm體積的晶振,"FC-12D 32.7680KA-A3"可以說是目前小型數(shù)碼產(chǎn)品的福音,目前超小型的智能手機里面所應(yīng)用的就是小型的石英晶振,該產(chǎn)品最適用于無線通訊系統(tǒng),無線局域網(wǎng),已實現(xiàn)低相位噪聲.

訂購熱線：0755-27837162

晶振技術(shù)參數(shù)點擊下載

EPSONdhl

愛普生（中國）有限公司共同投資成立的有限責(zé)任公司（外商合資）.目前注冊資本2500萬美金.現(xiàn)員工人數(shù):1500人.主要從事壓電石英晶振系列產(chǎn)品的生產(chǎn),投資初期主要生產(chǎn)32.768KHZ系列產(chǎn)品,從2009年起32.768K系列產(chǎn)品轉(zhuǎn)向馬來西亞量產(chǎn).蘇州愛普生工廠就以生產(chǎn)高端的石英晶體振蕩器為主,普通石英晶體諧振器為輔."FC-12D 32.7680KA-A3"

JLX-1

RB-1 愛普生晶振,貼片晶振,FC-12D晶體,"FC-12D 32.7680KA-A3",是來自日本進口品牌的一款2.0*1.2mm貼片晶體,厚度只有0.35mm,也許比一枚1元硬幣還要小,標(biāo)準(zhǔn)的晶振頻率是±20ppm,即使擁有這么小的體積,精準(zhǔn)度卻依然高,工作時的溫度范圍是-40℃~+85℃之間,負(fù)載電容從7pF到12.5pF可供選擇,穩(wěn)定性高,深得用戶們的喜愛.2012四腳石英晶體,32.768K貼片諧振器,FC-12D晶振

JLX-2

愛普生晶振	單位	FC-12D晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	32.768KHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度	T_stg	-55°C ～ +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ～ +85°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵功率	DL	0.25μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±20 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn))	+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.908tw.com/
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10-6/-20°C ～ +70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	7pF、9pF、12.5pF	不同負(fù)載要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±3× 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

JLX-3

RB-3

FC-12D

JLX-4

操作
請勿用鑷子或任何堅硬的工具，夾具直接接觸FC-12D晶振的表面。愛普生晶振,貼片晶振,FC-12D晶體,"FC-12D 32.7680KA-A3"
使用環(huán)境（溫度和濕度）
請在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)使用耐高溫晶振。這個溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下，會由于凝露引起故障。請避免凝露的產(chǎn)生。
晶體單元/諧振器
激勵功率
在晶體單元上施加過多驅(qū)動力，會導(dǎo)致FC-12D貼片晶振特性受到損害或破壞。電路設(shè)計必須能夠維持適當(dāng)?shù)募罟β?（請參閱“激勵功率”章節(jié)內(nèi)容）。

負(fù)極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻，否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加（請參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容）。2012四腳石英晶體,32.768K貼片諧振器,FC-12D晶振,"FC-12D 32.7680KA-A3"
負(fù)載電容
振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致32.768K愛普生貼片晶振振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過強力調(diào)整，可能只會導(dǎo)致不正常的振蕩。在使用之前，請指明該振動電路的負(fù)載電容（請參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容）。

JLX-5

RB-5

1、設(shè)計振蕩回路的注意事項
1.驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明振蕩晶體單元所需電功率，其計算公式如下：
驅(qū)動能力 (P) = i2?Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流，
Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。2012四腳石英晶體,32.768K貼片諧振器,FC-12D晶振,"FC-12D 32.7680KA-A3"

sjzrhl_1

2.振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會增加振蕩啟動時間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請在電路設(shè)計時提供足夠的負(fù)極電阻。

sjzrhl_2

3.負(fù)載電容
如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。愛普生晶振,貼片晶振,FC-12D晶體,"FC-12D 32.7680KA-A3"

sjzrhl_3