西鐵城晶體,進(jìn)口晶振,CM315晶振
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CITIZEN西鐵城晶振公司的前身為日本尚工舍時(shí)計(jì)研究所,創(chuàng)立于1918年,主要從事鐘表的開(kāi)發(fā)和制造,在1924年制造出第一只懷表。西鐵城鐘表株式會(huì)社成立于1930年,在第二年(1931年)生產(chǎn)出第一只西鐵城牌手表。CM315晶振,二腳SMD石英晶振,3215無(wú)源石英晶體諧振器
西鐵城晶體,進(jìn)口晶振,CM315晶振,金屬殼表面貼片型二腳石英晶體諧振器,產(chǎn)品本身具有高性能,低價(jià)格等優(yōu)勢(shì),是CITIZEN晶振公司銷(xiāo)量最好,出口量最多的其中一款,在大陸地區(qū)人氣非常高,是眾多智能電子類(lèi)生產(chǎn)廠(chǎng)家們心目中的理想型石英晶振,這顆CM315晶振為廣大用戶(hù)提供有效的晶振解決方案.
| 西鐵城晶振 |
符號(hào) |
CM315晶振 |
西鐵城晶振基本信息對(duì)照表 |
|
Crystal標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
32.768kHz |
|
|
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-55°C~+125°C |
裸存 |
|
工作溫度 |
T_use |
-40°C~+85°C |
西鐵城晶振特定的溫度 |
|
激勵(lì)功率 |
DL |
0.5μW (1.0μW Max.) |
如你有最大激勵(lì)功率為1.0μW 需求,請(qǐng)聯(lián)系我們金洛電子 |
|
精度 |
f_— l |
±20ppm |
如有需要更高的精度可以特定. |
|
拐點(diǎn)溫度 |
Ti |
+25°C ±5°C |
|
|
負(fù)載電容 |
CL |
9pF, 12.5pF |
可按客戶(hù)需求指定 |
|
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
70kΩ Max. |
70kΩ — 45kΩ |
|
頻率老化 |
f_age |
±3 ×10-6 / year Max. |
+25°C, 第一年 |
抗沖擊
晶體產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如表晶32.768K-西鐵城綠色無(wú)鉛晶振從桌上跌落或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用。
輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致CM315進(jìn)口貼片晶振性能受到損害,因此應(yīng)避免照射。西鐵城晶體,進(jìn)口晶振,CM315晶振
化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致產(chǎn)品所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。)
鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用產(chǎn)品。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹(shù)脂。CM315晶振,二腳SMD石英晶振,3215無(wú)源石英晶體諧振器
靜電
過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞CM315晶振,請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作。
輸出波形與測(cè)試電路
1.時(shí)序表
2.測(cè)試條件
(1)電源電壓
超過(guò) 150µs,直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。
電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。
(2)其他
輸入電容低于 15 pF
5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。
鉛探頭應(yīng)盡可能短。
測(cè)量頻率時(shí),探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過(guò)石英振蕩器的放大器時(shí),可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。西鐵城晶體,進(jìn)口晶振,CM315晶振
(3)其他
CL包含探頭電容。
應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。
使用微型插槽,以觀(guān)察波形。
(請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線(xiàn).)
3.測(cè)試電路
公司名:深圳市金洛鑫電子有限公司
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