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Golledge晶振,貼片晶振,CM7V04 晶振,無源進(jìn)口晶振

頻率：32.768KHZ

尺寸：3.2*1.5*0.38mm

32.768K時鐘晶體具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面音叉型晶體諧振器,產(chǎn)品具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮晶振優(yōu)良的電氣特性,符合RoHS規(guī)定,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,金屬外殼的封裝使得產(chǎn)品在封裝時能發(fā)揮比陶瓷諧振器外殼更好的耐沖擊性.

訂購熱線：0755-27837162

Golledge高利奇晶振集團(tuán)消除事故和環(huán)境方面的偶發(fā)事件,減少晶體諧振器、普通晶體振蕩器（SPXO）材料廢物的產(chǎn)生和排放,有效的使用能源和各種自然資源,對緊急事件做好充分準(zhǔn)備,以便及時做出反應(yīng).對我們的產(chǎn)品進(jìn)行檢驗(yàn),同時告知我們的員工顧客以及公眾,如何安全的使用,如何使用對環(huán)境影響較小,幫助我們的雇員合同方商業(yè)伙伴服務(wù)提供上理解他們的行為如何影響著環(huán)境.Golledge晶振遵守所有適用的有關(guān)環(huán)境、健康和安全的法律和法規(guī)以及公司自己的有關(guān)環(huán)境、工業(yè)衛(wèi)生和安全的方針和承諾.與我們的員工一起開創(chuàng)并保持一個免于事故的工作場所.32.768千赫茲SMD晶振,高效率3.2*1.5mm諧振器,CM7V04晶振
Golledge石英晶振環(huán)保環(huán)境與發(fā)展對策：實(shí)行可持續(xù)發(fā)展戰(zhàn)略.采取有效措施,防治工業(yè)污染.提高能源利用效率,改善能源結(jié)構(gòu).運(yùn)用經(jīng)濟(jì)手段保護(hù)環(huán)境.大力推進(jìn)科技進(jìn)步,加強(qiáng)環(huán)境科學(xué)研究,積極發(fā)展環(huán)境保護(hù)產(chǎn)業(yè).健全環(huán)境法規(guī),強(qiáng)化環(huán)境管理.加強(qiáng)環(huán)境教育,不斷提高環(huán)境意識.Golledge晶振減少污染物排放,對不可再生的資源進(jìn)行有效利用.減少廢物的產(chǎn)生,對其排放的責(zé)任進(jìn)行有效管理,有效地使用能源.通過石英晶振,貼片晶振,溫補(bǔ)晶振,石英晶體振蕩器設(shè)計(jì)工藝程序?qū)T工進(jìn)行培訓(xùn)保護(hù)環(huán)境以及人們的健康和安全.提供安全使用和廢置我們的產(chǎn)品的信息,對環(huán)境有重大健康安全和環(huán)境的運(yùn)營現(xiàn)狀進(jìn)行糾正.

32.768千赫茲SMD晶振,高效率3.2*1.5mm諧振器,CM7V04晶振

Golledge晶振,貼片晶振,CM7V04 晶振,無源進(jìn)口晶振,貼片表晶32.768K系列具有超小型,薄型,質(zhì)地輕的表面貼片音叉型石英晶體諧振器,晶振產(chǎn)品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,在辦公自動化,家電領(lǐng)域,移動通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,符合無鉛標(biāo)準(zhǔn),滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求,金屬外殼的石英晶振使得產(chǎn)品在封裝時能發(fā)揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能.
石英晶振高精度晶片的拋光技術(shù)：進(jìn)口貼片晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù)，最終使晶振晶片表面更光潔，平行度及平面度更好，降低諧振電阻，提高Q值。從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能，使石英晶振的等效電阻等更接近理論值，使晶振可在更低功耗下工作。使用先進(jìn)的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態(tài)。石英晶振在選用晶片時應(yīng)注意溫度范圍、晶振溫度范圍內(nèi)的頻差要求，貼片晶振溫度范圍寬時(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄溫(-10℃-70℃)切割角度應(yīng)略高。對于晶振的條片，長邊為 X 軸，短邊為 Z 軸，面為 Y 軸。32.768千赫茲SMD晶振,高效率3.2*1.5mm諧振器,CM7V04晶振

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Golledge晶振	單位	CC7A晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	24~50MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度	T_stg	-55°C ～ +125°C	裸存
激勵功率	DL	100~250μW Max.	推薦:100μW ～ 250μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn))	+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.908tw.com/
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10-6/-20°C ～+70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	3,9,16pF	不同負(fù)載要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±3× 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

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每個封裝類型的注意事項(xiàng),陶瓷包裝四腳晶振與SON產(chǎn)品:在焊接陶瓷封裝晶振和SON產(chǎn)品 (陶瓷包裝是指晶振外觀采用陶瓷制品) 之后,彎曲電路板會因機(jī)械應(yīng)力而導(dǎo)致焊接部分剝落或封裝分裂（開裂）。尤其在焊接這些產(chǎn)品之后進(jìn)行電路板切割時,務(wù)必確保在應(yīng)力較小的位置布局晶體并采用應(yīng)力更小的切割方法。Golledge晶振,貼片晶振,CM7V04 晶振,無源進(jìn)口晶振
陶瓷包裝無源石英晶振:在一個不同擴(kuò)張系數(shù)電路板（環(huán)氧玻璃）上焊接陶瓷封裝石英晶振時,在溫度長時間重復(fù)變化時可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請事先檢查焊接特性。（2）陶瓷封裝貼片晶振:在一個不同擴(kuò)張系數(shù)電路板（環(huán)氧玻璃）上焊接陶瓷封裝貼片晶振時,在溫度長時間重復(fù)變化時可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請事先檢查焊接特性。
（3）柱面式產(chǎn)品:產(chǎn)品的玻璃部分直接彎曲引腳或用力拉伸引腳會導(dǎo)致在引腳根部發(fā)生密封玻璃分裂（開裂）,也可能導(dǎo)致氣密性和產(chǎn)品特性受到破壞。當(dāng)進(jìn)口石英晶振的引腳需彎曲成下圖所示形狀時,應(yīng)在這種場景下留出0.5mm的引腳并將其托住,以免發(fā)生分裂。當(dāng)該引腳需修復(fù)時,請勿拉伸,托住彎曲部分進(jìn)行修正。在該密封部分上施加一定壓力,會導(dǎo)致氣密性受到損壞。所以在此處請不要施加壓力。另外,為避負(fù)機(jī)器共振造成引腳疲勞切斷,建議用粘著劑將產(chǎn)品固在定電路板上。32.768千赫茲SMD晶振,高效率3.2*1.5mm諧振器,CM7V04晶振

測試條件(1)電源電壓:超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測量頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過3215石英晶體諧振器振蕩器的放大器時，可同時進(jìn)行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線）.Golledge晶振,貼片晶振,CM7V04 晶振,無源進(jìn)口晶振

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此外，振蕩頻率與測量點(diǎn)不同。1。測量緩沖輸出2。振蕩級輸出測量三.通過32.768K貼片晶振電容器測量振蕩級輸出圖5示出以上1-3個測量點(diǎn)和所測量的除緩沖器輸出外，振蕩頻率較低。

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1.振蕩電路:晶體諧振器是無源元件，因此受到32.768K石英貼片晶振電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運(yùn)行和異常運(yùn)行。因此，在振蕩電路的設(shè)計(jì)中，先決條件之一是如何確定振蕩電路。晶體諧振器的振動安全穩(wěn)定。只有在做出了這個決定之后，后續(xù)的項(xiàng)目，例如討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時間和振蕩波形。
2.角色的分量與參考值:在貼片型音叉晶振振蕩電路的設(shè)計(jì)中，必須認(rèn)識到個體的作用。組件.在表1中，以例如振蕩電路為例來描述角色。（圖1）使用一個通用的C-MOS IC（74hcuo4ap東芝）。當(dāng)反饋電阻（rf）未安裝在振蕩電路中時，如圖所示表1，即使在振蕩功率作用下，諧振器也不會啟動振蕩。電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接，否則振蕩不會啟動。

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